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FRAM(ferromagnetic random access memory)即鐵電存儲器。
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智能電子式電表的設計中用非易失性串行FRAM的優(yōu)勢
宇芯電子本篇文章提供智能電表或智能電子式電表的概述,并且說明在智能電子式電表的設計中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的優(yōu)勢。圖1顯示的是智能...
汽車產業(yè)正經歷史上最大幅度的轉型。通過全新FRAM解決方案,得以支持創(chuàng)新公司將創(chuàng)意轉化為實際產品。富士通推出的FRAM解決方案MB85RS128TY和M...
2020-06-02 標簽:控制系統(tǒng)fram富士通 1.6k 0
富士通半導體因FRAM在醫(yī)療領域和智能電表中的解決方案及應用而備受業(yè)界矚目。FRAM在這兩個領域備受關注,這與它在醫(yī)療領域和智能電表行業(yè)內的有著巨大的優(yōu)...
首款基于 FRAM 的 MCU 實現便捷 Wi-Fi 連接物聯網
我們在上周探討了基于 MSP430FR5739 器件的移動信用卡讀卡器。MSP430FR5739 是 MSP430 系列中首款基于 FRAM 的 MCU...
上海,2015年3月9日 –富士通半導體(上海)有限公司今日宣布,將參加在中國上海舉行的“第十四屆慕尼黑上海電子展”(Electronica China...
富士通針對車載電子和工業(yè)控制系統(tǒng)推出全新FRAM存儲解決方案
上海,2017年6月5日 –富士通電子元器件(上海)有限公司今天宣布,推出全新FRAM(鐵電隨機存儲器)解決方案---MB85RS128TY和MB85R...
富士通電子推出可在高溫下穩(wěn)定運行的新款2Mbit FRAM
FRAM的讀/寫耐久性、寫入速度和功耗均優(yōu)于EEPROM和閃存,已有對傳統(tǒng)非易失性內存性能不滿意的客戶采用我們的FRAM。
國產FRAM SF25C20用于實時處理系統(tǒng),兼容MB85RS2MT
國產FRAM SF25C20用于實時處理系統(tǒng),兼容MB85RS2MT
2024-07-31 標簽:fram處理系統(tǒng)國芯思辰 1.5k 0
貿澤電子即日起開售Fujitsu Semiconductor Memory Solution產品
貿澤電子宣布即日起開售Fujitsu Semiconductor Memory Solution的鐵電隨機存取存儲器 (FRAM) 和高密度電阻式隨機存...
鐵電隨機存儲器RFID由于存儲容量大、擦寫速度快,一直被用作數據載體標簽。內置的串行接口可將傳感器與RFID連接在一起,從而豐富了RFID應用。
富士通半導體推出新型1 Mbit 和 2 Mbit FRAM產品
富士通半導體(上海)有限公司今日宣布,推出兩款新型FRAM產品-MB85RS1MT 和 MB85RS2MT,兩款產品分別帶有1 Mbit 和 2 Mbi...
2013-03-25 標簽:FRAM 1.5k 0
國芯思辰|拍字節(jié)新型3D鐵電存儲器(VFRAM)PB85RS128C用于音頻電話會議上
音頻電話會議需記錄會議中的重要信息,所以其用來存儲數據模塊的存儲器要求具有安全、可靠的特性。下圖為音頻電話會議的簡略框圖,該方案中存儲模塊采用拍字節(jié)的P...
賽普拉斯FM25V05-GTR是一款非易失性鐵電存儲器,采用先進鐵電工藝的512Kb非易失性存儲器。主要提供了151年的可靠數據保留,同時消除了由串行閃...
?Everspin MRAM MR25H40VDF相比富士通FRAM MB85RS4MT的優(yōu)勢
Everspin是設計制造MRAM到市場和應用的翹楚,在這些市場和應用中,數據持久性和完整性,低延遲和安全性是至關重要。MR25H40VDF是一個419...
鐵電存儲器FRAM是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲器相比,FRAM不需要備用電池來保留數據,并且具有更高的讀/寫耐久性,更快...
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