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LiDAR系統(tǒng)利用GaN的堅韌

LiDAR 代表 Light Detection and Ranging，即通過光帶中的電磁輻射進行（遠程）檢測和測量。該設備應用了雷達的經(jīng)典而簡單的原...

2021-06-26 標簽：電磁輻射 GaN ADAS系統(tǒng) 3.3k 0

電機驅動中氮化鎵技術的應用前景

通過采用電子馬達驅動器或“電壓源逆變器”可實現(xiàn)對電機的增強型控制，此類驅動器通常會產生可變頻率和幅值的三相交流電來控制馬達的速度、扭矩和方向。驅動器采用...

2021-04-28 標簽：電機驅動功率器件氮化鎵 3k 0

利用GaN設計PFC整流器

傳統(tǒng)的升壓PFC僅使用一個有源開關，通常是650V超結Si MOSFET。當今，大多數(shù)常規(guī)開關電源都采用升壓PFC，從而充分利用其簡單性、低成本和可靠性...

2021-04-14 標簽：整流器元器件 GaN 3.7k 0

【當代材料電學測試】系列之四：寬禁帶材料測試

隨著電子電力的發(fā)展，功率器件的使用越來越多，SiC、GaN等被廣泛應用于射頻與超高壓等領域。

2021-03-26 標簽：萬用表 SiC GaN 1.4k 0

GaN Charger推薦方案- HGN093N12S/SL高頻應用MOSFET

選用本款HGN093N12S/SL產品，可以讓客戶提高整機效率，并且溫度也隨之下降，效率提升之外，整體表現(xiàn)與CP值都能有效提升。

2021-03-23 標簽：MOSFET MOS管氮化鎵 3.8k 0

納微專家談：氮化鎵GaN HEMT有體二極管嗎？

工程師于是感到非常困惑，GaN HEMT可以反向導通，那到底有還是沒有體二極管？

2021-03-15 標簽：二極管氮化鎵 GaN 1.2萬 0

GaN功率級設計的散熱注意事項

GaN FET 實現(xiàn)了高頻電源轉換器設計。憑借出色的開關特性和零反向恢復損耗，這種輕量級設計具有更高的功率密度和更小的尺寸。

2020-12-10 標簽：pcb 電路板電源轉換器 4.4k 0

消除GaN-on-GaN器件熱障的方法

GaN-HEMT以高效率提供高射頻輸出功率而聞名。由于這些特性，這類晶體管可以顯著改善微波到毫米波無線電通信和雷達系統(tǒng)的性能。這些HEMTs可用于氣象雷...

2020-11-29 標簽：GaN 器件 4.4k 0

相對于硅（Si）和碳化硅（SiC），GaN有哪些優(yōu)勢

最終的器件是額定電壓為650 V的FET，具有4 V的高閾值，小于15mΩ的導通電阻以及類似于單芯片的封裝。

2020-12-07 標簽：晶體管 SiC GaN 4.3k 0

基于GaN的PFC整流器及GaN無橋PFC拓撲、控制和性能

傳統(tǒng)的升壓PFC僅使用一個有源開關，通常是650V超結Si MOSFET。當今，大多數(shù)常規(guī)開關電源都采用升壓PFC，從而充分利用其簡單性、低成本和可靠性。

2021-03-09 標簽：PFC GaN PFC整流器 5.2k 0

深度解讀激光雷達系統(tǒng)設計的eToF激光驅動器系列

作者：Maurizio Di Paolo Emilio 高效功率轉換（EPC）宣布了用于激光雷達系統(tǒng)設計的eToF激光驅動器系列。新的氮化鎵（GaN）系...

2021-03-10 標簽：GaN 光學傳感器無人機 1.0萬 0

如何采用氮化鎵或GaN實現(xiàn)車輛電氣化

作者：Maurizio Di Paolo Emilio 汽車行業(yè)正經(jīng)歷著從內燃機（ICE）到全電動未來的巨變。VisIC Technologies的功率...

2021-03-19 標簽：電動汽車逆變器 GaN 6.1k 0

GaN-HEMT器件的動態(tài)R DSon值測量實驗分析

GaN（氮化鎵）器件由于具有諸如高開關速度，更高的功率密度和效率之類的能力而在設計電源轉換器時變得越來越流行[2]，[3]，但是GaN器件的一個缺點是電...

2021-03-22 標簽：功率轉換器測量電路 GaN 1.3萬 0

通過EPC的GaN EPC2032的電路設計實驗

GaN晶體管是新電源應用的理想選擇。它們具有較小的尺寸，非常高的運行速度并且非常高效。它們可用于輕松構建任何電力項目。在本教程中，我們將使用EPC的Ga...

2021-03-23 標簽：EPC GaN GaN晶體管 4.9k 0

SiC與石墨烯覆蓋層一起用于GaN膜的生長

氮化鎵（GaN）為從RF-IC到眾多功率控制IC（例如通信，能源和軍事應用中使用的大功率HEMT）等各種模擬微芯片提供了顯著的性能優(yōu)勢。GaN還是高能效...

2021-04-04 標簽：led SiC 氮化鎵 2.2k 0

GaN和SiC基功率半導體的寬帶隙技術

尋找硅替代物的研究始于上個世紀的最后二十年，當時研究人員和大學已經(jīng)對幾種寬帶隙材料進行了試驗，這些材料顯示出替代射頻，發(fā)光，傳感器和功率半導體的現(xiàn)有硅材...

2021-04-01 標簽：二極管功率器件 GaN 3.1k 0

GaN轉變充電器設計方案詳解

氮化鎵（GaN）開關技術使充電器和適配器的小型化取得了進步。與使用等效硅器件的電路相比，它允許開發(fā)可在高開關頻率下工作的轉換器。GaN減小了變壓器的尺寸...

2021-04-07 標簽：轉換器電源開關 AC-DC 4.9k 0

基于GaN的功率晶體管和集成電路硅分立功率器件

基于GaN的功率晶體管和集成電路的早期成功最初源于GaN與硅相比的速度優(yōu)勢。GaN-on-Si晶體管的開關速度比MOSFET快10倍，比IGBT快100倍。

2021-04-23 標簽：MOSFET 晶體管功率器件 5.7k 0

氮化鎵和Sslicon在各種性能指標上的比較

硅制造技術已經(jīng)足夠成熟，可以大規(guī)模生產直徑達18英寸的晶片，而GaN晶片仍在6英寸的晶片上制造。GaN制造的基底選擇范圍從硅或藍寶石基底（便宜但較大的晶...

2021-05-26 標簽：微處理器晶體管氮化鎵 2.3k 0

基于GaN芯片的電源轉換方案設計

作者：Alex Lidow，Michael de Rooij，Andreas Reiter 氮化鎵（GaN）功率器件已投入生產10多年，除了性能和成本方...

2021-05-26 標簽：功率器件氮化鎵 GaN 4k 0

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藍牙5是藍牙技術聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍牙標準。藍牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠的傳輸距離。藍牙5.0的開發(fā)人員稱，新版本的藍牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍牙5.0的另外一個重要改進是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍牙發(fā)射和接收設備之間的有效工作距離可達300米。
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