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?基于MASTERGAN1L的GaN半橋電源模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南
STMicroelectronics EVLMG1LPBRDR1基于GaN的半橋電源模塊配有MASTERGAN1L,其可快速創(chuàng)建拓?fù)?,無需完整的PCB設(shè)...
通過凹槽切斷柵極下方的2DEG,使得器件在零柵壓下為關(guān)斷狀態(tài)。當(dāng)正柵壓增至大于閾值電壓時(shí),將在柵界面處形成電子積累層以作為器件的導(dǎo)電溝道,器件呈導(dǎo)通狀態(tài)。
對(duì)于 GaN,中文名氮化鎵,我們實(shí)在是聽得太多了。 這要從近兩年充電器上的瘋狂內(nèi)卷開始說起。好像從某個(gè)時(shí)間點(diǎn)開始,一夜之間,GaN 就如雨后春筍般...
GaN 的普及根植于其高電源和高電壓功能。這些特性使其適用于許多應(yīng)用,包括微波射頻 (RF) 和功率開關(guān)應(yīng)用。
氮化鎵融資方面,今年融資數(shù)量最多的反倒是材料細(xì)分領(lǐng)域,相關(guān)材料企業(yè)有晶湛半導(dǎo)體、進(jìn)化半導(dǎo)體、鎵仁半導(dǎo)體。其中士蘭明鎵融資規(guī)模最大,達(dá)12億人民幣,投資方...
2024-01-10 標(biāo)簽:智能電網(wǎng)光伏SiC 664 0
云鎵大功率 GaN 產(chǎn)品 | 技術(shù)參數(shù)解讀 鈦金服務(wù)器電源 DEMO
云鎵半導(dǎo)體云鎵工業(yè)級(jí)GaN產(chǎn)品器件參數(shù)解讀&3kW服務(wù)器電源DEMO1.前言云鎵半導(dǎo)體在工業(yè)級(jí)GaN產(chǎn)品上不斷耕耘,推出系列化GaN功率器件以及...
絕緣與散熱:立山科學(xué)TWT系列在高壓高功率環(huán)境下的表現(xiàn)
作為日本立山科學(xué)株式會(huì)社的官方代理,深圳市智美行科技深知高壓、高功率密度應(yīng)用對(duì)溫度傳感器提出了雙重挑戰(zhàn):可靠的電氣隔離與高效的熱傳導(dǎo)。本文將深入探討TW...
SiC FET改進(jìn)和應(yīng)用程序挑戰(zhàn)
從人類的角度來看,幾代人過得很慢,在人們的記憶中,從“嬰兒潮一代”到X到千禧一代(Y?)和Z,現(xiàn)在奇怪的是“A”。我想他們只是用完了字母。然而,在半導(dǎo)體...
應(yīng)用指導(dǎo) | CGAN005: GaN FET SPICE model simulation
云鎵半導(dǎo)體應(yīng)用指導(dǎo)CGAN005:GaNFETSPICEmodel&simulation1.前言眾所周知,GaN功率器件具有傳統(tǒng)功率器件無可比擬...
650V 雙向E-mode GaN(MBDS) Buck型AC/AC轉(zhuǎn)換器評(píng)估板
云鎵半導(dǎo)體650V雙向E-modeGaN(MBDS)的應(yīng)用1.MBDS器件介紹云鎵半導(dǎo)體推出了650VE-modeGaN雙向器件MBDS(Monolit...
2026-02-05 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器GaN評(píng)估板 591 0
應(yīng)用指導(dǎo) | CGAN003: GaN switching behavior analysis
云鎵半導(dǎo)體應(yīng)用指導(dǎo)CGAN003:GaNswitchingbehavioranalysis眾所周知,GaN功率器件具有傳統(tǒng)功率器件無可比擬的性能優(yōu)勢(shì),如...
LMG3410R070RWHR高性能GaN功率器件產(chǎn)品型號(hào):LMG3410R070RWHR產(chǎn)品品牌:TI/德州儀器產(chǎn)品封裝:VQFN32產(chǎn)品功能:高性能...
應(yīng)用指導(dǎo) | CGAN004: GaN FET loss calculation (Boost converter)
云鎵半導(dǎo)體應(yīng)用指導(dǎo)CGAN004:GaNFETlosscalculation(Boostconverter)眾所周知,GaN功率器件具有傳統(tǒng)功率器件無可...
700V/1.6A單通道增強(qiáng)型GaN FET驅(qū)動(dòng)控制器參數(shù)與使用極限
概述: PC5012 是一款 700V、1.2Ω?的氮化鎵(GaN)功率場效應(yīng)晶體管(FET),集成了單通道低端驅(qū)動(dòng)器,專為高速應(yīng)用中的氮化鎵高電子遷移...
2026-03-11 標(biāo)簽:FET場效應(yīng)晶體管GaN 204 0
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