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載流子輸運(yùn)與復(fù)合模型數(shù)據(jù)庫(kù)在臺(tái)面二次刻蝕的Micro-LED中的應(yīng)用

Micro-LED顯示技術(shù)憑借高分辨、快響應(yīng)、長(zhǎng)壽命、低能耗等優(yōu)勢(shì)已應(yīng)用在智能手機(jī)、平板、電腦等高分辨率全彩顯示產(chǎn)品中，預(yù)計(jì)到2026年或?qū)⒛軒?lái)1.9...

2023-03-01 標(biāo)簽：led 芯片 Micro 1.5k 0

針對(duì)相控陣?yán)走_(dá)的緊湊型三芯片電源解決方案

Qorvo 新推出的芯片組優(yōu)化了相控陣系統(tǒng)中尺寸最大、成本最高的部件之一---脈沖儲(chǔ)能電容器。該解決方案采用創(chuàng)新型架構(gòu)，使電容減少 90%，系統(tǒng)體積縮小...

2023-02-28 標(biāo)簽：GaN 雷達(dá)系統(tǒng) 1.1k 0

CHA6282-QCB?GaN大功率放大器

UMS?CHA6282-QCB是款工作在17.3-21.5GHz頻率段三級(jí)GaN大功率放大器。CHA6282-QCB一般提供28%的功率額外效率相關(guān)聯(lián)的...

2023-02-28 標(biāo)簽：放大器 GaN UMS 589 0

晶能光電創(chuàng)新能力獲權(quán)威認(rèn)可通過(guò)國(guó)家企業(yè)技術(shù)中心認(rèn)定

? ? 近日，國(guó)家發(fā)改委、科技部、財(cái)政部、海關(guān)總署、稅務(wù)總局五部委聯(lián)合發(fā)文，公布第29批新認(rèn)定及全部國(guó)家企業(yè)技術(shù)中心名單，晶能光電被認(rèn)定為國(guó)家企業(yè)技術(shù)中...

2023-02-27 標(biāo)簽：led 發(fā)光二極管 GaN 827 0

2023年更多車(chē)企將SiC技術(shù)引入主逆變器

德州儀器、英飛凌、Microchip、Wolfspeed、安森美等廠商擴(kuò)產(chǎn)的另一大重點(diǎn)，則是模擬芯片。

2023-02-27 標(biāo)簽：逆變器功率器件 GaN 636 0

2023年第三代半導(dǎo)體GaN與SiC MOSFET的發(fā)展前景

2023-02-24 標(biāo)簽：MOSFET SiC GaN 1.8k 0

GaN放大器QPA4346D介紹

Custom?MMIC的QPA4346D是款高功率MMIC放大器，選用Qorvo制造的0.15um?GaN?on?SiC工藝技術(shù)(QGaN15)。QPA...

2023-02-24 標(biāo)簽：放大器 GaN 797 0

淺談氮化鎵晶格匹配的GaON納米層的形成機(jī)理

氮化鎵（GaN）是極具潛力的第三代半導(dǎo)體，廣泛應(yīng)用于功率器件、射頻器件及光電器件。然而GaN材料表面的脆弱性是阻礙GaN基器件發(fā)展的關(guān)鍵限制，特別是在器...

2023-02-23 標(biāo)簽：光電器件氮化鎵 GaN 1.1k 0

GaN如何幫助有線電視提供商找到平衡

在過(guò)去的 25 年里，砷化鎵 (GaAs)、GaN 混合體和單片微波集成電路 (MMIC) 等有線電視技術(shù)不斷進(jìn)步，擴(kuò)展帶寬并提高系統(tǒng)性能，以符合最新的...

2023-02-22 標(biāo)簽：集成電路光纖 GaN 1.9k 0

淺談帶驅(qū)動(dòng)的三基色Micro LED顯示模組

作為國(guó)家虛擬現(xiàn)實(shí)創(chuàng)新中心入局者，晶能光電利用自主創(chuàng)新的硅襯底GaN基LED技術(shù)，承擔(dān)硅襯底Micro LED的關(guān)鍵共性技術(shù)開(kāi)發(fā)。

2023-02-21 標(biāo)簽：GaN Micro LED AR眼鏡 1.1k 0

GaN價(jià)格及市場(chǎng)規(guī)模的發(fā)展趨勢(shì)

根據(jù)行家說(shuō) Research 數(shù)據(jù)顯示，2021年，全球GaN 功率器件營(yíng)收規(guī)模約為 1.66 億美元，其中消費(fèi)類電子市場(chǎng)為0.95億美元，通信與數(shù)據(jù)中...

2023-02-20 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 射頻器件 1.8k 0

半導(dǎo)體“黑科技”：氮化鎵

來(lái)源：《半導(dǎo)體芯科技》雜志12/1月刊近年來(lái)，芯片材料、設(shè)備以及制程工藝等技術(shù)不斷突破，在高壓、高溫、高頻應(yīng)用場(chǎng)景中第三代半導(dǎo)體材質(zhì)優(yōu)勢(shì)逐漸顯現(xiàn)。其中...

2023-02-17 標(biāo)簽：集成電路氮化鎵 GaN 4.5k 0

CHA7062-QCB高功率放大器

UMS?CHA7062-QCB是款兩級(jí)單片GaN功率放大器，在13-20GHz工作頻段內(nèi)展現(xiàn)5W飽和狀態(tài)輸出功率。 CHA7062-QCB具備17%的功...

2023-02-17 標(biāo)簽：放大器 GaN 627 0

氮化鎵在電力電子領(lǐng)域的意義

許多由氮化鎵（也稱為GaN）制成的的東西正在電力電子領(lǐng)域發(fā)生變化。今天，您可以購(gòu)買(mǎi)帶有足夠電量的小型USB-C充電器，它可以同時(shí)為您的筆記本電腦、手機(jī)和...

2023-02-08 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN USB-C 1.4k 0

氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體應(yīng)用場(chǎng)景及行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模分析

GaN功率器件包括SBD、常關(guān)型FET、級(jí)聯(lián)FET等產(chǎn)品，主要應(yīng)用于無(wú)線充電件、電源開(kāi)關(guān)、逆變器、交流器等領(lǐng)域。隨著技術(shù)水平的進(jìn)步與成本控制，GaN材料...

2023-02-08 標(biāo)簽：逆變器功率器件 GaN 4.1k 0

淺談SiC 和 GaN 的未來(lái)發(fā)展路線

SiC晶體管是天然的E型MOSFET。這些器件可在高達(dá)1 MHz的頻率下進(jìn)行開(kāi)關(guān)，其電壓和電流水平遠(yuǎn)高于硅MOSFET。

2023-02-06 標(biāo)簽：SiC GaN GaN晶體管 1.5k 0

氮化鎵對(duì)比普通充電器有哪些優(yōu)勢(shì)

氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)...

2023-02-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體發(fā)光二極管激光二極管 3.1k 0

第三代半導(dǎo)體材料與傳統(tǒng)硅材料相比，有什么優(yōu)勢(shì)

　　隨著碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等新材料在二極管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）和其他元件中的不斷應(yīng)用，電力電子行業(yè)的技術(shù)革命已經(jīng)開(kāi)始。這些新組...

2023-02-05 標(biāo)簽：MOSFET SiC GaN 3.7k 0

SiC和GaN功率電子器件的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

　　隨著硅接近其物理極限，電子制造商正在轉(zhuǎn)向非常規(guī)半導(dǎo)體材料，特別是寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。由于寬帶隙材料具有相對(duì)...

2023-02-05 標(biāo)簽：RF SiC GaN 1.9k 0

非極性氮化鎵基半導(dǎo)體研究

生長(zhǎng)在c面生長(zhǎng)表面上的c面氮化鎵基半導(dǎo)體層由于自發(fā)極化和壓電極化而產(chǎn)生內(nèi)電場(chǎng)，這降低了輻射復(fù)合率。為了防止這樣的極化現(xiàn)象，正在進(jìn)行對(duì)非極性或半極性氮化鎵...

2023-02-05 標(biāo)簽：發(fā)光二極管氮化鎵 GaN 4.8k 0

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藍(lán)牙5

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藍(lán)牙5是藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)。藍(lán)牙5比原來(lái)?yè)碛懈斓膫鬏斔俣?，更遠(yuǎn)的傳輸距離。藍(lán)牙5.0的開(kāi)發(fā)人員稱，新版本的藍(lán)牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍(lán)牙5.0的另外一個(gè)重要改進(jìn)是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍(lán)牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達(dá)300米。
Qorvo

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5G手機(jī)

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5G網(wǎng)絡(luò)作為最新一代的移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù)，相對(duì)4G而言，網(wǎng)速更快；5G手機(jī)是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機(jī)。相對(duì)4G手機(jī)，5G手機(jī)有更快的傳輸速度，低時(shí)延，通過(guò)網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù)，擁有更精準(zhǔn)的定位。
TWS

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自iphone7取消3.5mm插孔后藍(lán)牙耳機(jī)市場(chǎng)得到迅猛發(fā)展，藍(lán)牙耳機(jī)種類也層出不窮，TWS藍(lán)牙耳機(jī)兩耳掛不需要有線連接，一經(jīng)面世TWS無(wú)線藍(lán)牙耳機(jī)開(kāi)始大行其道。
智慧家庭

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智慧家庭是智慧城市的最小單元，是以家庭為載體，以家庭成員之間的親情為紐帶，結(jié)合物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)等新一代信息技術(shù)，實(shí)現(xiàn)低碳、健康、智能、舒適、安全和充滿關(guān)愛(ài)的家庭生活方式。
Keysight

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是德科技公司（Keysight，NYSE：KEYS）是全球領(lǐng)先的電子測(cè)量公司，通過(guò)在無(wú)線、模塊化和軟件解決方案等領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新，為您提供全新的測(cè)量體驗(yàn)。
智能工業(yè)

智能工業(yè)

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　　智能工業(yè)：是將具有環(huán)境感知能力的各類終端、基于泛在技術(shù)的計(jì)算模式、移動(dòng)通信等不斷融入到工業(yè)生產(chǎn)的各個(gè)環(huán)節(jié)，大幅提高制造效率，改善產(chǎn)品質(zhì)量，降低產(chǎn)品成本和資源消耗，將傳統(tǒng)工業(yè)提升到智能化的新階段。
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nRF52832

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無(wú)線收發(fā)模塊

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無(wú)線收發(fā)模塊JF24D整合了高頻鍵控（GFSK）收發(fā)電路的功能，以特小體積更低成本實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓δ堋F24D的傳輸速率為1M，具有81個(gè)通道可任意設(shè)置而互不干擾?？稍趽頂D的ISM 頻段中達(dá)到穩(wěn)定可靠的短距離數(shù)據(jù)傳輸。
太赫茲

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太赫茲是一種新的、有很多獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)的輻射源；太赫茲技術(shù)是一個(gè)非常重要的交叉前沿領(lǐng)域，給技術(shù)創(chuàng)新、國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展和國(guó)家安全提供了一個(gè)非常誘人的機(jī)遇可能引發(fā)科學(xué)技術(shù)的革命性發(fā)展。
三星公司

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三星集團(tuán)是韓國(guó)最大的企業(yè)集團(tuán)，包括85個(gè)下屬公司及若干其他法人機(jī)構(gòu)，在近70個(gè)國(guó)家和地區(qū)建立了近300個(gè)法人及辦事處，員工總數(shù)20余萬(wàn)人，業(yè)務(wù)涉及電子、金融、機(jī)械、化學(xué)等眾多領(lǐng)域。
藍(lán)牙5.0

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藍(lán)牙5.0是由藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟在2016年提出的藍(lán)牙技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，藍(lán)牙5.0針對(duì)低功耗設(shè)備速度有相應(yīng)提升和優(yōu)化，藍(lán)牙5.0結(jié)合wifi對(duì)室內(nèi)位置進(jìn)行輔助定位，提高傳輸速度，增加有效工作距離。
Elektron

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樂(lè)鑫

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樂(lè)鑫信息科技（上海）有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 總部位于上海張江高科技園區(qū)，是一家先進(jìn)、專業(yè)的無(wú)晶圓半導(dǎo)體公司，致力于研發(fā)設(shè)計(jì)低功耗的 Wi-Fi 和藍(lán)牙系統(tǒng)級(jí)芯片，提供移動(dòng)通訊和物聯(lián)網(wǎng)解決方案。
WiGig

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WiGig（Wireless Gigabit，無(wú)線千兆比特）是一種更快的短距離無(wú)線技術(shù)，可用于在家中快速傳輸大型文件。
KeyStone

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lorawan

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LoRaWAN基于LoRa遠(yuǎn)距離通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)的一套通訊協(xié)議和系統(tǒng)架構(gòu)，如果按協(xié)議分層來(lái)說(shuō)LoRaWAN就是MAC層，LoRa是物理層。
5G毫米波

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5G毫米波技術(shù)是5G應(yīng)用中一項(xiàng)重要的基礎(chǔ)技術(shù)，毫米波指的是一種特殊電磁波，波長(zhǎng)為1毫米到10毫米，波動(dòng)頻率為30GHz-300GHz。相對(duì)于6GHz以下的頻段，毫米波具有大帶寬、低空口時(shí)延和靈活彈性空口配置等獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，可滿足未來(lái)無(wú)線通信對(duì)系統(tǒng)容量、傳輸速率和差異化應(yīng)用等方面的需求。
802.11ax

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JN5168

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ZigBee3.0

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貼片天線

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射頻元件

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無(wú)線設(shè)備

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無(wú)線設(shè)備一般指無(wú)線電通信設(shè)備艦艇上利用無(wú)線電波傳輸信息的設(shè)備。主要用于艦艇對(duì)外通信，是進(jìn)行遠(yuǎn)距離通信的唯一手段。由發(fā)信機(jī)、收信機(jī)、天線、饋線和相應(yīng)的終端設(shè)備構(gòu)成。
LoRa技術(shù)

LoRa技術(shù)

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LoRa是一種線性調(diào)頻擴(kuò)頻調(diào)制技術(shù)，它的全稱為遠(yuǎn)距離無(wú)線電（Long Range Radio），因其傳輸距離遠(yuǎn)、低功耗、組網(wǎng)靈活等諸多優(yōu)勢(shì)特性都與物聯(lián)網(wǎng)碎片化、低成本、大連接的需求不謀而合，故而被廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)各個(gè)垂直行業(yè)中。
LTE-Advanced

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超外差接收機(jī)

超外差接收機(jī)

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　　超外差接收機(jī)是利用本地產(chǎn)生的振蕩波與輸入信號(hào)混頻，將輸入信號(hào)頻率變換為某個(gè)預(yù)先確定的頻率的方法。
藍(lán)牙m(xù)esh

藍(lán)牙m(xù)esh

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藍(lán)牙Mesh是基于ble廣播進(jìn)行消息傳遞的一種藍(lán)牙組網(wǎng)通訊網(wǎng)絡(luò)，是一種采用網(wǎng)絡(luò)洪泛的方式無(wú)中心、無(wú)路由的對(duì)等網(wǎng)絡(luò)。以實(shí)現(xiàn)藍(lán)牙設(shè)備與藍(lán)牙設(shè)備之間的多對(duì)多通訊，使藍(lán)牙在物聯(lián)網(wǎng)智能家居領(lǐng)域具有很大的優(yōu)勢(shì)。
HBT

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　hbt為深圳市先亞進(jìn)出口有限公司旗下所設(shè)的企業(yè)展示主站與銷售平臺(tái)網(wǎng)站“合寶堂”的英文簡(jiǎn)稱。英文全稱為“herbtown”，中文名為“合寶堂”。什么是 HBT（heterojunction bipolar transistor）一種由砷化鎵（GaAs）層和鋁鎵砷（AlGaAs）層構(gòu)成的雙極晶體管。

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