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5G時代,氮化鎵充電器成為手機平板筆記本的標(biāo)配及最好選擇
如果說2019年是5G元年,那么2020就是5G的正式商用之年。5G手機越來越多,5G已經(jīng)逐漸進(jìn)入了我們的日常生活,5G時代已經(jīng)到來了。
號稱“氮化鎵龍頭企業(yè)”,英飛凌完成 8.3 億美元收購 GaN Systems 公司
?10 月 25 日消息,英飛凌科技于 2023 年 10 月 24 日宣布完成收購氮化鎵系統(tǒng)公司(GaN Systems),并號稱“成為領(lǐng)先的氮化鎵龍...
富士通半導(dǎo)體推出耐壓150V的GaN功率器件產(chǎn)品
今天,富士通半導(dǎo)體宣布推出基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A,該芯片可耐壓150V。用戶可設(shè)計出體積更小、效率更高電源組件,可廣...
對硅替代品的探索始于上個世紀(jì)的最后二十年,當(dāng)時研究人員和大學(xué)對幾種寬帶隙材料進(jìn)行了試驗,這些材料顯示出在射頻、發(fā)光、傳感器和功率半導(dǎo)體等領(lǐng)域替代現(xiàn)有硅材...
意法半導(dǎo)體GaN驅(qū)動器集成電流隔離功能 具有卓越的安全性和可靠性
近日,意法半導(dǎo)體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅(qū)動器,新產(chǎn)品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸,降低了物料清單成本,能夠滿足應(yīng)...
2023-09-12 標(biāo)簽:驅(qū)動器意法半導(dǎo)體氮化鎵 1.4k 0
了解更多方案細(xì)節(jié),歡迎您訪問官網(wǎng)(Neurocle | 友思特 機器視覺 光電檢測 ) 導(dǎo)讀 深度學(xué)習(xí)模型幫助工業(yè)生產(chǎn)實現(xiàn)更加精確的缺陷檢測,但其準(zhǔn)確性...
中瓷電子:電動汽車主驅(qū)用大功率MOSFET產(chǎn)品主要面向比亞迪
近日,中瓷電子在接受機構(gòu)調(diào)研時表示,國聯(lián)萬眾公司電動汽車主驅(qū)用大功率MOSFET產(chǎn)品主要面向比亞迪,其他客戶也在密接接觸、合作協(xié)商、送樣驗證等階段中,出...
本文介紹了影響 Tell-i 開發(fā)的非侵入式非接觸式電流傳感器測量的三種不同設(shè)計。該轉(zhuǎn)換器是具有 120VDC 輸入的 6.7MHz 兩相 DC/DC ...
2022-07-25 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器GaN電流傳感器 1.4k 0
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 3月22日,九峰山實驗室首次公布了GaN相關(guān)的研究成果,包括國際首創(chuàng)8英寸硅基氮極性氮化鎵襯底(N-polar GaNOI);全國...
2025-03-25 標(biāo)簽:GaN 1.4k 0
ST 65W GaN變換器VIPerGaN65D 低成本節(jié)省空間的電源方案
VIPerGaN65D 目標(biāo)應(yīng)用鎖定快充、適配器和家電電源 意法半導(dǎo)體的VIPerGaN65D反激式轉(zhuǎn)換器采用SOIC16封裝,可以用于設(shè)計體積較小的高...
2025-04-01 標(biāo)簽:ST變換器反激式轉(zhuǎn)換器 1.4k 0
Porotech是英國劍橋大學(xué)的子公司,正在開發(fā)基于氮化鎵(GaN)的microLED技術(shù),用于AR微顯示器。
2024-01-10 標(biāo)簽:氮化鎵GaN可穿戴設(shè)備 1.4k 0
Ganvix與BluGlass合作開發(fā)基于GaN的綠光VCSEL
與此同時,總部位于澳大利亞的BluGlass正在開發(fā)一種稱為遠(yuǎn)程等離子體化學(xué)氣相沉積(RPCVD)的新型沉積技術(shù),其不同于金屬有機化學(xué)氣相沉積(MOCV...
偉詮電在氮化鎵(GaN)快充市場迎來了新的機遇,因為日本集成設(shè)備制造商(IDM)瑞薩公司近期宣布成功收購美國GaN廠商Transphorm。這對偉詮電來...
安森美與Transphorm合作提供基于GaN的電源系統(tǒng)方案
2014年9月26日 – 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ONNN)與功率轉(zhuǎn)換專家Transpho...
2014-09-26 標(biāo)簽:GaN安森美公司Transphorm公司 1.4k 0
薩瑞微電子SiC 和 GaN賦能AI服務(wù)器電源系統(tǒng)
01AI服務(wù)器電源的核心挑戰(zhàn)與技術(shù)需求超高功率密度:單機架功率已從傳統(tǒng)服務(wù)器的數(shù)千瓦提升至數(shù)十千瓦(如英偉達(dá)DGX-2需10kW,未來GB300芯片預(yù)計...
華潤微電子(重慶)有限公司GaN基HEMT器件及制作方法專利公布
此項發(fā)明主要涉及在襯底上構(gòu)建外延疊層,并在此基礎(chǔ)上制備柵極、漏極和源極;同時,在器件有源區(qū)周圍形成屏蔽環(huán)層,并利用第一和第二金屬互連層將襯底與源極連接起來。
Anker “智控桌面充管家”再添雙星!鎵未來GaN賦能極簡美學(xué)新視界
GaNext助力|極簡桌面生活 當(dāng)桌面充電邁入“高效與美學(xué)并存”的時代,鎵未來以尖端氮化鎵技術(shù)再次引領(lǐng)革新。近日,我們攜手全球消費電子巨頭 Anker,...
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