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GaN HEMT開關(guān)過程中振蕩機制與驅(qū)動設(shè)計考量

增強型GaN HEMT具有開關(guān)速度快、導(dǎo)通電阻低、功率密度高等特點，正廣泛應(yīng)用于高頻、高效率的電源轉(zhuǎn)換和射頻電路中。但由于其柵極電容小，柵極閾值電壓低（...

2025-08-08 標(biāo)簽：驅(qū)動器 GaN HEMT 3.2k 0

基于GaN單晶N極性HEMT器件

這是NEDO關(guān)于“加強后5G信息通信系統(tǒng)基礎(chǔ)設(shè)施研究開發(fā)項目”的成果。2020年6月，NEDO發(fā)布了該決定，并計劃讓住友電工從事高頻器件高功率、小型化技...

2022-11-23 標(biāo)簽：GaN 毫米波 HEMT 3.2k 0

改善GaN HEMT功率器件的短路耐受時間

在本文中，我們將討論氮化鎵 (GaN) HEMT 功率器件中的一個關(guān)鍵參數(shù)，即短路耐受時間 (SCWT)。

2024-05-09 標(biāo)簽：功率器件 GaN HEMT 2.5k 0

Si/SiC和GaN HEMT器件的結(jié)構(gòu)比較！

碳化硅（SiC）技術(shù)改進了各種應(yīng)用中的多個系統(tǒng)和子系統(tǒng)組件。與硅相比，碳化硅通過更快的開關(guān)、在整個溫度范圍內(nèi)的平坦RDS（on）和更好的體二極管性能表現(xiàn)...

2023-02-24 標(biāo)簽：晶體管 SiC GaN 2.3k 0

AlN鈍化器件電流崩塌分析

本研究采用PEALD沉積AlN材料作柵絕緣層的同時，利用其作為器件表面鈍化層材料，本節(jié)即采用脈沖測試方法研究了PEALD沉積AlN鈍化器件的電流崩塌特性...

2023-02-14 標(biāo)簽：微波 GaN HEMT 2.2k 0

基于AlN單晶襯底的AlGaN溝道型MOSHFET最新進展

近期，美國南卡羅來納大學(xué)報道了在AlN單晶襯底上通過MOCVD生長的Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金屬氧化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶...

2023-05-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體充電器晶體管 2.1k 0

用于高分辨率激光雷達的氮化鎵HEMT電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

激光雷達（LiDAR）基于通過將光束照射到物體上并準(zhǔn)確測量反射的飛行時間來估算距離的原理。通過將發(fā)射光掃過真實世界的場景，可以收集三維信息以供計算機系統(tǒng)...

2023-05-06 標(biāo)簽：拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)氮化鎵激光雷達 1.8k 0

高速GaN E-HEMT的測量技巧方案免費下載

高速GaN E-HEMT的測量技巧總結(jié) 一、概述 ? 重要性 ?：GaN E-HEMT（氮化鎵增強型高電子遷移率晶體管）具有極高的開關(guān)速度，因此準(zhǔn)確的測...

2025-02-27 標(biāo)簽：測量 GaN HEMT 1.4k 0

GNE1040TB柵極耐壓高達8V的150V GaN HEMT數(shù)據(jù)手冊

GNE1040TB是柵極耐壓高達8V的150V GaNHEMT。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列，該系列產(chǎn)品通過更大程度地激發(fā)低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)性能，助力...

2025-03-07 標(biāo)簽：GaN HEMT DFN封裝 1.4k 1

GaN HEMT憑什么贏得市場青睞

硅基半導(dǎo)體經(jīng)過多年發(fā)展，其性能逐漸接近極限，在進一步降本增效的背景下，第三代寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵功率器件GaN HEMT被寄予厚望。

2025-02-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件氮化鎵 1.2k 0

HMC772LC4低噪聲放大器技術(shù)手冊

HMC772LC4 是一款 GaAs MMIC HEMT 低噪聲寬帶放大器，工作頻率范圍為 2 至 12 GHz。該放大器提供 15 dB 增益、高達 ...

2025-03-21 標(biāo)簽：放大器 GaAs HEMT 1.2k 0

GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊

GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT，實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM 。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品，利用該系列產(chǎn)品低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)的...

2025-03-07 標(biāo)簽：GaN 數(shù)據(jù)手冊 HEMT 1.1k 0

GNE1008TB 150V GaN HEMT 封裝DFN5060 數(shù)據(jù)手冊

GNE1008TB 是一款具有 8V 柵極電壓的 150V GaNHEMT，屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品，利用該系列產(chǎn)品的低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)的特性，有助...

2025-03-07 標(biāo)簽：GaN 數(shù)據(jù)手冊 HEMT 1.1k 0

微波GaN HEMT 技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)

報告內(nèi)容包含：微帶WBG MMIC工藝 GaN HEMT 結(jié)構(gòu)的生長 GaN HEMT 技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)

2023-12-14 標(biāo)簽：微波 GaN HEMT 1.1k 0

BM3G005MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數(shù)據(jù)手冊

本產(chǎn)品是面向工業(yè)設(shè)備市場的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，是適用于這些應(yīng)用場景的最佳產(chǎn)品。BM3G005MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統(tǒng)提供了最優(yōu)解決方案。...

2025-03-09 標(biāo)簽：IC GaN 數(shù)據(jù)手冊 1.1k 0

BM3G115MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數(shù)據(jù)手冊

該產(chǎn)品是工業(yè)設(shè)備市場的一流產(chǎn)品。這是在這些應(yīng)用中使用的最佳產(chǎn)品。BM3G115MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統(tǒng)提供了最佳解決方案。通過...

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BM3G107MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數(shù)據(jù)手冊

本產(chǎn)品是面向工業(yè)設(shè)備市場的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，是這些應(yīng)用場景的理想之選。BM3G107MUV-LB為所有需要高功率密度和高效率的電子系統(tǒng)提供了最佳解決方案。通過將...

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BM3G015MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數(shù)據(jù)手冊

該產(chǎn)品是保證在工業(yè)市場長期供應(yīng)的產(chǎn)品。BM3G015MUV-LB非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。通過將650V增強型GaN HEMT和S...

2025-03-09 標(biāo)簽：GaN 數(shù)據(jù)手冊 HEMT 956 0

GNP1150TCA-Z 650V GaN HEMT 數(shù)據(jù)手冊

GNP1150TCA-Z是一款650V GaN HEMT，實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)出色的FOM。該產(chǎn)品屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品，利用該系列產(chǎn)品低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)的...

2025-03-07 標(biāo)簽：GaN 數(shù)據(jù)手冊 HEMT 931 0

BM3G007MUV-LB 650V GaN HEMT 功率級IC數(shù)據(jù)手冊

該產(chǎn)品是保證在工業(yè)市場長期供應(yīng)的產(chǎn)品。BM3G007MUV-LB非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。通過將650V增強型GaNHEMT和Si...

2025-03-09 標(biāo)簽：GaN 數(shù)據(jù)手冊 HEMT 870 0

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加速度傳感器是一種能夠測量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
OBD

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OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫，中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個系統(tǒng)隨時監(jiān)控發(fā)動機的運行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài)，一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況，會馬上發(fā)出警示。
傅里葉變換

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盡管最初傅里葉分析是作為熱過程的解析分析的工具，但是其思想方法仍然具有典型的還原論和分析主義的特征?！叭我狻钡暮瘮?shù)通過一定的分解，都能夠表示為正弦函數(shù)的線性組合的形式，而正弦函數(shù)在物理上是被充分研究而相對簡單的函數(shù)類，這一想法跟化學(xué)上的原子論想法何其相似！
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角度傳感器，顧名思義，是用來檢測角度的。它的身體中有一個孔，可以配合樂高的軸。當(dāng)連結(jié)到RCX上時，軸每轉(zhuǎn)過1/16圈，角度傳感器就會計數(shù)一次。
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DMD是一種整合的微機電上層結(jié)構(gòu)電路單元，利用COMS SRAM記憶晶胞所制成。DMD上層結(jié)構(gòu)的制造是從完整CMOS內(nèi)存電路開始，再透過光罩層的使用，制造出鋁金屬層和硬化光阻層交替的上層結(jié)構(gòu)
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ov7620是一款CMOS攝像頭器件，是彩色CMOS型圖像采集集成芯片，提供高性能的單一小體積封裝，該器件分辨率可以達到640X480，傳輸速率可以達到30幀。
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HCS12X系列單片機簡介 Freescale 公司的16位單片機主要分為HC12 、HCS12、HCS12X三個系列。HC12核心是16位高速CPU12核，總線速度8MHZ；HCS12系列單片機以速度更快的CPU12內(nèi)核為核心，簡稱S12系列，典型的S12總線速度可以達到25MHZ。
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干擾器有多種類型，如GPS干擾器是適用于長途客車司機以及一些不想被GPS信號追蹤到的人群的一個機器，手機信號干擾器主要針對各類考場、學(xué)校、加油站、教堂、法庭、圖書館、會議中心（室）、影劇院、醫(yī)院、政府、金融、監(jiān)獄、公安、軍事重地等禁止使用手機的場所。
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采用彈性敏感元件制成懸臂式位移器，與采用彈性敏感元件制成的儲能彈簧來驅(qū)動電觸點，完成從重力變化到電信號的轉(zhuǎn)換，廣泛應(yīng)用在中高端智能手機和平板電腦內(nèi)。
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無刷直流電機由電動機主體和驅(qū)動器組成，是一種典型的機電一體化產(chǎn)品。無刷電機是指無電刷和換向器（或集電環(huán)）的電機，又稱無換向器電機。早在十九紀(jì)誕生電機的時候，產(chǎn)生的實用性電機就是無刷形式，即交流鼠籠式異步電動機，這種電動機得到了廣泛的應(yīng)用。
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聲紋識別，生物識別技術(shù)的一種，也稱為說話人識別，包括說話人辨認(rèn)和說話人確認(rèn)。聲紋識別就是把聲信號轉(zhuǎn)換成電信號，再用計算機進行識別。不同的任務(wù)和應(yīng)用會使用不同的聲紋識別技術(shù)，如縮小刑偵范圍時可能需要辨認(rèn)技術(shù)，而銀行交易時則需要確認(rèn)技術(shù)。
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buck是降壓型電路，boost是升壓型電路，可以分開單獨使用，buck-boost電路就是把2種電路合在一起，可升可降。buck-boost拓?fù)潆娐房梢詫崿F(xiàn)升降壓功能，常見的buck-boost電路有兩種，第一種是輸入與輸出電壓極性相反，只需采用一個開關(guān)管和二極管。另外一種是采用兩個開關(guān)管和兩個二極管，可實現(xiàn)同極性電壓升降壓功能。
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所謂識別技術(shù)，也稱為自動識別技術(shù)，通過被識別物體與識別裝置之間的交互自動獲取被識別物體的相關(guān)信息，并提供給計算機系統(tǒng)供進一步處理。
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電磁繼電器是一種電子控制器件，它具有控制系統(tǒng)（又稱輸入回路）和被控制系統(tǒng)（又稱輸出回路），通常應(yīng)用于自動控制電路中，它實際上是用較小的電流、較低的電壓去控制較大電流、較高的電壓的一種“自動開關(guān)”。故在電路中起著自動調(diào)節(jié)、安全保護、轉(zhuǎn)換電路等作用。
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