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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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MOS晶體管是MOSFET,中文全稱(chēng)為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,稱(chēng)為金氧半場(chǎng)效應(yīng)晶體管(gold oxygen half field effe...
IGBT驅(qū)動(dòng)優(yōu)化的底層邏輯是什么
——驅(qū)動(dòng)優(yōu)化的底層邏輯是什么?
2022-04-29 標(biāo)簽:電流IGBT驅(qū)動(dòng)芯片 4.1k 0
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)吸收電容的原理是一個(gè)復(fù)雜而重要的概念,它涉及到IGBT...
在電子電路中,MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常使用,它們都可以作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)使用,MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似,為什么有些電路中使用MOS管...
針對(duì)汽車(chē) IGBT 模塊的主要失效原理和引線鍵合壽命短板,結(jié)合仿真分析進(jìn)行了功率循環(huán)試驗(yàn)設(shè)計(jì),結(jié)溫差 ΔTj 和流經(jīng)鍵合線的電流 IC 是影響鍵合點(diǎn)壽命...
2023-08-08 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)模塊仿真 4.1k 0
IGBT芯片與芯片的電極端子間,IGBT芯片電極端子與二極管芯片間,芯片電極端子與絕緣襯板間一般通過(guò)引線鍵合技術(shù)進(jìn)行電氣連接。
IR Gen8 1200V IGBT技術(shù)平臺(tái)為工業(yè)應(yīng)用提升效率及耐用性
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出新一代絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 技術(shù)平臺(tái)。全新第八代 (Gen8...
如何通過(guò)熱敏電阻計(jì)算IGBT的結(jié)溫
IGBT模塊中通常都會(huì)在陶瓷基板(DBC)上設(shè)有熱敏電阻(NTC或PTC,由于NTC較為常用,以下統(tǒng)稱(chēng)NTC)用于溫度檢測(cè),如圖1所示。在實(shí)際應(yīng)用中,工...
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—PIN&MOS模型(1)
分析IGBT,一般可以采用兩種模型,一種是簡(jiǎn)化的“PIN+MOS”模型,一種是更切合實(shí)際的“PNP+MOS”模型,前者邏輯分析簡(jiǎn)單
淺析功率半導(dǎo)體IGBT及SiC技術(shù)的相關(guān)知識(shí)
電力電子技術(shù)在新能源汽車(chē)中應(yīng)用廣泛,是汽車(chē)動(dòng)力總成系統(tǒng)高效、快速、穩(wěn)定、安全能量變換的基礎(chǔ)。
2024-03-21 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)IGBT電機(jī)控制器 4.1k 0
如何選擇能代換FGH60N60SMD的型號(hào)參數(shù)的IGBT單管來(lái)應(yīng)用呢?
在整個(gè)光伏逆變器的開(kāi)發(fā)中,單相組串式光伏逆變器的前級(jí)升壓通常采用高效的升壓轉(zhuǎn)換器,如Boost轉(zhuǎn)換器或SEPIC轉(zhuǎn)換器等,以提高電路效率和穩(wěn)定性。
2023-04-18 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器IGBT快恢復(fù)二極管 4.1k 0
電動(dòng)汽車(chē)驅(qū)動(dòng)電機(jī)控制器基本結(jié)構(gòu)可分為:殼體、高低壓連接器、電子控制元件、電氣控制元件、電氣功率元件。 電氣功率元件主要為IGBT集成功率模塊,是電氣控制...
2023-07-28 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)IGBT功率 4.1k 0
如何評(píng)估IGBT模塊的損耗與結(jié)溫?英飛凌官網(wǎng)在線仿真工具IPOSIM,是IGBT模塊在選型階段的重要參考。這篇文章將針對(duì)IPOSIM仿真中的散熱器熱阻參...
電機(jī)控制器由于原來(lái)通過(guò)逆變橋調(diào)制輸出正弦波來(lái)驅(qū)動(dòng)電機(jī)的設(shè)備,變成了多種功能的集合體。集成式電機(jī)控制器包括:①配電回路:為集成控制器各部分提供配電,如TM...
淺談大功率電壓型逆變器新型組合式IGBT過(guò)流保護(hù)方案
在工業(yè)應(yīng)用中,一般都是利用這些瞬時(shí)過(guò)電流保護(hù)信號(hào),通過(guò)觸發(fā)器時(shí)序邏輯電路的記憶功能,構(gòu)成記憶鎖定保護(hù)電路,以避免保護(hù)電路在過(guò)流時(shí)的頻繁動(dòng)作,實(shí)現(xiàn)可取的過(guò)...
IGBT在電動(dòng)汽車(chē)逆變器中的應(yīng)用
IGBT模塊在電動(dòng)汽車(chē)中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用,是電動(dòng)汽車(chē)及充電樁等設(shè)備的核心技術(shù)部件。IGBT模塊占電動(dòng)汽車(chē)成本將近10%,占充電樁成本約20%。
2022-09-22 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)逆變器IGBT 4k 0
IGBT結(jié)溫是功率電子器件最重要的參數(shù)之一,器件在運(yùn)行中測(cè)量此溫度是非常困難的。一個(gè)方法是通過(guò)使用IGBT模塊內(nèi)部的NTC(熱敏電阻)近似估計(jì)芯片穩(wěn)定工...
IGBT中的若干PN結(jié)—PNPN結(jié)構(gòu)介紹
在前文的PNP結(jié)構(gòu)中,我們描述了一種現(xiàn)象,如果IGBT中的兩個(gè)BJT都處于工作狀態(tài),那么就會(huì)發(fā)生失控,產(chǎn)生latch-up現(xiàn)象。
IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)
前面我們也聊到過(guò)IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),雖然今天聊的可能有些重復(fù),但是感覺(jué)人到中年,最討厭的就是記憶力不夠用,就當(dāng)回顧和加重記憶吧。
2023-04-06 標(biāo)簽:IGBT柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì) 4k 0
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