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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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IGBT的終端耐壓結(jié)構(gòu)—柱面結(jié)和球面結(jié)的耐壓差異(2)
下面我們?cè)俜治鲆幌虑蛎娼Y(jié)的雪崩電壓。首先對(duì)(7-17)從PN結(jié)邊界到耗盡區(qū)圖片積分,結(jié)果如下,
【導(dǎo)讀】與大多數(shù)功率半導(dǎo)體相比,IGBT 通常需要更復(fù)雜的一組計(jì)算來確定芯片溫度。 這是因?yàn)榇蠖鄶?shù) IGBT 都采用一體式封裝,同一封裝中同時(shí)包含 IG...
電驅(qū)逆變器模塊連續(xù)工作測(cè)溫系統(tǒng)的開發(fā)步驟和過程
摘要 本文提出一個(gè)用尺寸緊湊、高成本效益的DC/AC逆變器分析碳化硅功率模塊內(nèi)并聯(lián)裸片之間的熱失衡問題的解決方案,該分析方法是采用紅外熱像儀直接測(cè)量每顆...
浮思特 | SiC MOSFET 如何重塑電動(dòng)車熱泵空調(diào),替代IGBT的核心優(yōu)勢(shì)
在新能源汽車行業(yè),冬季續(xù)航縮水、低溫制熱效率低一直是用戶關(guān)注的核心痛點(diǎn)。而熱泵空調(diào)作為解決這一問題的關(guān)鍵配置,其性能表現(xiàn)直接取決于核心部件——壓縮機(jī)控制...
2025-11-07 標(biāo)簽:電動(dòng)車IGBTSiC MOSFET 1.8k 0
以雙極性方式驅(qū)動(dòng)單極柵極驅(qū)動(dòng)器
如果特定功率器件需要正極和負(fù)柵極驅(qū)動(dòng),電路設(shè)計(jì)人員無需尋找專門處理雙極性操作的特殊柵極驅(qū)動(dòng)器。使用這個(gè)簡(jiǎn)單的技巧使單極性柵極驅(qū)動(dòng)器提供雙極性電壓!
2023-02-16 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 1.8k 0
功率器件中銀燒結(jié)技術(shù)的應(yīng)用解析:以SiC與IGBT為例
隨著電力電子技術(shù)向高頻、高效、高功率密度方向發(fā)展,碳化硅(SiC)和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等功率器件在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。在這些功率器件的封裝...
IGBT中的若干PN結(jié)—PNP結(jié)構(gòu)(2)
IGBT中存在如圖所示的兩個(gè)寄生BJT,BJT_1為NPN型,BJT_2為PNP型,我們來看看這兩個(gè)寄生BJT的電流增益有多大。
?基于Vishay VOFD341A光耦驅(qū)動(dòng)器的技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Vishay Semiconductors VOFD341A IGBT和MOSFET驅(qū)動(dòng)器是采用加長(zhǎng)SO-6封裝的緊湊型、快速開關(guān)IGBT和MOSFET...
2025-11-11 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 1.8k 0
新潔能NCE20TD60B IGBT:高性能600V/20A功率開關(guān)
在電力電子領(lǐng)域,功率器件的選擇直接影響著整機(jī)效率、可靠性和成本。新潔能(NCE)推出的NCE20TD60B是一款600V/20A的溝槽柵場(chǎng)截止型(Tre...
2026-03-06 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT功率器件 1.8k 0
ADuM4138具有隔離式反激控制器的高電壓隔離式IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè)
ADuM4138 是一款已針對(duì)絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 驅(qū)動(dòng)進(jìn)行優(yōu)化的單通道柵極驅(qū)動(dòng)器。ADI 公司的 **i**Coupler^?^ 技術(shù)在輸...
2025-05-30 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 1.8k 0
IGBT IPM結(jié)合了IGBT的高效能和高電流承載能力以及IPM的智能化控制與保護(hù)特性,其優(yōu)點(diǎn)可以總結(jié)如下: 集成度高: IGBT IPM將多個(gè)IGBT...
針對(duì)IGBT和MOSFET可再生能源應(yīng)用的35V、單通道柵極驅(qū)動(dòng)器
對(duì)電能轉(zhuǎn)換而言,可再生能源電子細(xì)分市場(chǎng)是一個(gè)復(fù)雜且多樣化的競(jìng)技場(chǎng)。在一些負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用中,開關(guān)型功率轉(zhuǎn)換器通常為非隔離式,功率水平相當(dāng)?shù)停ā?00 W),并...
2013-04-19 標(biāo)簽:MOSFETIGBT柵極驅(qū)動(dòng)器 1.8k 0
IGBT的物理結(jié)構(gòu)模型—BJT&MOS模型(2)
上一章講到了IGBT的飽和電流,與MOS的飽和電流之間存在圖片的倍數(shù)關(guān)系,這使得IGBT飽和電流比MOS大很多。
IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成,個(gè)芯片之間通過鋁導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中,單個(gè)IGBT還會(huì)并有續(xù)流二極管,接著在芯片上方灌以...
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的核心元件,廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、新能源發(fā)電、變頻器和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域。IGBT在工作過程中會(huì)產(chǎn)生大量的...
今天給兄弟們分享一個(gè)infineon的文檔《使用功率MOSFET進(jìn)行設(shè)計(jì),如何避免常見問題和故障模式》,依然是我覺得比較好的。
IGBT7與IGBT4在伺服驅(qū)動(dòng)器中的對(duì)比測(cè)試
IGBT7與IGBT4在伺服驅(qū)動(dòng)器中的對(duì)比測(cè)試
2023-12-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT伺服驅(qū)動(dòng)器 1.7k 0
本章將介紹部分SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例。其中也包括一些以前的信息和原型級(jí)別的內(nèi)容,總之希望通過這些介紹能幫助大家認(rèn)識(shí)采用SiC-MOSFET的好處...
2023-02-08 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETIGBT 1.7k 0
升華感應(yīng)電源采用逆變PWM調(diào)功控制方案
并聯(lián)諧振感應(yīng)加熱電源功率控制方式有三種:整流移相調(diào)壓調(diào)功、直流斬波調(diào)功、逆變PWM調(diào)功。
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