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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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基于Cortex-M0+內(nèi)核的YTM32Z1L，集成LIN/CAN PHY及HV Driver,對(duì)標(biāo)NXP S12系列
在現(xiàn)實(shí)世界中，電子電路所處的周圍環(huán)境總是變幻莫測(cè)的。人體靜電、雷擊浪涌、誤操作等諸多不可預(yù)料的因素時(shí)刻威脅著電子設(shè)備的正常工作。因此保護(hù)電路的作用與意義...
介紹一種BL714X系列隔離芯片驅(qū)動(dòng)電路方案
這個(gè)電路要求輸入控制信號(hào)與電機(jī)反饋到控制板的信號(hào)之間實(shí)現(xiàn)電氣隔離，從而達(dá)到以控制信號(hào)控制功率元件（或組件），以實(shí)現(xiàn)對(duì)控制端（或人體）的保護(hù)功能。
2022-07-18 標(biāo)簽：CMOSMOS管驅(qū)動(dòng)電路 4.9k 0
“晶體管開關(guān)”，是使用晶體管控制電路通斷的開關(guān)。根據(jù)實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景，也稱“模擬開關(guān)(analog Switch)”或“邏輯開關(guān)(Logic Switch)...
2023-06-12 標(biāo)簽：開關(guān)電路MOS管NMOS 4.8k 0
三極管和場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及工作原理
場(chǎng)效應(yīng)管柵極的最小寬度(柵長(zhǎng))，就是XX nm工藝中的數(shù)值。柵極的寬度則決定了電流通過時(shí)的損耗，表現(xiàn)出來就是手機(jī)常見的發(fā)熱和功耗，寬度越窄，功耗越低。
2023-02-07 標(biāo)簽：三極管開關(guān)電路放大電路 4.8k 0
通常情況下直流電源輸入防反接保護(hù)電路是利用二極管的單向?qū)щ娦詠韺?shí)現(xiàn)防反接保護(hù)。如下圖1所示。
基于MOS管和三極管的電源開關(guān)電路設(shè)計(jì)
三極管與MOS管組成的電源開關(guān)電路一定是NPN與PMOS管組合么？
2023-11-17 標(biāo)簽：三極管開關(guān)電路電路設(shè)計(jì) 4.8k 0
為什么PMOS作為高側(cè)開關(guān)更容易實(shí)現(xiàn)
高側(cè)開關(guān)就是負(fù)載是接地的，開關(guān)相對(duì)于負(fù)載處于高電位，如下圖所示。如果將開關(guān)和負(fù)載的位置互換，就是低側(cè)開關(guān)。
BUCK與BOOST電路設(shè)計(jì)與器件選型基礎(chǔ)
基于TPS61099設(shè)計(jì)升壓電路，TPS61099外圍需要電感和電容來儲(chǔ)能和放能，需要兩個(gè)電阻來設(shè)定輸出電壓，需要一個(gè)邏輯信號(hào)來使能或關(guān)斷。
2023-10-16 標(biāo)簽：升壓電路電路設(shè)計(jì)MOS管 4.8k 0
在電路設(shè)計(jì)上，我們見到最多的是使用MOS管最為開關(guān)控制器件，但是MOS管除了具有開關(guān)的功能之外，還有隔離作用，下面就和大家一起看一下吧。
2023-11-30 標(biāo)簽：保護(hù)電路MOS管開關(guān)控制 4.8k 0
MOS管驅(qū)動(dòng)芯片的基本概念和技術(shù)參數(shù)
MOS管驅(qū)動(dòng)芯片是一種在電子系統(tǒng)中廣泛應(yīng)用的功率放大器，其主要功能是通過控制MOS管（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的導(dǎo)通和截止，實(shí)現(xiàn)對(duì)電路的高效控制。
2024-08-23 標(biāo)簽：功率放大器MOS管驅(qū)動(dòng)芯片 4.8k 0
淺談從直流有刷電機(jī)到直流無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)
童年的四驅(qū)車幾乎是我們第一次近距離接觸馬達(dá)。想必有動(dòng)手能力強(qiáng)一些的小伙伴還拆過，改裝過馬達(dá)吧。其實(shí)它就是一種結(jié)構(gòu)標(biāo)準(zhǔn)的直流有刷電機(jī)（BDC）。
前面我們?cè)敿?xì)的介紹了共射放大電路的設(shè)計(jì)步驟，對(duì)于低頻信號(hào)，可以不考慮三極管的頻率特性，但是隨著輸入信號(hào)頻率的增加，MOS管的寄生電容就不得不考慮。MOS...
這個(gè)電控界的MOS管，但想讓它聽話，還得靠驅(qū)動(dòng)電路！整理了 4 種常用方案。
2025-10-17 標(biāo)簽：MOS管柵極驅(qū)動(dòng)電路 4.8k 0
Rdson對(duì)應(yīng)MOS管的哪個(gè)工作區(qū)？
關(guān)于MOS管的文章，例如MOS管的參數(shù)解析等，網(wǎng)上很多，這里就不寫了，我們還是針對(duì)具體問題具體分析。在問題求證過程中，查漏補(bǔ)缺。
本期的講的是 另一種形式的推挽電路 。實(shí)現(xiàn)功能為，當(dāng)PWM為高電平時(shí)，VOUT輸出電平為低電平，關(guān)斷MOS管Q3;當(dāng)PWM為低電平時(shí)，VOUT輸出高電平...
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的引腳主要包...
基于MOS管的雙向電平轉(zhuǎn)換電路設(shè)計(jì)
在一些IO電平不匹配的情況，需要用到電平轉(zhuǎn)換電路。 特別如I2C總線上，主芯片和多個(gè)外設(shè)直接，較常遇到電源域電壓不一致的情況。
2023-03-16 標(biāo)簽：電路設(shè)計(jì)MOS管總線 4.7k 0
MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低，開關(guān)速度快，因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管，其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。一般的電源開關(guān)電路，控制電源的目的是省電...
2023-07-31 標(biāo)簽：開關(guān)電路MOS管NMOS 4.7k 0
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