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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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半導(dǎo)體邏輯器件工藝流程 LTPS工藝對(duì)器件參數(shù)的影響
當(dāng)n型半導(dǎo)體與p型半導(dǎo)體接觸時(shí)，電子與空穴都從濃度高處向濃度低處擴(kuò)散，稱為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。當(dāng)電子進(jìn)入p型區(qū)域，空穴進(jìn)入n型區(qū)域后，即與對(duì)方多子復(fù)合，留下了固定...
如何對(duì)Spectre下的LC-VCO進(jìn)行仿真驗(yàn)證？
LC-VCO的等效電路如圖1所示，實(shí)際應(yīng)用中L1和L2由帶中間抽頭的對(duì)稱電感組成，抽頭接電流源（圖中i）。
初學(xué)者要了解SDRAM需要先了解存儲(chǔ)器分類。按照存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)功能劃分，可將其分為RAM 和 ROM 兩大類。
隨著集成電路工藝技術(shù)的不斷發(fā)展，為了提高集成電路的集成度，同時(shí)提升器件的工作速度和降低它的功耗，集成電路器件的特征尺寸不斷按比例縮小，工作電壓不斷降低。...
使用時(shí)，要特別注意內(nèi)部保護(hù)二極管。例如，電源接反時(shí)，源級(jí)S接到了電源正極，此時(shí)通過內(nèi)部寄生二極管導(dǎo)通，如果電源輸入沒有反接保護(hù)，NOMS管有可能燒毀。
新能源風(fēng)力發(fā)電中電流傳感器的作用有哪些呢？
能源（Energy Source）亦稱能量資源或能源資源，為人類的生產(chǎn)和生活提供各種能力和動(dòng)力的物質(zhì)資源，是國(guó)民經(jīng)濟(jì)的重要物質(zhì)基礎(chǔ)，未來國(guó)家命運(yùn)取決于能...
為什么用PTAT電流來偏置亞閾值導(dǎo)通的MOS管或BJT？
公式表明Vt與絕對(duì)溫度T成正比（PTAT）。Vt在寬范圍溫度內(nèi)是線性的。如果用PTAT 電流來偏置亞閾值區(qū)的MOS管，可以消除Vt對(duì)gm的影響。
MOS管的工作狀態(tài)一共有兩種：增強(qiáng)型和耗盡型兩類又有N溝道和P溝道之分。
2023-03-30 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 4.4k 0
之前寫的恒流源電路都是單向的，即只能提供一個(gè)流向，支持sink或者支持source，但是不同時(shí)支持sink和source。下圖是抄的一個(gè)模塊上的4~20...
MOS管米勒效應(yīng)：感性負(fù)載和阻性負(fù)載差異點(diǎn)解析
通過AM1波形，我們能看到二極管上有電流流過（一部分的電感電流，續(xù)流），二極管處于正偏狀態(tài)。
詳細(xì)的反激式開關(guān)電源EMC調(diào)試設(shè)計(jì)方案
工作過程分為兩個(gè)階段：原邊MOS管ON期間和OFF期間。MOS管開通期間：Vin電壓 加在變壓器初級(jí)繞組上，此時(shí)變壓器儲(chǔ)能；次級(jí)整流二極管因承受反...
2024-01-02 標(biāo)簽：變壓器轉(zhuǎn)換器開關(guān)電源 4.4k 0
在汽車電子領(lǐng)域，MOS管的應(yīng)用非常廣泛。其中大部分是用作開關(guān)管的，從電源到各類型的功率驅(qū)動(dòng)，都少不了MOS管的身影。今天我們來簡(jiǎn)單介紹一下汽車電子中，M...
Opendrop的數(shù)字微流控電浸潤(rùn)方案分析
今天與各位同好分享一下前天提到的 Opendrop的數(shù)字微流控電浸潤(rùn)方案的分析，有些地方還是不太看得懂，也歡迎看懂的同好私信講一下看不懂部分的原理。
2023-12-07 標(biāo)簽：原理圖MOS管驅(qū)動(dòng)板 4.4k 4
此次項(xiàng)目主要是基于瑞薩HMI board 開發(fā)板實(shí)現(xiàn)音樂播放器功能，主要可以實(shí)現(xiàn)sd卡wav 文件掃描，音樂播放，音量調(diào)節(jié)、上一曲、下一曲音樂播放。
場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。
2023-03-25 標(biāo)簽：放大器場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 4.4k 0
當(dāng)開關(guān)關(guān)斷的時(shí)候，溝道電荷需要消失，電荷只能流入到MOS管本身的S端或D端，對(duì)兩端的電壓造成影響。因此流入采樣電容上的電荷會(huì)產(chǎn)生一個(gè)offset，o...
MOSFET在雪崩效應(yīng)發(fā)生時(shí)能夠承受的電流和電壓能力。雪崩耐量越高，器件的可靠性越好。參數(shù)：雪崩耐量 - SURG （Surge Tolerance）
MOS（金屬-氧化物-半導(dǎo)體）管的寄生參數(shù)是指在集成電路設(shè)計(jì)中，除MOS管基本電氣特性（如柵極電壓、漏極電壓、柵極電流等）外，由于制造工藝、封裝方式以及...
電路防反接，你真的會(huì)用了嗎？MOS管用作防反接的接法，理解了嗎？”，做過電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)的工程師，都會(huì)在電源部分加入防反接電路，主要目的就是怕電源的GND和...
電源放反接設(shè)計(jì)和緩啟動(dòng)電路設(shè)計(jì)分析
在實(shí)際電路調(diào)試中，會(huì)因小失誤將電源的正負(fù)極接反，從而導(dǎo)致電路中的相關(guān)器件損壞。即在電路設(shè)計(jì)中，增加適當(dāng)?shù)姆婪唇与娐贰１容^簡(jiǎn)單的電路，即在電源的輸入端串聯(lián)...
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