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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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在做信號控制以及驅(qū)動(dòng)時(shí)，為了加快控制速度，經(jīng)常要使用推挽電路。推挽電路可以由兩種結(jié)構(gòu)組成：分別是上P下N，以及上N下P。
在電子電路中，MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，...
我們在做電路設(shè)計(jì)中三極管和MOS管做開關(guān)用時(shí)候有什么區(qū)別 工作性質(zhì),MOS管用于高頻高速電路，大電流場合，以及對基極或漏極控制電流比較敏感的地方。
2011-11-19 標(biāo)簽：三極管電路設(shè)計(jì)mos管 3.9k 5
本文根據(jù)某產(chǎn)品單板電路測試過程的浪涌電流沖擊問題，詳細(xì)分析了MOS管緩啟動(dòng)電路的RC參數(shù)，通過分析和實(shí)際對電路參數(shù)的更改，使電路的浪涌電流沖擊滿足板上電源要求。
當(dāng)控制電壓由低變高時(shí)，柵極電壓開始時(shí)有一個(gè)3V的臺階，分析認(rèn)為是Q3截止后，3.3偏置電壓經(jīng)過BC結(jié)饋電引起的。
2022-08-09 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器MOS管射極輸出器 3.9k 0
如何利用STM32F0單片機(jī)PWM + ADC去控制有刷電機(jī)
讀取 ADC 的值，寫入 TIM 的 CCR 寄存器，觀察 PWM 占空比的變化。根據(jù)電機(jī)的特性，還可能需要改變 PWM 的周期。
2022-08-15 標(biāo)簽：MOS管驅(qū)動(dòng)電路STM32F0 3.9k 0
反激變換器是小功率電源所廣泛采用的拓?fù)浣鉀Q方案，因其簡單便宜，可靠性高而廣泛應(yīng)用于100W以下的場合。
os是電壓驅(qū)動(dòng)型器件，只要柵極和源級間給一個(gè)適當(dāng)電壓，源級和漏級間通路就形成。這個(gè)電流通路的電阻被成為mos內(nèi)阻，就是導(dǎo)通電阻<Rds(on)>。
2023-04-08 標(biāo)簽：MOS管MOS開關(guān)管 3.9k 0
?晶體管是一個(gè)簡單的元器件，有非常多的種類。最常見的兩種晶體管應(yīng)該要屬雙極型晶體管（三極管）和MOS管了吧，那它倆之間的區(qū)別是什么呢？先讓我們再復(fù)習(xí)一下...
功率放大器電路中的三極管和MOS管，究竟有什么區(qū)別？
學(xué)習(xí)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)，和電子技術(shù)相關(guān)領(lǐng)域的朋友，在學(xué)習(xí)構(gòu)建功率放大器電路時(shí)最常見的電子元器件就是三極管和場效應(yīng)管（MOS管）了。那么三極管和MOS管有哪...
2023-05-18 標(biāo)簽：三極管功率放大器場效應(yīng)管 3.9k 0
此時(shí)它的發(fā)熱功率最大，隨后迅速降低直到完全導(dǎo)通，功率變成了100*100*0.003=30w，假設(shè)這個(gè)MOS管的內(nèi)阻是3毫歐姆，那這個(gè)開關(guān)過程的發(fā)熱功率...
2024-04-30 標(biāo)簽：電流MOS管散熱設(shè)計(jì) 3.9k 0
從應(yīng)用側(cè)出發(fā)來給大家介紹一下MOS管里面最常見的NMOS
對于這個(gè)高速的PWM波控制場景是致命的。當(dāng)PWM波的周期接近于這個(gè)爬升時(shí)間時(shí)，這個(gè)波形就會失真。一般來說Cgs大小和Rds(on)是成反比的關(guān)系。Rds...
2022-08-12 標(biāo)簽：場效應(yīng)管MOS管NMOS 3.9k 0
分享一種用CAN波形的幅度和脈寬信息來精確定位錯(cuò)誤幀來源的方法
我們先從基礎(chǔ)的講起。CAN節(jié)點(diǎn)的電路一般如下圖所示，MCU內(nèi)置了CAN控制器用來將MCU的數(shù)據(jù)封裝為CAN幀格式，同時(shí)它也負(fù)責(zé)CAN幀的校驗(yàn)和錯(cuò)誤幀的處理。
隨著人們對環(huán)境保護(hù)和可持續(xù)發(fā)展的重視，新能源汽車也越來越普及。但偶爾冒出來的新能源汽車電池爆炸新聞，也著實(shí)讓人有些擔(dān)憂。今天咱們重點(diǎn)講講新能源汽車電池管...
2024-11-22 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車新能源汽車MOS管 3.9k 0
在日常工作過程中，難免會遇到電路板，出現(xiàn)各種各樣的故障，但是你知道怎么去維修嗎？手頭上拿到一塊板子，是不是感覺束手無策？接下來，我會帶你學(xué)習(xí)如何檢測線路...
MOS管柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
MOS管開關(guān)電路在DC-DC電源、開關(guān)控制、電平轉(zhuǎn)換等電路中都有普遍的應(yīng)用，今天就和大家一起學(xué)習(xí)一下MOS管柵極驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)。
2023-08-03 標(biāo)簽：開關(guān)電路電路設(shè)計(jì)MOS管 3.9k 1
愛瑪電動(dòng)車今年的推廣營銷可謂出圈不斷，從明星話題到產(chǎn)品自研能力均是隆重登場。在自研產(chǎn)品中更是核心突出其自研蔚藍(lán)控制器，便可知電動(dòng)車控制對于產(chǎn)品的重要程度。
2023-12-11 標(biāo)簽：場效應(yīng)管MOS管電動(dòng)車控制器 3.9k 0
GaN Charger推薦方案- HGN093N12S/SL高頻應(yīng)用MOSFET
選用本款HGN093N12S/SL產(chǎn)品， 可以讓客戶提高整機(jī)效率， 并且溫度也隨之下降， 效率提升之外， 整體表現(xiàn)與CP值都能有效提升。
基于仿真數(shù)據(jù)的gm/Id模擬集成電路設(shè)計(jì)方案
由于這些參數(shù)曲線與MOS管的柵寬和源漏電壓關(guān)系很小，所以以一定的柵寬和源漏電壓作為仿真條件，對MOS管柵極電壓進(jìn)行直流參數(shù)掃描。
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