完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你，還能領(lǐng)取20積分哦，立即完善>
標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
文章：2281個(gè) 瀏覽：78093次 帖子：1239個(gè)
設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路該使用MOS管還是三極管？（文末領(lǐng)BJT和MOSFET對(duì)比資料）
晶體管 BJT 和MOSFET 都適用于放大和開關(guān)應(yīng)用。然而，它們具有顯著不同的特征。 ? 雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 雙極結(jié)型晶體管，通常稱為 BJT...
推挽式開關(guān)電源MOS管的耐壓值并不是一個(gè)固定的數(shù)值，而是需要根據(jù)具體的工作電壓和設(shè)計(jì)要求來確定。一般來說，推挽式開關(guān)電源的MOS管耐壓值需要大于工作電壓...
2024-08-15 標(biāo)簽：MOS管參數(shù)電壓波動(dòng) 4.1k 0
MOS管因其高輸入阻抗、低功耗和良好的線性特性，在現(xiàn)代電子電路中扮演著重要角色。然而，由于制造缺陷、環(huán)境因素或設(shè)計(jì)不當(dāng)，MOS管電路可能會(huì)出現(xiàn)故障。 M...
上拉電阻是把一個(gè)信號(hào)通過一個(gè)電阻接到電源(Vcc)，下拉電阻是一個(gè)信號(hào)通過一個(gè)電阻接到地(GND)。
二極管，（英語：Diode），電子元件當(dāng)中，一種具有兩個(gè)電極的裝置，只允許電流由單一方向流過，許多的使用是應(yīng)用其整流的功能。而變?nèi)荻O管（Varicap...
晶體管是一個(gè)簡(jiǎn)單的元器件，有非常多的種類。最常見的兩種晶體管應(yīng)該要屬雙極型晶體管(三極管)和MOS管了吧，那它倆之間的區(qū)別是什么呢?先讓我們?cè)購?fù)習(xí)一下之...
在實(shí)際應(yīng)用中，G極一般串聯(lián)一個(gè)電阻，防止MOS管被擊穿，也可以加上穩(wěn)壓二極管，并聯(lián)在分壓電阻上的電容，有一個(gè)軟啟動(dòng)的作用。
2024-04-22 標(biāo)簽：MOSFET穩(wěn)壓二極管MOS管 4k 0
示波器，作為電子工程師和科學(xué)家的基本工具之一，廣泛應(yīng)用于電子信號(hào)的測(cè)量和分析中。在涉及多個(gè)通道波形時(shí)間相關(guān)參數(shù)的測(cè)量中，如功率MOS管的雙脈沖測(cè)試，相位...
由閾值電壓的公式可看出，閾值電壓與制造工藝和所加體偏電壓VSB有關(guān)，所以在設(shè)計(jì)中把它當(dāng)成一個(gè)常數(shù)。 當(dāng)器件尺寸不斷縮小時(shí)，此模型不再精確，閾值電壓與L、...
對(duì)于27V輸出的低壓大電流應(yīng)用場(chǎng)合，在前期的拓?fù)溥x型時(shí)，主要考慮了移相全橋，Boost+定頻諧振和Buck+定頻諧振三種拓?fù)洹Ｒ葡嗳珮蛲負(fù)渲?，由于需要?..
簡(jiǎn)單說一說什么是天線效應(yīng)？消除的辦法有哪些？
天線效應(yīng)，或者說它的全稱工藝天線效應(yīng)（PAE，process antenna effect），是一種芯片制造過程中產(chǎn)生的效應(yīng)。
2023-12-06 標(biāo)簽：MOS管芯片制造天線效應(yīng) 4k 0
本文解析了MOS管作為開關(guān)的正確連接方法，包括其基本原理和連接技巧。通過比較NMOS和PMOS的接法差異，工程師發(fā)現(xiàn)負(fù)載位置的關(guān)鍵性選擇對(duì)導(dǎo)通可靠性至關(guān)...
IGBT的結(jié)構(gòu)和工作原理 igbt和mos管的區(qū)別
絕緣層位于IGBT的N區(qū)表面，通常使用氧化硅（SiO2）等絕緣材料，用于隔離控制電極（柵極）與功率電極（P區(qū)和N+區(qū)）。
MOS管驅(qū)動(dòng)電阻的測(cè)試方法主要涉及到對(duì)驅(qū)動(dòng)電路中電阻值的測(cè)量，以確保其符合設(shè)計(jì)要求，從而保障MOS管的正常工作。簡(jiǎn)單介紹幾種常見的測(cè)試方法，并給出相應(yīng)的...
2024-07-23 標(biāo)簽：MOS管驅(qū)動(dòng)電阻 4k 0
開關(guān)電源設(shè)計(jì)之MOS管驅(qū)動(dòng)電路
MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低，開關(guān)速度快，因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管，其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路。
2023-05-04 標(biāo)簽：MOSFET開關(guān)電源電源設(shè)計(jì) 4k 0
當(dāng)說到MOS管的時(shí)候呢，你的腦子里可能是一團(tuán)糨糊的。
硬件電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)詳解(比較器、二三極管、MOS管)
1.比較器 比較器是能夠?qū)崿F(xiàn)比較兩個(gè)輸入端的電壓或電流的大小功能的電路。它有兩個(gè)輸入端Vi+和Vi-,一個(gè)輸出端Vout。輸入端接的是模擬信號(hào)，輸出端輸...
MOSFET器件手冊(cè)關(guān)鍵參數(shù)解讀
我一直認(rèn)為，對(duì)于電子工程師來講，最好的學(xué)習(xí)資料就是芯片或者電子器件的數(shù)據(jù)手冊(cè)，可能一開始讀起來會(huì)很吃力，但只要你能堅(jiān)持住，并且本著一種不懂就問，不會(huì)就查...
PDS760-13總功耗，包括二極管的傳導(dǎo)損耗和交流損耗。二極管在MOS管關(guān)斷期間續(xù)流，瞬時(shí)傳導(dǎo)損耗以關(guān)斷期間的輸出電流乘以二極管的正向電壓來計(jì)算。二極...
換一批
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
| 電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
| BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
| 無刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
| 直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
| 步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
| 伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
| Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
| 示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
| OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
| C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
| Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
| DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |
關(guān)注我們的微信
下載發(fā)燒友APP
機(jī)器人發(fā)燒友
