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mos管

mos管

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mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路解析

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2022-12-29 標(biāo)簽:pcbMOS管驅(qū)動(dòng)電路 1.5萬 0

無刷電機(jī)控制基礎(chǔ)(1)——結(jié)構(gòu)和驅(qū)動(dòng)電路

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無刷電機(jī)是指無電刷和機(jī)械換向器的電機(jī)。

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一文詳解MOS管的基本知識(shí)

MOS,是MOSFET的縮寫。MOSFET 金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor ...

2022-12-26 標(biāo)簽:MOS管可變電阻VDS 1.8萬 0

這個(gè)Rdson電阻是對應(yīng)MOS管的哪個(gè)工作區(qū)呢?

在這個(gè)過程中,Vgs加大,導(dǎo)電溝道寬度增加;Vgs減小,溝道寬度就減小。

2022-12-26 標(biāo)簽:MOS管可變電阻RDSON控制器 2.3k 0

如何從MOS管的驅(qū)動(dòng)波形來判斷驅(qū)動(dòng)好不好

一般認(rèn)為MOS管是電壓驅(qū)動(dòng)型,所以驅(qū)動(dòng)MOS管,只需要提供一定的電壓,不需要提供電流。

2022-12-26 標(biāo)簽:MOS管寄生電容驅(qū)動(dòng)電阻 8.2k 0

MOS管的基本知識(shí):構(gòu)造、原理、電路設(shè)計(jì)

MOS管學(xué)名是場效應(yīng)管,是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管,屬于絕緣柵型。本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn)、實(shí)用電路等幾個(gè)方面用工程師的話簡單描述。

2022-12-22 標(biāo)簽:MOS管晶體三極管開關(guān)管 4.2k 0

一文解析功率MOS管的五種損壞模式

在介質(zhì)負(fù)載的開關(guān)運(yùn)行斷開時(shí)產(chǎn)生的回掃電壓,或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會(huì)引起雪崩破壞。

2022-12-22 標(biāo)簽:MOS管 1.9k 0

三極管和MOS管作為開關(guān)管時(shí)如何選擇?

三極管和MOS管都是很常用的電子元器件,兩者都可以作為電子開關(guān)管使用,而且很多場合兩者都是可以互換使用的。三極管和MOS管作為開關(guān)管時(shí),有很多相似之處,...

2022-12-22 標(biāo)簽:三極管MOS管開關(guān)管 3.2k 0

IGBT基礎(chǔ)知識(shí)、參數(shù)特性、驅(qū)動(dòng)電路總結(jié)

IGBT——絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor),顧名思義,是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 ...

2022-12-22 標(biāo)簽:MOS管IGBT晶體管 1.1萬 0

MOS管被擊穿的原因及解決方案?

MOS是電壓驅(qū)動(dòng)元件,對電壓很敏感,懸空的G很容易接受外部干擾使MOS導(dǎo)通,外部干擾信號(hào)對G-S結(jié)電容充電,這個(gè)微小的電荷可以儲(chǔ)存很長時(shí)間。

2022-12-21 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管 1.3萬 0

電路分析:mos管開關(guān)電路

mos管的工作區(qū)域 從之前的文章中可以知道,mos管有三個(gè)工作區(qū)域: 截止區(qū)域 線性(歐姆)區(qū)域 飽和區(qū)域 當(dāng) VGS VTH時(shí),mos管工作在截止區(qū)域...

2022-12-19 標(biāo)簽:CMOS開關(guān)電路MOS管 3.7萬 0

為什么大家都用三極管來配合單片機(jī)IO口驅(qū)動(dòng)負(fù)載

上一篇推文中我們已經(jīng)說了,驅(qū)動(dòng)繼電器的時(shí)候,通常我們會(huì)采用三極管來配合單片機(jī)IO口。至于為什么不直接用單片機(jī)IO口驅(qū)動(dòng),非得加個(gè)三極管,在上一篇推文中我...

2022-12-19 標(biāo)簽:三極管單片機(jī)MOS管 5.8k 0

MOS管加三個(gè)元件就組成BUCK電路,為何說難點(diǎn)在于電感?你怎么看

BUCK電路中最重要的器件是電容,二極管還是電感。

2022-12-19 標(biāo)簽:MOS管電感DC-DC 1.8k 0

元器件深入開發(fā)指南 | 阻容、電感、二極管與MOS管(文末領(lǐng)資料)

成長計(jì)劃 元器件深入開發(fā)指南 工程師成長計(jì)劃第十八期, 硬聲UP主:硬件工程師煉成之路 ,從工程師實(shí)戰(zhàn)的角度,深入電阻、電容、電感、二極管與MOS管的特...

2022-12-14 標(biāo)簽:二極管MOS管電感 3k 0

電路設(shè)計(jì)的重中之重的2個(gè)防反接電路

電源是電路能正常工作的重要條件,每個(gè)分立器件和芯片都需要電源供應(yīng)。

2022-12-13 標(biāo)簽:二極管電路設(shè)計(jì)MOS管 1.5k 0

設(shè)計(jì)開關(guān)電源時(shí),mos管驅(qū)動(dòng)電路參數(shù)、要求

mos管因?yàn)閮?nèi)阻低,開發(fā)速度低被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電路中。mos管往往根據(jù)電源IC和mos管的參數(shù)選擇合適的驅(qū)動(dòng)電路。

2022-12-12 標(biāo)簽:開關(guān)電源MOS管驅(qū)動(dòng)電路 1.1萬 2

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MOSFET(金屬—氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是 一種利用電場效應(yīng)來控制其電流大小的常見半導(dǎo)體器件,可 以 廣 泛 應(yīng) 用 在 模 擬 電 路 和 數(shù) ...

2022-12-09 標(biāo)簽:測試MOSFETMOS管 7.6k 0

場效應(yīng)管和三極管相同點(diǎn)、區(qū)別

場效應(yīng)管主要分兩個(gè)種類,分別是結(jié)型場效應(yīng)管和金屬氧化物場效應(yīng)管。結(jié)型場效應(yīng)管我連見都沒有見過,更不要說應(yīng)用了,所以就不說了。金屬氧化物場效應(yīng)管就是我們常...

2022-12-09 標(biāo)簽:三極管場效應(yīng)管MOS管 1.4萬 0

MOSFET-MOS管特性參數(shù)的理解

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2022-12-09 標(biāo)簽:MOSFETMOS管特性參數(shù) 3.8k 0

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