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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)之MOSFET管開關(guān)電路
對(duì)于MOS管,我們?cè)陔娐吩O(shè)計(jì)中都會(huì)遇到,那么應(yīng)該如何設(shè)計(jì)一個(gè)MOS管的開關(guān)電路呢?
2022-12-08 標(biāo)簽:開關(guān)電路MOSFET電路設(shè)計(jì) 3.8k 0
開關(guān)電源環(huán)路穩(wěn)定性分析(六)
根據(jù)上一篇文章的分析,開關(guān)電源系統(tǒng)主要分為3個(gè)部分,功率級(jí),控制級(jí),反饋級(jí)。今天這篇文章我們分析功率級(jí)和控制級(jí)的傳遞函數(shù)。
2022-12-06 標(biāo)簽:開關(guān)電源MOS管傳遞函數(shù) 3.2k 1
MOSFET和三極管,在ON 狀態(tài)時(shí),MOSFET通常用Rds,三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過(guò)來(lái)的情況,三極管用飽和Rce,而MOSFET...
設(shè)計(jì)的PCBA電路板,內(nèi)部有5V電源電路,除了給各個(gè)功能電路供電之外,比如MCU單片機(jī)供電、PM2.5傳感器供電、喇叭供電,還需要給外部電路供電。
盤點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng)管在電路中應(yīng)用
場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET 通常被認(rèn)為是一種晶體管,并用于模擬和數(shù)字電路。MOS管基礎(chǔ)請(qǐng)移步:MOS場(chǎng)效應(yīng)管基本知識(shí)。
2022-11-30 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 1.1萬(wàn) 0
場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極、漏極和柵極分別相當(dāng)于晶體管的發(fā)射極、集電極和基極。對(duì)應(yīng)于晶體管放大電路,場(chǎng)效應(yīng)晶體管放大電路也有三種組態(tài):共源極放大電路、共漏極放大...
2022-11-30 標(biāo)簽:放大電路MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 5.3k 0
100W電源以上的半橋式電路使用什么MOS管型才能適配電路呢
其實(shí)對(duì)于100W以上舞臺(tái)燈光電源的半橋式電路,我們推薦使用2個(gè)FHP13N50W。畢竟FHP13N50W是可以替代13N50等MOS管的產(chǎn)品型號(hào)參數(shù)。
這是一種較為常用的電壓轉(zhuǎn)換電流電路,也是一款恒流源電路。它由一個(gè)運(yùn)放、一個(gè)三極管(也可以是MOS管)以及若干電阻構(gòu)成,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單易懂。
在了解5V單片機(jī)驅(qū)動(dòng)mos管電路之前,先了解一下單片機(jī)驅(qū)動(dòng)mos管電路圖及原理,單片機(jī)驅(qū)動(dòng)mos管電路主要根據(jù)MOS管要驅(qū)動(dòng)什么東西,要只是一個(gè)繼電器之...
這次我們講講MOS管選型,選型也是電路設(shè)計(jì)中一個(gè)非常重要的環(huán)節(jié)。
2022-11-23 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)MOS管參數(shù) 1.9萬(wàn) 0
R4電阻,D1二極管,C6電容是尖峰吸收電路,因?yàn)槭请娮桦娙荻O管組成的電路,簡(jiǎn)稱RCD吸收回路。那么為什么要加尖峰吸收回路呢,是因?yàn)橐Wo(hù)MOS管過(guò)壓...
看下圖,R10和R7就是下拉電阻,這兩個(gè)電阻有什么作用呢?我們要先了解下什么是下拉電阻。
2022-11-23 標(biāo)簽:下拉電阻開關(guān)電源MOS管 2.9k 0
在正電源輸入端串聯(lián)一個(gè)正向二極管,充分利用二極管正向?qū)?、反向截止的特性。正常情況下,二級(jí)管導(dǎo)通,電路板工作。
大家好,當(dāng)我說(shuō)到MOS管的時(shí)候呢,你的腦子里可能是一團(tuán)糨糊的。
功率場(chǎng)效應(yīng)管(Power MOSFET)也叫電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是一種單極型的電壓控制器件,不但有自關(guān)斷能力,而且有驅(qū)動(dòng)功率小,開關(guān)速度高、無(wú)二次擊穿、安...
2022-11-18 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 2.9k 0
射頻微波電路:MOS管的基礎(chǔ)概念(I/V特性,二級(jí)效應(yīng))
MOS管的I/V特性 如前面所說(shuō),我們研究I/V特性不是為了推導(dǎo)而推導(dǎo),只是為了讓我們更加清楚地了解MOS管的工作狀態(tài),在后續(xù)的表達(dá)中可以更加簡(jiǎn)潔精煉。
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