完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
文章:2280個(gè) 瀏覽:78076次 帖子:1239個(gè)
飛虹半導(dǎo)體FHP1906V場(chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn)和應(yīng)用
飛虹半導(dǎo)體針對(duì)逆變器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)的廠商需求,推出國(guó)產(chǎn)MOS管新產(chǎn)品:FHP1906V型號(hào)。
2024-11-26 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管晶體管 1.6k 0
隨著智能設(shè)備的普及,電子設(shè)備也朝著小型化、高性能和可靠性方向發(fā)展。摩爾定律趨緩背景下,封裝技術(shù)成為提升性能的關(guān)鍵路徑。從傳統(tǒng)的TO封裝到先進(jìn)封裝,MOS...
? 雙NMOS是一種性能強(qiáng)大且應(yīng)用廣泛的MOS產(chǎn)品,它由兩個(gè)NMOS管組成,其中一個(gè)作為開(kāi)關(guān)管,負(fù)責(zé)控制信號(hào)的輸入與輸出;另一個(gè)作為負(fù)載管,提供電流驅(qū)動(dòng)...
MOS管FHL300N1F2A型號(hào)參數(shù)常用于電池管理系統(tǒng)BMS
電池管理系統(tǒng)(BMS)可以根據(jù)其應(yīng)用和功能劃分為不同的類(lèi)型,常見(jiàn)的BMS類(lèi)型:獨(dú)立式BMS、集成式BMS、高級(jí)BMS、分布式BMS、集中式BMS、模塊化...
2023-09-22 標(biāo)簽:MOS管電池管理系統(tǒng)寄生電感 1.6k 0
功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管電參數(shù)指標(biāo)中規(guī)定的電參數(shù)一般分為三大類(lèi)
2023-07-05 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源MOS管逆變器 1.6k 0
超結(jié)MOSFET開(kāi)關(guān)特性2-理想二極管模型
寄生電容和開(kāi)關(guān)時(shí)間:功率MOS具有極快的開(kāi)關(guān)速度,器件導(dǎo)通或關(guān)斷前需要對(duì)寄生電容進(jìn)行充放電,而電容的充放電需要一定時(shí)間
在實(shí)際應(yīng)用中,G極一般串聯(lián)一個(gè)電阻,防止MOS管被擊穿,也可以加上穩(wěn)壓二極管,并聯(lián)在分壓電阻上的電容,有一個(gè)軟啟動(dòng)的作用。在電流開(kāi)始流過(guò)的瞬間,電容充電...
PCB設(shè)計(jì)要點(diǎn)之DC-DC轉(zhuǎn)換器
走線(xiàn)寬度計(jì)算 使用計(jì)算出的電流、走線(xiàn)電阻和電壓降值,使用在線(xiàn)走線(xiàn)寬度計(jì)算器或考慮 PCB 銅厚度和材料的 PCB 設(shè)計(jì)軟件來(lái)計(jì)算所需的走線(xiàn)寬度。
2023-10-17 標(biāo)簽:電阻pcb轉(zhuǎn)換器 1.6k 0
下圖中描述了一個(gè)中等規(guī)模集成(MSI)/雙極顯微照片集成電路。選擇整合的水平,以便一些表面細(xì)節(jié)可以看到。高密度電路的元件非常小,以至于它們?cè)谡麄€(gè)芯片的顯...
飛虹MOS管FHP1906V在全橋拓?fù)潆娐分械膽?yīng)用
全橋拓?fù)湎啾扔诎霕蚧蛲仆焱負(fù)洌哂懈叩墓β侍幚砟芰?、?duì)稱(chēng)的電壓轉(zhuǎn)換特性以及更好的效率,常常適用于高功率和高效率要求的應(yīng)用場(chǎng)景。比如:不間斷電源(UPS...
2024-12-17 標(biāo)簽:放大器場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 1.6k 0
在電源電路應(yīng)用中,往往首先考慮漏源電壓 VDS 的選擇。在此上的基本原則為 MOSFET 實(shí)際工作環(huán)境中的最大峰值漏源極間的電壓不大于器件規(guī)格書(shū)中標(biāo)稱(chēng)漏...
ups不間斷電源是一個(gè)非常重要的電源,在其日常使用中,對(duì)于產(chǎn)品的研發(fā)是需要很高的可靠性。
臺(tái)懋半導(dǎo)體 MOS:為鋰電池保護(hù)板 “保駕護(hù)航”
臺(tái)懋半導(dǎo)體 MOS 管經(jīng)過(guò) 100% UIS 測(cè)試和 100% Rg 測(cè)試,為鋰電池保護(hù)板提供持續(xù)、穩(wěn)定的保護(hù)。
智能高邊開(kāi)關(guān)空載關(guān)斷延時(shí)案例分析
隨著新能源汽車(chē)智能化進(jìn)程加速,智能高邊開(kāi)關(guān)憑借其智能化特性與全面的保護(hù)功能,在汽車(chē)市場(chǎng)廣泛應(yīng)用。亞成微智能高邊開(kāi)關(guān)系列產(chǎn)品順勢(shì)拓展,已成功落地商用車(chē)、乘...
2025-10-07 標(biāo)簽:延時(shí)MOS管高邊開(kāi)關(guān) 1.6k 0
晶揚(yáng)電子2N7002KX N溝道MOSFET晶體管的主要應(yīng)用
靜電放電,應(yīng)該是造成所有電子元器件或集成電路系統(tǒng)的過(guò)度電應(yīng)力破壞的主要元兇。因?yàn)殪o電通常瞬間電壓非常高(>幾千伏),所以這種損傷是毀滅性和永久性的...
應(yīng)用于音響功放組成推免結(jié)構(gòu)電路中的MOS管是什么型號(hào)呢
它就是FHP3710C型號(hào)的MOS管,是由國(guó)內(nèi)已經(jīng)專(zhuān)注研發(fā)20年的MOS管廠家生產(chǎn),它是純國(guó)產(chǎn)制造,具有100% EAS測(cè)試,100% DVDS測(cè)試,高...
2022-11-07 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管EAS 1.6k 0
根據(jù)STM32F207參考手的中GPIO框圖講解GPIO功能
帶FT的是說(shuō)明可以容忍5V電壓的,I/O電路框圖
2023-07-11 標(biāo)簽:上拉電阻MOS管施密特觸發(fā)器 1.5k 0
電動(dòng)車(chē)窗開(kāi)關(guān)中MOS管的應(yīng)用解析
MOS管以其卓越的開(kāi)關(guān)特性而聞名,能夠在微秒級(jí)別內(nèi)迅速切換電流。這為電動(dòng)車(chē)窗的開(kāi)關(guān)提供了高效的能耗管理,顯著減少了功率損耗,使得車(chē)輛在長(zhǎng)時(shí)間使用中能夠更...
2024-03-07 標(biāo)簽:繼電器MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 1.5k 0
換一批
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專(zhuān)題
| 電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
| BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
| 無(wú)刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
| 直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
| 步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺(jué) | 無(wú)人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
| 伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國(guó)民技術(shù) | Microchip |
| Arduino | BeagleBone | 樹(shù)莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
| 示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
| OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
| C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
| Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
| DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |