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MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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選型手冊:MOT1793G P 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT1793G是一款面向-100V低壓大電流場景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借超低導(dǎo)通電阻、18A大電流承載能力及PDF...
選型手冊:MOT8113T N 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT8113T是一款面向80V低壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借1.1mΩ超低導(dǎo)通電阻、300A超大電流承載...
選型手冊:MOT7N65AF N 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT7N65AF是一款面向650V高壓高頻場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借超低柵極電荷、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力,廣...
選型手冊:VS3610AP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS3610AP是一款面向30V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,采用PDFN5x6封裝,適配低壓大電流DC...
2025-12-11 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 571 0
選型手冊:MOT2N65D N 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT2N65D是一款面向650V高壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及650V耐壓,廣泛適用...
選型手冊:MOT20N50HF N 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT20N50HF是一款面向500V高壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借高開關(guān)速度、優(yōu)異的dv/dt能力及500V耐壓...
選型手冊:MOT4633G 互補(bǔ)增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT4633G是一款N+P互補(bǔ)增強(qiáng)型MOSFET,集成N溝道與P溝道單元,憑借先進(jìn)溝槽設(shè)計(jì)、低導(dǎo)通電阻及低熱阻特性,適用于電機(jī)...
ZG6288A-G:解密高性能集成驅(qū)動(dòng)芯片的技術(shù)內(nèi)核與應(yīng)用價(jià)值
在功率電子與嵌入式控制領(lǐng)域,芯片型號(hào)的細(xì)微后綴往往承載著關(guān)鍵性能升級(jí)。ZG6288A-G作為一款標(biāo)注特殊后綴的集成化芯片,從命名體系推測,其大概率是ZG...
2025-10-17 標(biāo)簽:電子元器件場效應(yīng)管MOS 562 0
選型手冊:VSP015N15HS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSP015N15HS-G是一款面向150V中高壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能...
2025-12-02 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 560 0
普誠PT5139:中低壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域的“兼容型利器”
隨著中國工業(yè)自動(dòng)化、消費(fèi)電子市場的持續(xù)增長,對中低壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC的需求將進(jìn)一步擴(kuò)大。普誠PT5139憑借技術(shù)適配性、場景靈活性與成本優(yōu)勢,正成為連接芯片...
2025-10-15 標(biāo)簽:電子元器件驅(qū)動(dòng)MOS 559 0
選型手冊:VSP004N10MS-K N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSP004N10MS-K是一款面向100V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,基于FastMOSII技術(shù)實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)與高能量效率,...
選型手冊:MOT3712G P 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT3712G是一款P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借-30V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高電流承載能力,適用于PWM應(yīng)用、負(fù)載開關(guān)、電...
選型手冊:VS3508AP-K P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS3508AP-K是一款面向-30V低壓場景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,適配低壓負(fù)電源切換、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。...
2025-12-05 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 558 0
選型手冊:MOT50N02D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT50N02D是一款面向低壓大電流開關(guān)場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借20V耐壓、超低導(dǎo)通損耗及50A大電流承載能力...
選型手冊:VS1602GFH N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS1602GFH是一款面向100V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-220F封裝,適配中壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理、...
2025-12-09 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 557 0
MOT2165J N 溝道 MOSFET 技術(shù)解析
MOT2165J是仁懋電子(MOT)推出的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET,采用PDFN3X3封裝形式,聚焦于功率開關(guān)控制、筆記本核心供電等場景,以低導(dǎo)通損...
選型手冊:MOT70R380D N 溝道超級(jí)結(jié)功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT70R380D是一款N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET,憑借700V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高頻開關(guān)特性,適用于功率因數(shù)校正(PFC)...
選型手冊:VS1606GS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS1606GS是一款面向100V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用SOP8封裝,適配中壓小型電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)...
2026-01-06 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 550 0
選型手冊:VS3610AE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS3610AE是一款面向30V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率...
2025-12-04 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 548 0
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