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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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ZK150G002TP:SGT技術(shù)賦能的150V高壓大電流MOSFET標(biāo)桿
在工業(yè)控制、新能源發(fā)電、電力電子等高壓大電流應(yīng)用場景中,MOSFET的性能直接決定了整個(gè)系統(tǒng)的效率、可靠性與功率密度。ZK150G002TP作為一款搭載...
2025-10-31 標(biāo)簽:電子元器件場效應(yīng)管MOS 542 0
威兆半導(dǎo)體推出的HCKD5N65BM2是一款650V高壓高速IGBT(搭配反并聯(lián)二極管),采用TO-252封裝,適配電機(jī)驅(qū)動(dòng)、風(fēng)扇驅(qū)動(dòng)等場景。一、產(chǎn)品基...
2026-01-06 標(biāo)簽:分立器件MOS威兆半導(dǎo)體 541 0
選型手冊:VS4620GP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS4620GP是一款面向40V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高可靠性,適配低壓D...
選型手冊:VS3602GPMT N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS3602GPMT是一款面向30V低壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換...
2025-12-11 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 540 0
選型手冊:MOT2914J 雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
仁懋電子(MOT)推出的MOT2914J是一款雙N溝道增強(qiáng)型MOSFET,憑借20V耐壓、超低導(dǎo)通電阻及優(yōu)異的高頻開關(guān)特性,適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、高頻...
選型手冊:VSE090N10MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSE090N10MS是一款面向100V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用PDFN3x3封裝,適配中壓小型電源管理、負(fù)載開關(guān)等...
2025-12-23 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 537 0
選型手冊:MOT10N70F N 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT10N70F是一款面向700V高壓高頻場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借超低柵極電荷、快速開關(guān)特性及穩(wěn)定雪崩能力,廣...
選型手冊:VSD007N06MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VSD007N06MS-G是一款面向60V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-252封裝,適配低壓大電流電源管理、負(fù)載開關(guān)...
2025-12-17 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 531 0
選型手冊:MOT2N65F N 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT2N65F是一款面向650V高壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借快速開關(guān)特性、穩(wěn)定雪崩能力及TO-220F封裝適配...
選型手冊:VS3618AS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS3618AS是一款面向30V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,采用SOP8封裝,適配小型化低壓電源管理、...
2025-12-08 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 529 0
選型手冊:MOT70N03D N 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT70N03D是一款面向30V低壓大電流開關(guān)場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借超低導(dǎo)通損耗、70A大電流承載能力及Ro...
選型手冊:MOT4529J N 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT4529J是一款面向40V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借超低導(dǎo)通電阻、無鉛環(huán)保封裝特性,適用于DC/DC轉(zhuǎn)換...
選型手冊:MOT5146T N 溝道功率 MOSFET 晶體管
仁懋電子(MOT)推出的MOT5146T是一款面向120V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借4.5mΩ超低導(dǎo)通電阻、250A超大電流承載...
中科微電ZK150G002P:高耐壓大電流N溝槽MOS管的性能突破
在功率半導(dǎo)體器件的迭代浪潮中,N溝槽MOS管憑借其優(yōu)異的開關(guān)特性與電流控制能力,成為高功率電子系統(tǒng)的核心組成部分。當(dāng)市場對器件的耐壓等級、電流承載能力提...
2025-11-06 標(biāo)簽:電子元器件場效應(yīng)管MOS 523 0
選型手冊:VS3614AD N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS3614AD是一款面向30V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用TO-252封裝,適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率...
2025-12-10 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 523 0
選型手冊:VS3618AE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS3618AE是一款面向30V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,具備快速開關(guān)特性與高能量轉(zhuǎn)換效率,憑借低導(dǎo)通電阻與高可靠性,適用...
ZK30G011G:Trench工藝加持的30V/160A低壓大電流功率新星
ZK30G011G作為一款專為低壓大電流場景設(shè)計(jì)的N溝道MOSFET,以30V額定電壓、160A額定電流的硬核性能為基礎(chǔ),融合成熟可靠的溝槽型(Tren...
2025-10-31 標(biāo)簽:電子元器件場效應(yīng)管MOS 521 0
選型手冊:VS4603GPMT N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS4603GPMT是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適配低壓超大電流DC/DC轉(zhuǎn)...
2025-12-17 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 521 0
選型手冊:VS2301BC P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
威兆半導(dǎo)體推出的VS2301BC是一款面向-20V低壓場景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,采用SOT23小封裝,適配小型化低壓電源的負(fù)載開關(guān)、電源通路控...
2025-12-18 標(biāo)簽:晶體管MOS威兆半導(dǎo)體 515 0
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