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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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?DRV8452 步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
該DRV8452是一款寬電壓、高功率、高性能步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。該器件支持高達(dá) 55V 的電源電壓,具有 100 mΩ HS + LS 導(dǎo)通電阻的集成 MO...
MAX1848升壓轉(zhuǎn)換器集成14V N溝道MOSFET,為三個(gè)串聯(lián)的白光LED供電。由于 R 低德森MAX1848具有14V開關(guān)的低柵極電容,比采用30...
UCC57142 3A 低側(cè)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè)
UCC5714x 是一款單通道、高性能、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠有效驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT 和 SiC 功率開關(guān)。UCC5714x 的典型峰值驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度...
2025-09-25 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)IGBT 1.7k 0
開關(guān)電源測(cè)試小訣竅——如何正確使用示波器
在FAE的日常工作中經(jīng)常收到有用戶反饋:明明系統(tǒng)已經(jīng)正常運(yùn)行,但是在測(cè)試量化波形數(shù)據(jù)時(shí)得到的結(jié)果卻不盡人意,為何會(huì)產(chǎn)生如此出入呢?問題可能出在測(cè)試方法和...
2023-05-08 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源示波器 1.7k 0
如何有效地比較CMOS開關(guān)和固態(tài)繼電器的性能
源極和漏極之間的關(guān)斷電容CDS(OFF)可用來衡量關(guān)斷開關(guān)后,源極信號(hào)耦合到漏極的能力。它是固態(tài)繼電器(如PhotoMOS?、OptoMOS?、光繼電器...
IGBT的低Vd(或低Id)范圍(在本例中是Vd到1V左右的范圍),在IGBT中是可忽略不計(jì)的范圍。這在高電壓大電流應(yīng)用中不會(huì)構(gòu)成問題,但當(dāng)用電設(shè)備的電...
半導(dǎo)體變遷史科普:計(jì)算機(jī)、晶體管的問世
無可否認(rèn),不論是半導(dǎo)體技術(shù)還是其產(chǎn)業(yè)本身,都已經(jīng)成為所有市場(chǎng)中最大的產(chǎn)業(yè)之一。全球媒體、企業(yè)和政府也紛紛把目光投向了半導(dǎo)體工廠的下一個(gè)建設(shè)地。而每一次的...
通過特定方法驗(yàn)證T2PAK封裝散熱設(shè)計(jì)的有效性
盡管這些方案能有效降低PCB熱阻,但因需增加額外的制造工序而成本較高。相比之下,頂面散熱的T2PAK封裝可直接通過器件頂部高效散熱,無需額外的高成本制造...
本文將介紹在SiC MOSFET這一系列開關(guān)動(dòng)作中,SiC MOSFET的VDS和ID的變化會(huì)產(chǎn)生什么樣的電流和電壓。
?DRV8871 3.6A有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
DRV8871 器件是用于打印機(jī)、電器、工業(yè)設(shè)備和其他小型機(jī)器的有刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。兩個(gè)邏輯輸入控制 H 橋驅(qū)動(dòng)器,該驅(qū)動(dòng)器由四個(gè) N 溝道 MOSFE...
2025-10-17 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器直流電機(jī) 1.7k 0
基本半導(dǎo)體 B3M025065Z 碳化硅 MOSFET應(yīng)用場(chǎng)景適配報(bào)告
基本半導(dǎo)體 B3M025065Z 碳化硅 MOSFET 深度產(chǎn)品力研究與應(yīng)用場(chǎng)景適配全景報(bào)告 深圳市傾佳電子有限公司(簡(jiǎn)稱“傾佳電子”)是聚焦新能源與電...
PCIM2024論文摘要|并聯(lián)SiC MOSFET的均流研究
/摘要/并聯(lián)SiCMOSFET面臨著許多技術(shù)挑戰(zhàn),包括電流不平衡、不同的熱性能、過電壓等。本文介紹了不同參數(shù)對(duì)并聯(lián)SiCMOSFET分流影響的理論分析和...
2024-07-25 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電路SiC 1.7k 0
非互補(bǔ)有源鉗位可實(shí)現(xiàn)超高功率密度反激式電源設(shè)計(jì)
非互補(bǔ)有源鉗位可實(shí)現(xiàn)超高功率密度反激式電源設(shè)計(jì)
2023-11-23 標(biāo)簽:反激式電源MOSFET電源設(shè)計(jì) 1.7k 0
為了滿足更小的方案尺寸以降低系統(tǒng)成本,小型化和高功率密度成為了近年來DCDC和LDO的發(fā)展趨勢(shì),這也對(duì)方案的散熱性能提出了更高的要求。本文借助業(yè)界比...
知識(shí)大全:便攜設(shè)計(jì)中模擬開關(guān)的變遷
手機(jī)已從簡(jiǎn)單的單語音功能發(fā)展成為帶有MP3或音樂鈴聲等大功率立體聲音頻的通訊工具。至于視頻功能,簡(jiǎn)單的低分辨率相機(jī)已經(jīng)過時(shí),而高于200萬像素相機(jī)已經(jīng)成...
2013-01-28 標(biāo)簽:MOSFETUSB模擬開關(guān) 1.7k 1
三極管和MOSFET都能實(shí)現(xiàn)以小控大的目的,比如以小電流控制大電流,或者以低電壓控制高電壓
對(duì)于這些電力電子系統(tǒng)中使用的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),從經(jīng)典的兩電平變流器到更先進(jìn)的無源或有源控制的T型或 3 電平 NPC 拓?fù)?,再到更?fù)雜的變流器
隨著SWITCH的開關(guān),電感L中的電流也是在輸出電流的有效值上下波動(dòng)的。所以在輸出端也會(huì)出現(xiàn)一個(gè)與SWITCH同頻率的紋波,一般所說的紋波就是指這個(gè),它...
2023-03-15 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源晶體管 1.7k 0
800V車規(guī)碳化硅功率模塊襯底和外延epi分析和介紹
厚度以及一致性 摻雜和一致性 表面缺陷快速檢測(cè)和標(biāo)識(shí)追蹤能力 底部缺陷快速檢測(cè)和標(biāo)識(shí)追蹤能力 控制擴(kuò)展缺陷 清洗 大尺寸的晶圓翹曲度的控制
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