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標(biāo)簽 > mosfet

mosfet

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簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

如何最大限度地提高SiC MOSFET性能呢?

如何最大限度地提高SiC MOSFET性能呢?

在高功率應(yīng)用中,碳化硅(SiC)MOSFET與硅(Si)IGBT相比具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)。其中包括更低的傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗以及更好的高溫性能。

2023-09-11 標(biāo)簽:MOSFETIGBT寄生電容 1.7k 0

TPS54540 具有 Eco 模式的 42 V、5 A、降壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS54540 具有 Eco 模式的 42 V、5 A、降壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS54540 是一款 42 V、5 A 降壓穩(wěn)壓器,集成了高壓側(cè) MOSFET。該器件可承受高達(dá) 45V 的負(fù)載突降脈沖,符合 ISO 7637 標(biāo)...

2025-06-27 標(biāo)簽:MOSFET元件降壓穩(wěn)壓器 1.7k 0

?DRV3233-Q1 汽車級(jí)三相柵極驅(qū)動(dòng)芯片技術(shù)文檔總結(jié)

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DRV3233-Q1 是一款集成式智能柵極驅(qū)動(dòng)器,適用于 12V 和 24V 汽車三相 BLDC 應(yīng)用。該器件提供三個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,每個(gè)驅(qū)動(dòng)器能夠驅(qū)動(dòng)...

2025-10-11 標(biāo)簽:MOSFETBLDC驅(qū)動(dòng)芯片 1.7k 0

飛虹半導(dǎo)體IGBT單管的常用領(lǐng)域介紹

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今年以來(lái),國(guó)外某些國(guó)家仍然在拉動(dòng)其盟友在對(duì)中國(guó)的半導(dǎo)體領(lǐng)域進(jìn)行打擊,意味著國(guó)產(chǎn)化半導(dǎo)體的進(jìn)程將進(jìn)一步加速。如今在國(guó)內(nèi),是否有純國(guó)產(chǎn)的IGBT單管生產(chǎn)廠家...

2023-07-14 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體元器件 1.7k 0

Diodes公司高速視頻開(kāi)關(guān)PI3WVR41產(chǎn)品介紹

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PI3WVR41310 是一款寬電壓、支持多種標(biāo)準(zhǔn)、4 通道的3:1 多路復(fù)用/1:3 解復(fù)用視頻開(kāi)關(guān)。此器件支持 DisplayPort 2.1 (U...

2024-08-06 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器Diodes 1.7k 0

功率MOSFET選型指南

功率MOSFET選型指南

俗話說(shuō)“人無(wú)遠(yuǎn)慮必有近憂”,對(duì)于電子設(shè)計(jì)工程師,在項(xiàng)目開(kāi)始之前,器件選型之初,就要做好充分考慮,選擇最適合自己需要的器件,才能保證項(xiàng)目的成功。

2023-08-25 標(biāo)簽:MOSFET封裝MOS 1.7k 0

羅姆SiC-MOSFET開(kāi)發(fā)板開(kāi)箱測(cè)試

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上周收到了羅姆的評(píng)估板,初步分析看了下需要做的技術(shù)準(zhǔn)備工作較多,同時(shí)也需要自己設(shè)計(jì)方案,需要的時(shí)間較多。所以先寫(xiě)一個(gè)測(cè)試計(jì)劃。

2023-02-27 標(biāo)簽:MOSFET評(píng)估板羅姆 1.7k 0

高效率、降壓型μModule穩(wěn)壓器打造真正的大功率密度解決方案

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LTM4626 和 LTM4638是高效率、降壓型 μModule? 穩(wěn)壓器,能夠采用 3.1 V 至 20 V 的輸入電壓分別提供 12 A 和 15...

2023-02-14 標(biāo)簽:MOSFET穩(wěn)壓器散熱器 1.7k 0

使用Vicor高性能ZVS降壓穩(wěn)壓器消除障礙

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當(dāng)前具有更高整體效率的電子系統(tǒng)需要更高的功率密度,這為非隔離負(fù)載點(diǎn)穩(wěn)壓器 (niPOL) 帶來(lái)了大量變革。為了提高整體系統(tǒng)效率,設(shè)計(jì)人員選擇避免多級(jí)轉(zhuǎn)換...

2026-05-16 標(biāo)簽:MOSFET穩(wěn)壓器寄生電感 1.7k 0

?DRV8461 步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)

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該DRV8461是一款寬電壓、高功率、高性能的步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。該器件支持高達(dá) 65V 的電源電壓,具有 300 mΩ HS + LS 導(dǎo)通電阻的集成 M...

2025-10-13 標(biāo)簽:電流MOSFET電源電壓 1.7k 0

60V、4A同步單芯片降壓型穩(wěn)壓器具有軌到軌操作

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LTC3649 是一款高效率同步單片式降壓型穩(wěn)壓器,其在芯片上集成了頂部和底部 N 溝道 MOSFET。該穩(wěn)壓器具有 3.1V 至 60V 的寬輸入電壓...

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MOS管選擇注意事項(xiàng)

在一些電路的設(shè)計(jì)中,不光是開(kāi)關(guān)電源電路中,經(jīng)常會(huì)使用MOS管,正確選擇MOS管是硬件工程師經(jīng)常遇到的問(wèn)題,更是很重要的一個(gè)環(huán)節(jié),MOS管選擇不好有可能影...

2023-11-08 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電路MOSFETMOS管 1.7k 0

LM5122系列 具有多相能力的 3-65V 寬 Vin、電流模式同步升壓控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

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LM5122 是一款支持多相的同步升壓控制器,適用于高效同步升壓穩(wěn)壓器 應(yīng)用??刂品椒ɑ诜逯惦娏髂J娇刂啤k娏髂J娇刂铺峁┕逃械木€路前饋、逐周期電流限...

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TPS54560B 是一款具有集成高壓側(cè) MOSFET 的 60V、5A 降壓穩(wěn)壓器。電流模式控制提供簡(jiǎn)單的外部補(bǔ)償和靈活的元件選擇。低紋波脈沖跳躍模式...

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功率MOSFET封裝向來(lái)尺寸較大,因?yàn)檫@提供了更好的散熱和性能,提高了器件整體安全性和可靠性。 TO-220、TO-247、I2PAK、DPAK和D2P...

2023-02-10 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET封裝 1.7k 0

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高能效對(duì)于多種大電流電源應(yīng)用至關(guān)重要,包括工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、可再生能源系統(tǒng)和固態(tài)變壓器。盡管硅長(zhǎng)期以來(lái)一直是這些應(yīng)用中使用的主要半導(dǎo)體,但由于SiC提供的...

2022-08-03 標(biāo)簽:電源MOSFETSiC 1.7k 0

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2023-06-05 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)二極管MOSFET 1.7k 0

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2023-11-07 標(biāo)簽:電容器超級(jí)電容器MOSFET 1.7k 0

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    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
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  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
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    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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