mosfet

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簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型，通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

使用SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)案例-PCB板布局示例

截至上一篇文章，結(jié)束了部件選型相關(guān)的內(nèi)容，本文將對(duì)此前介紹過(guò)的PCB電路板布局示例進(jìn)行總結(jié)。使用SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的PCB布局示例

2023-02-17 標(biāo)簽：PCB MOSFET SiC 1.4k 0

使用SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)案例-變壓器T1的設(shè)計(jì)(2)

在前面的“變壓器T1的設(shè)計(jì)　其1”中，對(duì)下述計(jì)算步驟①～③進(jìn)行了說(shuō)明。本文作為“其2”來(lái)計(jì)算剩下的④～⑥，并結(jié)束變壓器T1的設(shè)計(jì)篇。①反激式電壓VOR的...

2023-02-17 標(biāo)簽：變壓器 MOSFET 諧振轉(zhuǎn)換器 1.5k 0

使用SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)案例-變壓器T1的設(shè)計(jì)(1)

從本文開(kāi)始進(jìn)入具體的設(shè)計(jì)，比如計(jì)算相關(guān)電路常數(shù)等。首先是變壓器T1的設(shè)計(jì)。計(jì)算步驟如下。這與“隔離型反激式轉(zhuǎn)換器電路設(shè)計(jì)：變壓器設(shè)計(jì)（數(shù)值計(jì)算）”中的思...

2023-02-17 標(biāo)簽：變壓器 MOSFET 諧振轉(zhuǎn)換器 1.8k 0

使用SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)案例-設(shè)計(jì)案例電路

上一篇文章對(duì)設(shè)計(jì)中使用的電源IC進(jìn)行了介紹。本文將介紹設(shè)計(jì)案例的電路。準(zhǔn)諧振方式：上一篇文章提到，電源IC使用的是SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)用AC/DC轉(zhuǎn)...

2023-02-17 標(biāo)簽：MOSFET 轉(zhuǎn)換電路諧振轉(zhuǎn)換器 1.6k 0

碳化硅MOSFET B1M160120HC在服務(wù)器電源中的應(yīng)用

服務(wù)器作為網(wǎng)絡(luò)的節(jié)點(diǎn)存儲(chǔ)，處理著網(wǎng)絡(luò)上80％以上的數(shù)據(jù)和相關(guān)信息，需要24*7不間斷運(yùn)行，承載著整個(gè)企業(yè)甚至全球各地的訪問(wèn)任務(wù)，這主要?dú)w功于其高性能、高...

2023-02-16 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 MOS管 761 0

MOS管的類(lèi)型及工作原理

　　MOS，是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor ...

2023-02-16 標(biāo)簽：MOSFET MOS管晶體管 8.3k 0

IGBT的基礎(chǔ)知識(shí)

　　IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)...

2023-02-16 標(biāo)簽：MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)管 IGBT 2.8k 0

低邊和高邊晶體管電路的工作原理

電路中，晶體管常常被用來(lái)當(dāng)做開(kāi)關(guān)使用。晶體管用作開(kāi)關(guān)時(shí)有兩種不同的接線方式：高邊（high side）和低邊(low side)。高邊和低邊是由晶體管在...

2023-02-16 標(biāo)簽：三極管 MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)管 7.2k 0

模擬電路設(shè)計(jì)之MOSFET

　　MOSFET即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其全稱(chēng)為METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSIS...

2023-02-16 標(biāo)簽：模擬電路 MOSFET MOS管 5.4k 0

共源級(jí)放大電路的偏置設(shè)計(jì) 共源級(jí)放大電路的小信號(hào)分析

前幾期的內(nèi)容介紹了MOSFET的結(jié)構(gòu)、電學(xué)特性、電路模型，這些都是分析MOSFET放大電路的基礎(chǔ)。介紹了MOSFET放大器一般有三種類(lèi)型即三種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，...

2023-02-16 標(biāo)簽：放大器 MOSFET 放大電路 4.1k 0

MOSFET三種放大電路類(lèi)型的區(qū)分

MOSFET有三個(gè)極，柵極、源級(jí)和漏極，由MOSFET構(gòu)成的放大電路通常有三種，共源級(jí)放大電路，共柵極放大電路和共漏極放大電路。其中，共源級(jí)放大電路用的...

2023-02-16 標(biāo)簽：MOSFET 放大電路跟隨器 4.2k 0

MOSFET放大電路的輸入阻抗和輸出阻抗

從這一期開(kāi)始真正的建立MOSFET放大電路，利用之前幾期介紹的MOSFET大信號(hào)與小信號(hào)模型，MOSFET放大電路就可以像基本簡(jiǎn)單電路一樣非常容易理解。

2023-02-16 標(biāo)簽：放大器 MOSFET 放大電路 1.2萬(wàn) 0

NMOS放大器電路模型詳解(三)

　　期我們介紹了NMOS當(dāng)作為放大器時(shí)的等效電路是什么?包括大信號(hào)模型和小信號(hào)模型，模型中當(dāng)V_DS>V_GS-V_TH時(shí)，我們把NMOS當(dāng)成一個(gè)...

2023-02-16 標(biāo)簽：放大器 MOSFET NMOS 3.2k 0

半導(dǎo)體工藝：計(jì)算機(jī)與晶體管技術(shù)的相關(guān)性

得益于MOSFET的平面式結(jié)構(gòu)，我們可以在硅晶圓上同時(shí)制造出好幾個(gè)MOSFET。這意味著，只要把單個(gè)MOSFET的大小控制好，在相同面積的晶圓上可以多制...

2023-02-16 標(biāo)簽：MOSFET 計(jì)算機(jī)晶體管 1.1k 0

NMOS放大器電路模型詳解(一)

前幾期講的MOSFET的物理結(jié)構(gòu)、電學(xué)特性是我們研究MOSFET的基礎(chǔ)，只掌握這些在實(shí)際電路中是沒(méi)法用的，今天講的內(nèi)容才是我們?cè)陔娐吩O(shè)計(jì)中所用到的，但是...

2023-02-16 標(biāo)簽：放大器 MOSFET NMOS 8.4k 0

MOSFET的結(jié)構(gòu)和電學(xué)特性小結(jié)

上一期中提到當(dāng)V_DS>V_GS-V_TH時(shí)，溝道中出現(xiàn)夾斷效應(yīng)，溝道的長(zhǎng)度對(duì)略微減小。很多場(chǎng)景我們可以忽略這個(gè)長(zhǎng)度的變化，但是當(dāng)精度要求比較高...

2023-02-16 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 NMOS 1.5k 0

深入理解MOSFET的夾斷效應(yīng)

根據(jù)溝道中電荷的分布特點(diǎn)得出了I_D隨V_GS和V_DS的變化的公式，進(jìn)而得到了伏安特性曲線。

2023-02-16 標(biāo)簽：電路電流 MOSFET 6.3k 0

次級(jí)側(cè)同步整流

驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)以進(jìn)行同步整流可以通過(guò)不同的方式完成。一個(gè)簡(jiǎn)單的概念是驅(qū)動(dòng)變壓器的次級(jí)繞組。如圖 1 所示。在本例中，輸入電壓范圍可能不是很寬。在最小輸入電壓下...

2023-02-16 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 穩(wěn)壓器 1.9k 0

MOSFET的尺寸及伏安特性

Fig. 2標(biāo)出了我們所關(guān)注的MOSFET器件的幾何尺寸，包括溝道的有效長(zhǎng)度L_eff（導(dǎo)體的長(zhǎng)度L_drawn略大于L_eff），溝道的寬度W，絕緣層...

2023-02-16 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體伏安特性 4.3k 0

MOSFET的結(jié)構(gòu)、電學(xué)符號(hào)和電學(xué)特性

　　現(xiàn)在所有電子產(chǎn)品中的芯片、放大器中的基本結(jié)構(gòu)就是MOSFET，學(xué)好MOSFET是理解這些芯片、放大電路的前提。

2023-02-16 標(biāo)簽：放大器 MOSFET 半導(dǎo)體 6.1k 0

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IOT

IOT

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IoT是Internet of Things的縮寫(xiě)，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱(chēng)傳感網(wǎng)，簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
海思

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STM32F103C8T6是一款集成電路，芯體尺寸為32位，程序存儲(chǔ)器容量是64KB，需要電壓2V~3.6V，工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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硬件工程師Hardware Engineer職位要求熟悉計(jì)算機(jī)市場(chǎng)行情；制定計(jì)算機(jī)組裝計(jì)劃；能夠選購(gòu)組裝需要的硬件設(shè)備，并能合理配置、安裝計(jì)算機(jī)和外圍設(shè)備；安裝和配置計(jì)算機(jī)軟件系統(tǒng)；保養(yǎng)硬件和外圍設(shè)備；清晰描述出現(xiàn)的計(jì)算機(jī)軟硬件故障。
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Wi-Fi模塊又名串口Wi-Fi模塊，屬于物聯(lián)網(wǎng)傳輸層，功能是將串口或TTL電平轉(zhuǎn)為符合Wi-Fi無(wú)線網(wǎng)絡(luò)通信標(biāo)準(zhǔn)的嵌入式模塊，內(nèi)置無(wú)線網(wǎng)絡(luò)協(xié)議IEEE802.11b.g.n協(xié)議棧以及TCP/IP協(xié)議棧。傳統(tǒng)的硬件設(shè)備嵌入Wi-Fi模塊可以直接利用Wi-Fi聯(lián)入互聯(lián)網(wǎng)，是實(shí)現(xiàn)無(wú)線智能家居、M2M等物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的重要組成部分。
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MPU-6000（6050）為全球首例整合性6軸運(yùn)動(dòng)處理組件，相較于多組件方案，免除了組合陀螺儀與加速器時(shí)間軸之差的問(wèn)題，減少了大量的封裝空間。
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UHD是”超高清“的意思UHD的應(yīng)用在電視機(jī)技術(shù)上最為普遍，目前已有不少?gòu)S商推出了UHD超高清電視。
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Proteus軟件是英國(guó)Lab Center Electronics公司出版的EDA工具軟件（該軟件中國(guó)總代理為廣州風(fēng)標(biāo)電子技術(shù)有限公司）。它不僅具有其它EDA工具軟件的仿真功能，還能仿真單片機(jī)及外圍器件。
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74LS74是雙D觸發(fā)器。功能多，可作雙穩(wěn)態(tài)、寄存器、移位寄存器、振蕩器、單穩(wěn)態(tài)、分頻計(jì)數(shù)器等功能。本章詳細(xì)介紹了74ls112的功能及原理，74ls74引腳圖及功能表，74ls112的應(yīng)用等內(nèi)容。
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光模塊(optical module)由光電子器件、功能電路和光接口等組成，光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡(jiǎn)單的說(shuō)，光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換，發(fā)送端把電信號(hào)轉(zhuǎn)換成光信號(hào)，通過(guò)光纖傳送后，接收端再把光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。
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Nexperia是大批量生產(chǎn)基本半導(dǎo)體的領(lǐng)先專(zhuān)家，這些半導(dǎo)體是世界上每個(gè)電子設(shè)計(jì)都需要的組件。該公司廣泛的產(chǎn)品組合包括二極管、雙極晶體管、ESD 保護(hù)器件、MOSFET、GaN FET 以及模擬和邏輯IC。
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LM2596是降壓型電源管理單片集成電路的開(kāi)關(guān)電壓調(diào)節(jié)器，能夠輸出3A的驅(qū)動(dòng)電流，同時(shí)具有很好的線性和負(fù)載調(diào)節(jié)特性。固定輸出版本有3.3V、5V、12V，可調(diào)版本可以輸出小于37V的各種電壓。
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光立方是由四千多棵光藝高科技“發(fā)光樹(shù)”組成的，在2009年10月1日天安門(mén)廣場(chǎng)舉行的國(guó)慶聯(lián)歡晚會(huì)上面世。這是新中國(guó)成立六十周年國(guó)慶晚會(huì)最具創(chuàng)意的三大法寶之首。
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STM32系列基于專(zhuān)為要求高性能、低成本、低功耗的嵌入式應(yīng)用專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)的ARM Cortex-M3內(nèi)核
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步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器

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步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器是一種將電脈沖轉(zhuǎn)化為角位移的執(zhí)行機(jī)構(gòu)。當(dāng)步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器接收到一個(gè)脈沖信號(hào)，它就驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)按設(shè)定的方向轉(zhuǎn)動(dòng)一個(gè)固定的角度（稱(chēng)為“步距角”），它的旋轉(zhuǎn)是以固定的角度一步一步運(yùn)行的?？梢酝ㄟ^(guò)控制脈沖個(gè)數(shù)來(lái)控制角位移量，從而達(dá)到準(zhǔn)確定位的目的；同時(shí)可以通過(guò)控制脈沖頻率來(lái)控制電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)的速度和加速度，從而達(dá)到調(diào)速和定位的目的。
COMSOL

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COMSOL集團(tuán)是全球多物理場(chǎng)建模解決方案的提倡者與領(lǐng)導(dǎo)者。憑借創(chuàng)新的團(tuán)隊(duì)、協(xié)作的文化、前沿的技術(shù)、出色的產(chǎn)品，這家高科技工程軟件公司正飛速發(fā)展，并有望成為行業(yè)領(lǐng)袖。其旗艦產(chǎn)品COMSOL Multiphysics 使工程師和科學(xué)家們可以通過(guò)模擬，賦予設(shè)計(jì)理念以生命。
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cD4046是通用的CMOS鎖相環(huán)集成電路，其特點(diǎn)是電源電壓范圍寬（為3V－18V），輸入阻抗高（約100MΩ），動(dòng)態(tài)功耗小，在中心頻率f0為10kHz下功耗僅為600μW，屬微功耗器件。本章主要介紹內(nèi)容有，CD4046的功能 cd4046鎖相環(huán)電路，CD4046無(wú)線發(fā)射，cd4046運(yùn)用，cd4046鎖相環(huán)電路圖。
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加速度傳感器是一種能夠測(cè)量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
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服務(wù)機(jī)器人是機(jī)器人家族中的一個(gè)年輕成員，到目前為止尚沒(méi)有一個(gè)嚴(yán)格的定義。不同國(guó)家對(duì)服務(wù)機(jī)器人的認(rèn)識(shí)不同。
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四軸飛行器

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四軸飛行器，又稱(chēng)四旋翼飛行器、四旋翼直升機(jī)，簡(jiǎn)稱(chēng)四軸、四旋翼。這四軸飛行器（Quadrotor）是一種多旋翼飛行器。四軸飛行器的四個(gè)螺旋槳都是電機(jī)直連的簡(jiǎn)單機(jī)構(gòu)，十字形的布局允許飛行器通過(guò)改變電機(jī)轉(zhuǎn)速獲得旋轉(zhuǎn)機(jī)身的力，從而調(diào)整自身姿態(tài)。具體的技術(shù)細(xì)節(jié)在“基本運(yùn)動(dòng)原理”中講述。
SDK

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　　SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包，軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類(lèi)軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
基站測(cè)試

基站測(cè)試

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802.11ac與11基站測(cè)試（base station tests）在基站設(shè)備安裝完畢后，對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別，802.11n無(wú)線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng)，802.11n怎么安裝。
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ESP8266

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wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時(shí)候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
TMS320F28335

TMS320F28335

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TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。

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