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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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脈沖 I-V 測(cè)試在 MOSFET 器件表征中的應(yīng)用與實(shí)現(xiàn)
在晶體管器件的研發(fā)階段,制造商通常需要對(duì)設(shè)計(jì)原型進(jìn)行電學(xué)特性評(píng)估。直流(DC)測(cè)試是最常見(jiàn)的方法,但對(duì)于許多半導(dǎo)體器件而言,只有脈沖或短時(shí)導(dǎo)通(開關(guān))激...
雖然1947年由貝爾實(shí)驗(yàn)室的J.Bardeen、W.H.Brattain和W.Shockley等科學(xué)家發(fā)明的第一個(gè)晶體管是雙極型晶體管,而且是在鍺襯底上...
聊個(gè)最基礎(chǔ)也最繞不開的拓?fù)洌篋C-DC BUCK。只要你畫的板子不是指甲蓋大小,供電十有八九靠它。能不能玩轉(zhuǎn)BUCK,直接反映了你對(duì)MOSFET、電感、...
橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體LDMOS的工作原理和核心應(yīng)用
在這個(gè)萬(wàn)物互聯(lián)的時(shí)代,你的手機(jī)信號(hào)能夠穩(wěn)定覆蓋數(shù)公里,背后的功臣是一個(gè)你可能從未聽過(guò)的核心器件——橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體,簡(jiǎn)稱LDMOS。
SiC MOSFET 體二極管特性及死區(qū)時(shí)間選擇
01SiCMOSFET的體二極管及其關(guān)鍵特性無(wú)論是平面柵還是溝槽柵,SiCMOSFET都采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu),其縱向(從漏極到源極)的層狀結(jié)構(gòu)是通用的,如下...
onsemi 2N7002W/2V7002W小信號(hào)N溝道MOSFET深度解析
onsemi 2N7002W/2V7002W小信號(hào)N溝道MOSFET深度解析 在電子電路設(shè)計(jì)中,MOSFET作為關(guān)鍵的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于各類電路中。...
探索 onsemi BSS138L 和 BVSS138L MOSFET:低電壓應(yīng)用的理想之選
探索 onsemi BSS138L 和 BVSS138L MOSFET:低電壓應(yīng)用的理想之選 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,選擇合適的 MOSFET 對(duì)于確保電路性能...
2026-04-21 標(biāo)簽:MOSFET低電壓應(yīng)用onsemi 376 0
Onsemi單P溝道MOSFET BSS84L系列產(chǎn)品解析
Onsemi單P溝道MOSFET BSS84L系列產(chǎn)品解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件,其性能的優(yōu)劣直接影響到整個(gè)電路的效率和穩(wěn)定性...
深入解析 onsemi BSS123LT1G 和 BVSS123LT1G MOSFET
深入解析 onsemi BSS123LT1G 和 BVSS123LT1G MOSFET 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET 作為關(guān)鍵的功率器件,其性能直接影響...
Onsemi EFC2J013NUZ MOSFET:1 節(jié)鋰離子電池保護(hù)的理想之選
Onsemi EFC2J013NUZ MOSFET:1 節(jié)鋰離子電池保護(hù)的理想之選 在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中,MOSFET 作為關(guān)鍵的功率開關(guān)元件,對(duì)于設(shè)備的...
2026-04-21 標(biāo)簽:MOSFET鋰離子電池保護(hù)EFC2J013NUZ 422 0
光繼電器是固態(tài)繼電器的一種,其技術(shù)本質(zhì)是通過(guò)輸入端的LED發(fā)出光信號(hào),來(lái)控制輸出端MOSFET的導(dǎo)通與關(guān)斷,從而實(shí)現(xiàn)完全固態(tài)化的電路開關(guān)。基于這一原理,...
2026-04-21 標(biāo)簽:MOSFET固態(tài)繼電器光繼電器 510 0
FDA69N25 N溝道UniFET MOSFET:高性能開關(guān)利器
FDA69N25 N溝道UniFET MOSFET:高性能開關(guān)利器 引言 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET作為關(guān)鍵的功率開關(guān)器件,其性能直接影響到電源轉(zhuǎn)換、...
2026-04-21 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源FDA69N25 115 0
onsemi FDA59N25 N-Channel UniFET MOSFET深度解析
onsemi FDA59N25 N-Channel UniFET MOSFET深度解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET作為關(guān)鍵元件,其性能直接影響著整個(gè)電...
2026-04-21 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源FDA59N25 102 0
探索onsemi FDC5661N-F085 MOSFET:特性、參數(shù)與應(yīng)用
探索onsemi FDC5661N-F085 MOSFET:特性、參數(shù)與應(yīng)用 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET作為關(guān)鍵的功率開關(guān)器件,對(duì)電路性能起著至關(guān)重要...
2026-04-21 標(biāo)簽:MOSFET電子設(shè)計(jì)FDC5661N-F085 140 0
FDC602P:P溝道2.5V PowerTrench MOSFET的技術(shù)解析
FDC602P:P溝道2.5V PowerTrench MOSFET的技術(shù)解析 在電子工程領(lǐng)域,MOSFET作為一種關(guān)鍵的電子元件,廣泛應(yīng)用于各種電路設(shè)...
深入解析FDC6333C:N & P-Channel MOSFET的卓越性能與應(yīng)用
深入解析FDC6333C:N P-Channel MOSFET的卓越性能與應(yīng)用 在電子工程領(lǐng)域,MOSFET作為關(guān)鍵的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于各種電路設(shè)計(jì)...
2026-04-21 標(biāo)簽:MOSFET電路應(yīng)用FDC6333C 89 0
深入剖析FDC6327C:雙N&P溝道MOSFET的卓越性能與應(yīng)用
深入剖析FDC6327C:雙NP溝道MOSFET的卓越性能與應(yīng)用 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)中,MOSFET作為關(guān)鍵元件,其性能直接影響著電路的整體表現(xiàn)。今...
2026-04-21 標(biāo)簽:MOSFET應(yīng)用場(chǎng)景FDC6327C 83 0
FDC637BNZ N - 通道2.5V指定PowerTrench? MOSFET深度解析
FDC637BNZ N - 通道2.5V指定PowerTrench? MOSFET深度解析 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)中,MOSFET(金屬 - 氧化物 -...
深入解析FDC642P單P溝道2.5V指定PowerTrench? MOSFET
深入解析FDC642P單P溝道2.5V指定PowerTrench? MOSFET 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件,其性能直接影響著整個(gè)電...
2026-04-21 標(biāo)簽:MOSFET電子設(shè)計(jì)FDC642P 127 0
深入解析 onsemi FDC6561AN 雙 N 溝道邏輯電平 MOSFET
深入解析 onsemi FDC6561AN 雙 N 溝道邏輯電平 MOSFET 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET 作為關(guān)鍵的電子元件,廣泛應(yīng)用于各類電路中。...
2026-04-21 標(biāo)簽:MOSFETDC/DC轉(zhuǎn)換FDC6561AN 134 0
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