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mosfet

mosfet

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簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

MOSFET的半橋驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)要領(lǐng)詳解

MOSFET的半橋驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)要領(lǐng)詳解

MOSFET憑開(kāi)關(guān)速度快、導(dǎo)通電阻低等優(yōu)點(diǎn)在開(kāi)關(guān)電源及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用中得到了廣泛應(yīng)用。要想使MOSFET在應(yīng)用中充分發(fā)揮其性能,就必須設(shè)計(jì)一個(gè)適合應(yīng)用的...

2016-10-09 標(biāo)簽:MOSFET半橋驅(qū)動(dòng)電路 6.8萬(wàn) 0

安森美創(chuàng)新的ATPAK封裝汽車(chē)功率MOSFET

安森美半導(dǎo)體創(chuàng)新的ATPAK封裝不僅可使功率MOSFET外形更纖薄,其采用的夾焊技術(shù)更可實(shí)現(xiàn)達(dá)100 A的電流處理能力,極佳的散熱性確保安全性和更高可靠...

2016-08-08 標(biāo)簽:MOSFET安森美半導(dǎo)體 2.2k 0

采用自舉升壓結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)雙電壓mosfet驅(qū)動(dòng)電路

采用自舉升壓結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)雙電壓mosfet驅(qū)動(dòng)電路

自舉升壓電路的原理圖如圖1所示。所謂的自舉升壓原理就是,在輸入端IN輸入一個(gè)方波信號(hào),利用電容Cboot將A點(diǎn)電壓抬升至高于VDD的電平,這樣就可以在B...

2016-08-04 標(biāo)簽:mosfet驅(qū)動(dòng)電路 6.2k 0

功率mos管工作原理與幾種常見(jiàn)驅(qū)動(dòng)電路圖

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本文介紹功率mosfet工作原理、幾種常見(jiàn)的mosfet驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì),功率mosfet驅(qū)動(dòng)電路原理圖。

2016-08-04 標(biāo)簽:電路圖mosfet驅(qū)動(dòng)電路 3.8萬(wàn) 0

精華!兼容路創(chuàng)和Leviton調(diào)光器的LED燈絲燈解決方案

晶豐明源BP3216燈絲燈可控硅調(diào)光方案解決三大LED燈絲燈調(diào)光難題,BP3216內(nèi)部集成MOSFET,體積小,特別適合燈絲燈的應(yīng)用;采用源極驅(qū)動(dòng),DC...

2016-05-25 標(biāo)簽:MOSFET可控硅調(diào)光LED燈絲燈 5.4k 0

大功率應(yīng)用的高能效電源設(shè)計(jì)方案

本文介紹一種大屏電視等大功率應(yīng)用的高能效電源設(shè)計(jì)方案。它能突破電壓模式控制的諸多限制,具有更瞬速的動(dòng)態(tài)反應(yīng),可顯著實(shí)現(xiàn)輕載和滿(mǎn)載時(shí)的高能效及超低待機(jī)能耗。

2016-01-13 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源電源設(shè)計(jì) 4.6k 0

一體化,更智能:?jiǎn)涡酒苿?dòng)電源解決方案

自智能手機(jī)問(wèn)世起,移動(dòng)電源也一直亦步亦趨地跟隨發(fā)展,從最初的單一功能到多芯片、更加智能化的MCU芯片還有到現(xiàn)在一體化的單芯片方案。本方案采用目前最先進(jìn)的...

2016-01-12 標(biāo)簽:MCUMOSFET移動(dòng)電源 2.4k 0

為反向極性保護(hù)設(shè)計(jì)一個(gè)電路

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反向極性解決方案被看成是一個(gè)迫不得已、不得不做的事情。例如,在汽車(chē)系統(tǒng)中,搭線(xiàn)啟動(dòng)期間,防止電池反接或者電纜反向連接很重要,然而系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員也必須忍受反...

2015-12-14 標(biāo)簽:二極管MOSFET汽車(chē)電池 2.1萬(wàn) 0

有刷直流柵極驅(qū)動(dòng)器的演變

回望在電子產(chǎn)品領(lǐng)域奮戰(zhàn)的20年,我們已走過(guò)了漫漫長(zhǎng)路。2015年正發(fā)布的組件具有無(wú)與倫比的精細(xì)度和集成度。處理器速度更快,發(fā)光二極管(LED)亮度更高,...

2015-11-25 標(biāo)簽:集成電路MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器 1k 0

關(guān)于手機(jī)快充技術(shù)與鋰電池保護(hù)元件

鋰電池由于化學(xué)特性非?;钴S,所以增加充放電保護(hù)電路。隨著智能手機(jī)快速普及,手機(jī)電池容量越來(lái)越大,出現(xiàn)了快速充電的需求,在快速充電前30分鐘的大電流沖擊...

2015-11-25 標(biāo)簽:鋰電池Mosfet快充技術(shù) 2.6k 0

簡(jiǎn)化同步降壓-升壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)

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 針對(duì)工業(yè)和汽車(chē)應(yīng)用的降壓-升壓轉(zhuǎn)換器具有獨(dú)特的電源解決方案要求。在證明其易用性、高效率、小巧尺寸和較低的總體物料清單成本后,4開(kāi)關(guān)同步降壓-升壓轉(zhuǎn)換器...

2015-11-24 標(biāo)簽:MOSFET電源轉(zhuǎn)換器輸出電壓 3.3k 0

模塊電源的散熱應(yīng)對(duì)措施

本篇文章以實(shí)例為基準(zhǔn),分析一個(gè)設(shè)計(jì)方案中的模塊電源散熱問(wèn)題。本文的中的模塊采用100W,Vin24VVout5V,采用單管正激電路,使用的是UC384...

2015-09-22 標(biāo)簽:二極管MOSFET模塊電源 1.6k 0

幫你看懂已經(jīng)全面攻占iPhone的FinFET

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打開(kāi)這一年來(lái)半導(dǎo)體最熱門(mén)的新聞,大概就屬FinFET了,例如:iPhone 6s內(nèi)新一代A9應(yīng)用處理器采用新晶體管架構(gòu)很可能為鰭式晶體管(FinFET)...

2015-09-19 標(biāo)簽:MOSFETFinFET 5.2k 0

如何降低MOSFET損耗并提升EMI性能

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本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應(yīng)用,分析了MOSFET損耗特點(diǎn),提出了優(yōu)化方法;并且闡述了優(yōu)化方法與EMI之間的關(guān)系。

2015-09-18 標(biāo)簽:MOSFETEMI損耗分析 6.9k 0

基于MPS芯片的系統(tǒng)電源解決方案

隔離電源模塊可以高效解決各種端口干擾,開(kāi)關(guān)芯片轉(zhuǎn)換出各種系統(tǒng)所需電壓,LDO給MCU處理器提供穩(wěn)定可靠的電能。電源模塊與芯片方案需要互助互補(bǔ),各取所長(zhǎng)才...

2015-08-13 標(biāo)簽:MOSFETLDODC-DC 7.3k 0

幾種主流MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的分析

本文介紹并討論分析一下作者在研制開(kāi)關(guān)電源中使用的幾種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單可行的MOSFET管驅(qū)動(dòng)電路。##隔離的驅(qū)動(dòng)電路。

2015-04-01 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源驅(qū)動(dòng)電路 6.0萬(wàn) 1

CE系列高壓MOSFET:專(zhuān)為消費(fèi)類(lèi)電子和照明而生

英飛凌CE系列CoolMOS 是英飛凌公司專(zhuān)為消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品和照明產(chǎn)品推出的高壓功率MOSFET。##該案例為一款全球輸入范圍的15W充電器。##接下來(lái)...

2015-03-24 標(biāo)簽:MOSFETLED照明消費(fèi)電子 5k 1

關(guān)于防反接保護(hù)電路設(shè)計(jì)的討論

關(guān)于防反接保護(hù)電路設(shè)計(jì)的討論

通常情況下直流電源輸入防反接保護(hù)電路是利用二極管的單向?qū)щ娦詠?lái)實(shí)現(xiàn)防反接保護(hù)。另外還可以用二極管橋?qū)斎胱稣鳎@樣電路就永遠(yuǎn)有正確的極性。

2015-02-03 標(biāo)簽:二極管MOSFET保護(hù)電路 1.1萬(wàn) 3

高效高可靠性LED驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)心得技巧分享

近日,小編采訪了LED驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方面的資深達(dá)人DougBailey,他總結(jié)了設(shè)計(jì)工作中需要注意的問(wèn)題和親身設(shè)計(jì)心得、

2014-10-23 標(biāo)簽:MOSFETLED驅(qū)動(dòng) 4.6k 1

開(kāi)關(guān)電源電路開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)秘籍大全

歡迎來(lái)到電源設(shè)計(jì)小秘笈! 隨著現(xiàn)在對(duì)更高效、 更低成本電源解決方案需求的強(qiáng)調(diào),本文就各種電源管理課題提出一些對(duì)您有幫助的小技巧。無(wú)論您是從事電源業(yè)務(wù)多年...

2014-09-23 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源 1.4萬(wàn) 0

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  • IOT
    IOT
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    IoT是Internet of Things的縮寫(xiě),字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱(chēng)傳感網(wǎng),簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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    海思
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    STM32F103C8T6是一款集成電路,芯體尺寸為32位,程序存儲(chǔ)器容量是64KB,需要電壓2V~3.6V,工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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    基站測(cè)試
    +關(guān)注
    802.11ac與11基站測(cè)試(base station tests) 在基站設(shè)備安裝完畢后,對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別,802.11n無(wú)線(xiàn)網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng),802.11n怎么安裝。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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