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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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SiLM94112芯片應(yīng)用中過流保護功能及大電容負(fù)載啟動的應(yīng)對策略
SiLM94112 是一款帶有多種保護功能的十二路半橋驅(qū)動芯片,廣泛應(yīng)用于汽車應(yīng)用中的各種電機控制。
隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)因其優(yōu)異的性能,如高開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻和高工作溫度,逐漸成為高...
電子負(fù)載是一種通過電子元件(如功率場效應(yīng)管MOSFET或絕緣柵雙極型晶體管IGBT等功率半導(dǎo)體器件)吸收并消耗電能的設(shè)備。它不同于傳統(tǒng)的電阻負(fù)載,通過控...
晶體管的工作原理就像電子開關(guān),它可以打開和關(guān)閉電流。一個簡單的思考方法就是把晶體管看作沒有任何動作部件的開關(guān),晶體管類似于繼電器,因為你可以用它來打開或...
本文將繼上一篇文章之后,繼續(xù)介紹有刷電機驅(qū)動器的功耗計算方法。在上一篇中,介紹了有刷電機驅(qū)動器的典型驅(qū)動方法——恒壓驅(qū)動,本文將介紹有刷電機驅(qū)動器的另一...
描述:MOSFET的最大允許電壓。參數(shù):額定電壓 - VR (Voltage Rating)
2024-01-26 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管MOS管 3.2k 0
MOSFET與IGBT的選擇對比:中低壓功率系統(tǒng)的權(quán)衡
在功率電子系統(tǒng)中,MOSFET和IGBT是兩種常見的開關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于中低壓功率系統(tǒng)。它們各有優(yōu)缺點,適用于不同的應(yīng)用場景。作為FAE,幫助客戶理解這...
AI服務(wù)器電源的技術(shù)挑戰(zhàn)和元器件解決方案
縱觀當(dāng)今的科技圈,極熱鬧的賽道應(yīng)該非AI(人工智能)莫屬了。特別是近兩年隨著生成式AI的興起,AIGC大模型層出不窮,隨之也帶來了對算力資源需求井噴式的...
Buck-Boost轉(zhuǎn)換器是一種電力轉(zhuǎn)換裝置,能夠改變直流電壓的數(shù)值,實現(xiàn)升降壓的功能。其工作原理基于周期性的開關(guān)操作,通過控制開關(guān)元件的通斷狀態(tài)來實現(xiàn)...
2024-10-12 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETBuck-Boost 3.2k 0
用碳化硅MOSFET設(shè)計一個雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
電池供電的便攜設(shè)備越來越多,在今日生活中扮演的角色也越來越重要。這個趨勢還取決于高能量儲存技術(shù)的發(fā)展,例如鋰離子(Li-ion)電池和超級電容器。
2021-07-04 標(biāo)簽:電容器MOSFET升壓轉(zhuǎn)換器 3.2k 0
為MAX14922選擇合適的N溝道MOSFET用于高邊工業(yè)輸出應(yīng)用
本應(yīng)用筆記解釋了如何在高邊工業(yè)負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中選擇與MAX14922配合使用的合適的外部n溝道MOSFET。
如何在使用SiC MOSFET時最大限度地降低EMI和開關(guān)損耗
碳化硅 (SiC) MOSFET 的快速開關(guān)速度、高額定電壓和低導(dǎo)通 RDS(on) 使其對電源設(shè)計人員極具吸引力,這些設(shè)計人員不斷尋找提高效率和功率密...
LM3429-Q1 用于恒流 LED 驅(qū)動器的汽車 Simple N 通道控制器技術(shù)手冊
LM3429 是一款用于 LED 驅(qū)動器的多功能高壓 N 溝道 MosFET 控制器。 它 可以輕松配置為降壓、升壓、降壓-升壓和 SEPIC 拓?fù)?。這...
在當(dāng)今全球汽車工業(yè)駛向電動化的滾滾浪潮中,一項關(guān)鍵技術(shù)正以其顛覆性的性能改變著電動汽車整體市場競爭力的新格局,它便是基于碳化硅(SiC)材料打造的主驅(qū)逆變器。
在光伏逆變器、車載充電器及牽引逆變器等應(yīng)用領(lǐng)域中,由第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)制成的SiC MOSFET正逐步替代由傳統(tǒng)硅基(Si)制成的Si IGBT。
MOSFET驅(qū)動器功耗 MOSFET驅(qū)動器的功耗包含三部分: 由于MOSFET柵極電容充電和放電產(chǎn)生的功耗。 由于 MOSFET 驅(qū)動器吸收靜態(tài)電流而產(chǎn)...
Buck電路,又稱降壓式變換電路,是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的直流-直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器。其基本功能是將較高的直流輸入電壓轉(zhuǎn)換為較低的直流輸出電壓...
2024-08-28 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETbuck電路 3.2k 0
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