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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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功率轉(zhuǎn)換器中CoolSiC?MOSFET技術(shù)解析
功率轉(zhuǎn)換器中越來越多地使用碳化硅(SiC)晶體管,這對尺寸,重量和/或效率提出了很高的要求。與雙極IGBT器件相反,SiC出色的材料性能使它可以設(shè)計(jì)快速...
根據(jù)柵極電壓,觀察負(fù)載R1上流過的電流,看看MOSFET的導(dǎo)電性能如何。相對圖如圖3所示。對于–25 V至5.8 V之間的所有“柵極”電壓,該組件均保持...
2021-03-11 標(biāo)簽:MOSFET電源設(shè)計(jì) 3.1k 0
同步整流芯片U7612是一款高頻率、高性能、CCM 同步整流開關(guān),可以在GaN系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。
羅姆提供先進(jìn)器件的工業(yè)電機(jī)設(shè)計(jì)系統(tǒng)級方案
工業(yè)電機(jī)是電機(jī)應(yīng)用的關(guān)鍵領(lǐng)域,沒有高效的電機(jī)系統(tǒng)就無法搭建先進(jìn)的自動化生產(chǎn)線,由于應(yīng)用條件比較苛刻和對性能要求比較嚴(yán)格,設(shè)計(jì)復(fù)雜的工業(yè)電機(jī)系統(tǒng)涉及眾多元...
集成電路=IC:一種微型電子器件或部件。具體指采用半導(dǎo)體制備工藝,把一個(gè)電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起,制作在一小塊或幾小塊半...
新能源汽車電氣架構(gòu)與電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)
隨著整車電氣負(fù)載的增加、 電氣架構(gòu)的發(fā)展、 新型能源的涌現(xiàn), 電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)也隨之變革和優(yōu)化, 從開始的保障電網(wǎng)用電平衡、 用電安全, 逐步發(fā)展到電網(wǎng)的智...
BSIM5模型從基本的一維MOSFET物理學(xué)出發(fā),推導(dǎo)出基本的電荷和通道電流方程,然后將其擴(kuò)展到準(zhǔn)二維和三維情況,包括短通道、窄通道、多晶硅耗盡和量子力學(xué)效應(yīng)。
基本半導(dǎo)體1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore2 ED3系列介紹
基本半導(dǎo)體推出1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore2 ED3系列,采用新一代碳化硅芯片技術(shù),結(jié)合高性能Si3N4 AMB基板與銅基板封裝...
2026-01-23 標(biāo)簽:MOSFET功率模塊基本半導(dǎo)體 3.1k 0
?德州儀器DRV8329三相BLDC柵極驅(qū)動器深度解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments DRV8329/DRV8329-Q1三相BLDC柵極驅(qū)動器提供三個(gè)器件,每個(gè)器件均能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOS...
同步升壓電路是一種重要的電路設(shè)計(jì)方案,它通過將輸入電壓轉(zhuǎn)換為更高的輸出電壓,廣泛應(yīng)用于電源模塊、照明設(shè)備、電動汽車充電系統(tǒng)、太陽能和風(fēng)能儲能系統(tǒng)以及便攜...
2024-08-28 標(biāo)簽:MOSFET升壓電路開關(guān)元件 3.1k 0
微控制器PWM外設(shè)及其目標(biāo)負(fù)載的同步與防止相位延遲方案
大多數(shù)微控制器至少有一個(gè)脈沖寬度調(diào)制 (PWM) 外設(shè),以方波形式生成多個(gè)波形。這些 PWM 輸出可用于驅(qū)動同步負(fù)載,例如機(jī)械系統(tǒng)中的步進(jìn)電機(jī)和電源轉(zhuǎn)換...
ADI浪涌抑制器——為產(chǎn)品的可靠運(yùn)行保駕護(hù)航
傳統(tǒng)的過電壓(OV)和過流(OC)保護(hù)系統(tǒng)往往包括:用于過濾低能量尖峰的電容器和電感、用于過電壓保護(hù)的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)、用于直流過流保護(hù)的保險(xiǎn)絲...
DMX1015E在Type-C PD充電器的應(yīng)用原理
DMZ(X)1015E是具有超高閾值電壓的耗盡型MOSFET( ARK(方舟微)特有的超高閾值“UItraVt ^??^ ”專利技術(shù) ),利用該器件的亞...
全面解讀MOSFET結(jié)構(gòu)及設(shè)計(jì)詳解
MOSFET結(jié)構(gòu)、特性參數(shù)及設(shè)計(jì)詳解
2023-01-26 標(biāo)簽:MOSFET 3k 0
MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類型,但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的...
MOS晶體管是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,或金屬-絕緣體-半導(dǎo)體。MOS管的源漏是可互換的,它們是在P型背柵中形成的N形區(qū)域。在大多數(shù)情況下,這兩...
SiC MOSFET:通過波形的線性近似分割來計(jì)算損耗的方法
首先,計(jì)算開通和關(guān)斷時(shí)間內(nèi)消耗的功率損耗Pton和Ptoff。波形使用圖1中的示例波形。功率損耗使用表1中的近似公式來計(jì)算。由于計(jì)算公式會因波形的形狀而...
在過去的二十年間,MOSFET作為開關(guān)器件發(fā)展迅速。然而,由于MOSFET的通態(tài)功耗較高,導(dǎo)通電阻受擊穿電壓限制而存在一個(gè)極限,被稱為“硅極限”。為了突...
基于區(qū)域網(wǎng)的供電系統(tǒng)或有源乙太網(wǎng)系統(tǒng)方案
NCP1095/NCP1096還支援自動分類(Autoclass),這可使系統(tǒng)的效能提高,并且借由自動配對供電,可簡化線路設(shè)計(jì)流程與設(shè)定,優(yōu)化PD端的功率輸出。
2021-01-25 標(biāo)簽:MOSFET供電系統(tǒng)智慧家庭 3k 0
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