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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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碳化硅MOSFET在新能源行業(yè)有怎樣的應(yīng)用和發(fā)展
在碳化硅電力電子器件的研究中,SiC-MOSFET是最受關(guān)注的器件。在Si材料接近理論性能極限的今天,SiC功率器件由于具有耐壓高、損耗低、效率高等特點...
在離線應(yīng)用中采用UCC28056來優(yōu)化效率和待機功耗
隨著產(chǎn)品法規(guī)持續(xù)要求在這些關(guān)鍵領(lǐng)域提高性能,效率和待機功耗已成為離線應(yīng)用中關(guān)注的重點。這種關(guān)注需要采用復(fù)雜的功率策略以滿足這些要求,例如在低功耗模式下關(guān)...
2023-03-30 標簽:電源轉(zhuǎn)換器MOSFET 2.6k 0
如何將CoolMOS應(yīng)用于連續(xù)導(dǎo)通模式的圖騰柱功率因數(shù)校正電路
為了實現(xiàn)在圖騰柱PFC使用常見的開關(guān)器件,本文介紹預(yù)充電電路的解決方案。 相較采用寬禁帶半導(dǎo)體,此方案的功率半導(dǎo)體器件較普遍且容易取得,提供給使用者做為...
如何選取MOSFET,關(guān)于MOSFET相關(guān)基礎(chǔ)知識
插入式就是MOSFET的管腳穿過PCB板的安裝孔并焊接在PCB板上。常見的插入式封裝有:雙列直插式封裝(DIP)、晶體管外形封裝(TO)、插針網(wǎng)格陣列封...
2023-02-07 標簽:pcbMOSFET開關(guān)電源 2.6k 0
基于onsemi NTTFSSCH1D3N04XL MOSFET數(shù)據(jù)手冊的技術(shù)解析與應(yīng)用指南
安森美NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench? MOSFET設(shè)計用于處理大電流,這對于直流-直流電源轉(zhuǎn)換級至關(guān)重要。這款40V...
2025-11-22 標簽:MOSFET大電流電源轉(zhuǎn)換 2.6k 0
由于電子子系統(tǒng)在整個產(chǎn)品的可靠和安全運行中起著重要作用,因此建議在DC/DC降壓穩(wěn)壓器周圍增加一個過壓保護電路,以防止損壞最新的數(shù)字邏輯處理器,因為它們...
為設(shè)計選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應(yīng)用中,當一個MOSFET接地,而負載連接到干線電壓上時,該MOSFET就...
承受現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器絕緣能力的最大功率限制
對于IGBT/MOSFET驅(qū)動器電氣過應(yīng)力測試(EOS測試),設(shè)置了一個非常接近真實條件的電路。該電路包括適合功率范圍為5 kW至20 kW的逆變器的電...
TPS61187 白光LED驅(qū)動器芯片技術(shù)文檔總結(jié)
TPS61187器件為筆記本電腦LCD背光提供高度集成的白光二極管(WLED)驅(qū)動器解決方案。該器件具有內(nèi)置的高效升壓穩(wěn)壓器,集成了2A、40V功率MO...
納芯微全新推出光耦兼容的智能隔離單管驅(qū)動器NSi68515
納芯微單通道智能隔離式柵極驅(qū)動器NSi68515,專為驅(qū)動高達2121V直流母線電壓下的SiC MOSFET,IGBT而設(shè)計
半導(dǎo)體技術(shù)的最新進展推動了開關(guān)速度大于 1 太赫茲或每秒 1 萬億周期的晶體管的概念更接近現(xiàn)實。晶體管本質(zhì)上是半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的開關(guān),可以控制電流或電壓——這...
2021-06-14 標簽:MOSFET逆變器半導(dǎo)體技術(shù) 2.6k 0
MOSFET,全稱為Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),...
芯片DNA如何物理不可克隆的功能技術(shù)保護嵌入式系統(tǒng)
基于硬件的安全性提供了針對網(wǎng)絡(luò)攻擊的強大保護,當實現(xiàn)加密功能的芯片使用時,物理不可克隆功能(PUF)技術(shù)可以進一步增強該級別的保護。本應(yīng)用筆記討論了一種...
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種單極型半導(dǎo)體器件。 MOSFET的基本概念 MOSFET是一種利用電場控制半導(dǎo)體材料中電流流動的器件。...
IGBT是絕緣柵雙極型晶體管的縮寫,IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,它融合了...
MOSFET是一種常見的電壓型控制器件,具有開關(guān)速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅(qū)動功率小、動態(tài)范圍大、安全工作區(qū)域(SOA)寬等一系列的優(yōu)點,因...
2022-08-23 標簽:MOSFET開關(guān)電源電源IC 2.6k 0
在當代高科技領(lǐng)域中,絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)無疑是一顆耀眼的明星,其在電力控制、能源轉(zhuǎn)換和工業(yè)應(yīng)用等領(lǐng)域的不可替代地位,讓人們對其發(fā)展歷史產(chǎn)生濃厚...
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