【科普小貼士】MOSFET的結構和工作原理
(1)在漏極為正極的漏極和源極之間施加電壓。(漏極-源極電壓：VDS)
(2)在柵極為正極的柵極和源極之間施加電壓。(柵極-源極電壓：VGS)
(3)其結果是，電子被吸引到柵極絕緣膜下面的p型層上，部分p型層轉(zhuǎn)變?yōu)閚型區(qū)(p型層中的n型區(qū)稱為“反轉(zhuǎn)層(溝道)”)。
(4)當這個反轉(zhuǎn)層完成時，MOSFET漏極到源極將形成n層路徑。
(n+?n-? 反轉(zhuǎn)層(n)? n+)
(5)因此MOSFET在低電阻下工作，漏極電流由外加VDS和負載流決定。
圖3-6(a)平面柵極MOSFET的結構和工作原理
圖3-6(b)溝槽柵極MOSFET的結構和工作原理
審核編輯：湯梓紅
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發(fā)表于 06-13 10:07
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