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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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意法半導體推出40V STripFET F8 MOSFET晶體管
意法半導體近期推出了標準閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管系列。該系列晶體管融合了強化版溝槽柵技術(shù)的優(yōu)勢,并...
創(chuàng)新封裝將功率MOSFET散熱效率提升80%
創(chuàng)新封裝將功率MOSFET散熱效率提升80% 德州儀器 (TI) 公司采用創(chuàng)新的封裝技術(shù),面向高電流DC/DC應(yīng)用,推出5款目前業(yè)界首個采用封裝頂...
Vishay Siliconix采用P溝道TrenchFET Gen III技術(shù)的12V和30V MOSFET具有業(yè)界最低導通電阻
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新款采用熱增強型2mm x 2mm PowerPAK? ...
近日,安世半導體在線研討會聚焦BMS / Motor control / DCDC 等大電流、高功率密度應(yīng)用,深度解讀了額定功率高、電阻和熱阻較低、電流...
Vishay推出業(yè)內(nèi)首款通過汽車電子元件標準AEC-Q101認證的非對稱封裝雙芯片MOSFET
賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 12 月12 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:...
TPHR9003NL 是東芝電子設(shè)備與存儲公司開發(fā)的一款高性能 N 通道 MOSFET (金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管),它以其卓越的電氣性能和多功能性...
ROHM開發(fā)出實現(xiàn)超低導通電阻的新一代雙極MOSFET
ROHM繼2020年年底發(fā)布的新一代Pch MOSFET*2之后,此次又開發(fā)出在Nch中融入新微細工藝的第6代40V和60V耐壓的MOSFET。
龍騰半導體推出全新第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺
今天,龍騰半導體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開發(fā)的全新第三代(G3) 超結(jié) MOSFET技術(shù)平臺。
拒絕中途崩潰,節(jié)能穩(wěn)定的服務(wù)器如何設(shè)計?
服務(wù)器是一種管理計算資源的計算機,一般部署在需要對數(shù)據(jù)處理速度有高要求的企業(yè)中,例如網(wǎng)絡(luò)運行商、金融企業(yè)或是游戲公司等。在大數(shù)據(jù)智能時代,隨著新型移動終...
隨著新能源電動汽車行業(yè)的蓬勃發(fā)展,其動力系統(tǒng)的關(guān)鍵組件:IGBT及SiC MOSFET驅(qū)動件需求量十分可觀;為更好地迎合上述市場的需求,金升陽推出了高性...
MOSFET(金屬-氧化物半導體場效應(yīng)晶體管)是電子電路中常用的關(guān)鍵器件,尤其在開關(guān)電源、電機驅(qū)動等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。對于初學者會遇到不知如何識別G DS極...
雙向保護開關(guān)評估套件使用指南 在鋰電池應(yīng)用中,電池管理系統(tǒng)(BMS)至關(guān)重要,它能監(jiān)測電池狀態(tài)并確保安全運行。BMS通常配備電子開關(guān),在關(guān)鍵條件下將電池...
2025-12-20 標簽:MOSFET評估板雙向保護開關(guān)評估套件 1.2k 0
SiC MOSFET的設(shè)計挑戰(zhàn)——如何平衡性能與可靠性
碳化硅(SiC)的性能潛力是毋庸置疑的,但設(shè)計者必須掌握一個關(guān)鍵的挑戰(zhàn):確定哪種設(shè)計方法能夠在其應(yīng)用中取得最大的成功。
2023-05-04 標簽:MOSFETSiC開關(guān)損耗 1.2k 0
NP2300VR-M使用先進的戰(zhàn)壕 技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS(上)、低門電荷和高密度細胞設(shè)計超低導通電阻。本設(shè)備適用于作為負載 在PWM開關(guān)或應(yīng)用程序。
MG400Q2YMS3 碳化硅 N 溝道 MOSFET 模塊解析:特點與應(yīng)用
隨著現(xiàn)代工業(yè)技術(shù)的快速發(fā)展,功率電子器件在能源轉(zhuǎn)換與控制領(lǐng)域發(fā)揮著越來越重要的作用。Toshiba 推出的MG400Q2YMS3 碳化硅 (SiC) N...
隨著人工智能(AI)技術(shù)的迅猛發(fā)展,為AI處理器提供高效、可靠的電源供應(yīng),成為了一個不容忽視的挑戰(zhàn)。想要應(yīng)對這一挑戰(zhàn),打造新一代功率器件是關(guān)鍵的一環(huán)。
采用高可信度的MOSFET模型進行基于模型的功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計
在設(shè)計功率轉(zhuǎn)換器時,可以使用仿真模型在多個設(shè)計維度之間進行權(quán)衡。使用有源器件的簡易開關(guān)模型可以進行快速仿真,帶來更多的工程洞見。然而,與制造商精細的器件...
2022-09-21 標簽:MOSFET 1.2k 0
業(yè)內(nèi)預期未來IDM大廠釋單趨勢“只會增加不會減少” 可望持續(xù)受惠此趨勢
由于物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用逐漸成熟,全球IC設(shè)計公司積極投入新產(chǎn)品開發(fā)應(yīng)用,以及汽車載入電子科技或是電動車開發(fā),帶動車用電子需求快速攀升。
STGAP3S系列具備快速去飽和保護和靈活的米勒鉗位功能,專為工業(yè)和能源應(yīng)用設(shè)計。這款柵極驅(qū)動器具有高CMTI,能夠滿足現(xiàn)今對電流能力和保護功能的最新要...
新品 | 第二代CoolSiC? MOSFET G2 750V - 工業(yè)級與車規(guī)級碳化硅功率器件
新品第二代CoolSiCMOSFETG2750V-工業(yè)級與車規(guī)級碳化硅功率器件第二代750VCoolSiCMOSFET憑借成熟的柵極氧化層技術(shù),在抗寄生...
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