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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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2026年eVTOL無人飛行器大功率無線充電系統(tǒng)MOSFET深度選型方案
在2026年低空經(jīng)濟與航空電動化深度融合的背景下,eVTOL(電動垂直起降飛行器)對地面保障設(shè)備的自動化、無觸點化提出了極高要求。大功率無線充電不僅解決...
Nexperia推出40-100V汽車MLPAK MOSFET
Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日推出40-100 V汽車MOSFET產(chǎn)品組合,該系列采用行業(yè)標準微引腳封裝,專為車身控制、信息娛樂、電池防反保護及LE...
使用微型MOSFET實現(xiàn)高效的開/關(guān)開關(guān)
雖然尺寸至關(guān)重要,但在許多方面,Nexperia的DFN0603 MOSFET的真正優(yōu)勢在于其RDSon。提供額定 VGS 為 4.5 V 的選項,...
MAX5971A IEEE 802.3af/at-compl
MAX5971A IEEE 802.3af/at-compliant, single-port PSE controller with integrat...
2010-05-13 標簽:MOSFET 1.1k 0
ROHM開發(fā)出安裝可靠性高的10種型號、3種封裝的車載Nch MOSFET
在汽車領(lǐng)域,隨著安全性和便捷性的提高,電子產(chǎn)品逐漸增加,使得所安裝的電子元器件數(shù)量也與日俱增,而且,為了提高燃油效率和降低電耗,還要求降低這些產(chǎn)品的功耗...
快捷(Fairchild)擴大發(fā)光二極體(LED)照明驅(qū)動器解決方案產(chǎn)品陣容,提供最佳化的低功率產(chǎn)品,可協(xié)助設(shè)計人員克服有限的電路板面積、滿足電路保護和...
2012-07-27 標簽:MOSFETled驅(qū)動器低功率 1.1k 1
考慮到SiC MOSFET在高壓應(yīng)用中 與IGBT相比的技術(shù)優(yōu)勢,人們顯然會為新設(shè)計選擇寬帶隙組件,尤其是在應(yīng)用中驅(qū)動高功率密度和低損耗的情況下。
專有的 Optoplanar 封裝技術(shù)助力高級 2.5 A 輸出光電耦合器
該光電耦合器可實現(xiàn)快速開關(guān)驅(qū)動功率 IGBT 和 MOSFET ,同時提高系統(tǒng)效率,絕緣工作電壓額定值 (VIORM) 為 1,414 V,比競爭產(chǎn)品高...
描述 NP2301FHR采用先進的戰(zhàn)壕 技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵 在極低電壓的情況下進行充電和操作 1.8 v。該裝置適用于負載開關(guān) 或在PW...
LCE15P25JK替代IRF6215SPDF傳導(dǎo)騷擾CE問題分析
場效應(yīng)管MOSFET為壓控元件,廣泛應(yīng)用于消費電子、電動交通工具、電源管理、工業(yè)應(yīng)用、照明等領(lǐng)域。 MOSFET只要加到它的壓控元件所需電壓就能使它導(dǎo)通...
2020-06-06 標簽:三極管MOSFET場效應(yīng)管 1.1k 0
BMF240R12E2G3成為新一代工商業(yè)儲能變流器(PCS)首選的SiC MOSFET功率模塊
BMF240R12E2G3憑借 低損耗、高耐壓、強散熱、高集成度及完整生態(tài)支持 ,成為工商業(yè)儲能PCS的理想選擇。其通過優(yōu)化動態(tài)特性與熱管理,顯著提升系...
TI推出具備板載功率MOSFET的全集成型雙路功率驅(qū)動器
TI推出具備板載功率MOSFET的全集成型雙路功率驅(qū)動器 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款具備集成型功率 MOSFET、保護模塊以及監(jiān)控特性的數(shù)...
英飛凌第二代1200V CoolSiC? MOSFET品質(zhì)因數(shù)(FOM)介紹
品質(zhì)因數(shù)FOM是半導(dǎo)體性能的量化指標之一。MOSFET的FOM由漏-源導(dǎo)通電阻與器件的一個或多個參數(shù)的乘積得出。FOM值越低,器件性能越好。如下是對Si...
中微半導(dǎo)體帶你見證國產(chǎn)功率半導(dǎo)體崛起
? ? 作為現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ),功率半導(dǎo)體器件在物聯(lián)網(wǎng)、新能源、節(jié)能環(huán)保、智能電網(wǎng)及電機等各領(lǐng)域廣泛應(yīng)用,國產(chǎn)功率半導(dǎo)體市場也迎來良好的發(fā)展前景和巨大的...
2022-12-06 標簽:mcuMOSFET中微半導(dǎo)體 1.1k 0
日本團隊開發(fā)出一種“常關(guān)”鉆石 MOSFET
MOSFET是一種MOS結(jié)構(gòu)的場效應(yīng)晶體管(FET),具有高速、低導(dǎo)通電阻、高擊穿電壓的特點,特別適合作為電機驅(qū)動的開關(guān)元件,高速開關(guān)大電流等已經(jīng)完成。
2023-12-29 標簽:MOSFET晶體管場效應(yīng)晶體管 1.1k 0
新品 | 采用電平位移驅(qū)動器和碳化硅SiC MOSFET交錯調(diào)制圖騰柱5kW PFC評估板
新品采用電平位移驅(qū)動器和碳化硅SiCMOSFET交錯調(diào)制圖騰柱5kWPFC評估板電子設(shè)備會污染電網(wǎng),導(dǎo)致電網(wǎng)失真,威脅著供電系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。為此,電...
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