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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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近日,銳駿半導體正式推出了兩款全新的MOSFET產(chǎn)品,分別是N溝道RUH1H80R-A(100V/80A)和P溝道RU40P30L(-40V/-30A)...
Wolfspeed榮獲2025年度功率器件碳化硅行業(yè)卓越獎
作為碳化硅 (SiC) 行業(yè)全球引領者的 Wolfspeed 公司在今年正式推出了全新第四代 (Gen 4) 碳化硅 MOSFET 技術平臺與 1200...
貿(mào)澤電子與SemiQ簽署全球分銷協(xié)議 分銷碳化硅電源產(chǎn)品組合
SemiQ SiC MOSFET模塊在高溫下的導通電阻較低,并具有出色的開關性能,可以簡化電力電子系統(tǒng)的散熱設計,非常適合用于光伏逆變器、電源、電機驅動...
合科泰解析LED背光驅動中MOSFET先短路后開路的故障原因
在LED背光驅動的升壓電路中,功率MOSFET出現(xiàn)先短路后開路的損壞情況,是一種典型的故障過程。先因電氣過載導致芯片內部擊穿短路,隨后因大電流燒斷內部連...
基本半導體650V碳化硅MOSFET產(chǎn)品線深度研究報告
在全球能源結構轉型與電氣化浪潮的推動下,功率半導體作為電能轉換的核心樞紐,其技術迭代速度正以前所未有的態(tài)勢加速。硅(Si)材料在接近其物理極限的背景下,...
合科泰解析MOSFET在48V輕混系統(tǒng)電源管理中的應用
隨著全球汽車電動化浪潮的加速,48V輕混系統(tǒng)(MHEV)憑借其高效、低成本的優(yōu)勢,正成為傳統(tǒng)燃油車向純電動汽車過渡的重要技術路徑。48V輕混系統(tǒng)通過集成...
飛兆半導體小體積低導通阻抗單一P溝道PowerTrench MOSFET
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 現(xiàn)為手機和其它超便攜應用的設計人員提供一款P溝道PowerTrench MOSFET器...
新品 | CoolSiC? MOSFET 400V與440V第二代器件
新品CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件兼具高魯棒性、超低開關損耗與低通態(tài)電阻等...
?MOSFET的參數(shù)性能是選型的關鍵,而決定其性能的是關鍵工藝參數(shù)調控。作為國家級高新技術企業(yè),合科泰深入平面與溝槽等工藝的協(xié)同,致力于在氧化層厚度、溝...
2025-07-10 標簽:MOSFET 858 0
SCT51240—單通道下管IGBT/MOSFET柵極驅動器
芯洲的SCT51240是一款寬供電電壓、單通道、高速、低測柵極驅動器,適用于功率MOSFET,IGBT和寬禁帶器件,例如氮化鎵功率器件等驅動。 提供高達...
SCT1270、SCT1271高效同步升壓轉換器,完全集成了17mΩ高壓側MOSFET和14mΩ低壓側MOSFET,具有2.7V至12V的寬輸入電壓范圍...
深入解析LM5050 - 2:高效高側OR-ing FET控制器
深入解析LM5050 - 2:高效高側OR-ing FET控制器 在電子設計領域,電源管理是一個至關重要的環(huán)節(jié)。對于需要高可用性的系統(tǒng),冗余電源的設計尤...
2026-02-28 標簽:MOSFET電源管理LM5050 - 2 856 0
新品 | CoolMOS? CFD7 SJ高壓超結MOSFET 650V系列
新品CoolMOSCFD7SJ高壓超結MOSFET650V系列650VCoolMOSCFD7是英飛凌最新高壓超結MOSFET技術,集成快速體二極管,完善...
面向AI醫(yī)療監(jiān)護儀高效可靠電源管理的MOSFET選型策略與器件適配手冊
隨著智慧醫(yī)療與遠程監(jiān)護的快速發(fā)展,AI醫(yī)療監(jiān)護儀已成為生命體征連續(xù)監(jiān)測與數(shù)據(jù)分析的核心設備。其內部電源管理、電機驅動及信號隔離系統(tǒng)為傳感器、處理器、顯示...
為何國產(chǎn)650V碳化硅MOSFET成為超結MOSFET的噩夢
國產(chǎn)650V碳化硅(SiC)MOSFET之所以成為超結(Super Junction, SJ)MOSFET的“噩夢”,主要源于其在性能、成本、應用場景及...
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