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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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SiC模塊短路保護(DESAT)消隱時間優(yōu)化:防止在高dv/dt切換瞬間誤觸發(fā)的硬件濾波設(shè)計
在現(xiàn)代高功率密度與高頻電力電子變換系統(tǒng)中,碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)憑借其寬禁帶特性、高達 3.26 eV 的禁帶寬度...
如何選擇節(jié)能、高效的MOSFET 前不久,能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求,同時進一步降低待機功耗要求。例
2009-09-03 標(biāo)簽:MOSFET 778 0
CCPAK1212封裝將再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現(xiàn)
提供超低RDS(on)和超高的電流與熱管理能力 ? 奈梅亨,2024 年12 月12 日 :Nexperia今日宣布推出16款新80 V和100 V功率...
2024-12-16 標(biāo)簽:MOSFET 775 0
合科泰為您講解如何基于MOSFET的工作電壓與電流特性進行選型,確認最大工作電壓、耐久等級、評估瞬態(tài)電壓風(fēng)險;計算負載電流、選定額定電流與散熱設(shè)計、關(guān)注...
一、技術(shù)原理與核心差異 1. 回饋式電子負載 通過雙向電力電子變換技術(shù)(如PWM整流、逆變控制)實現(xiàn)電能回饋至電網(wǎng)或儲能系統(tǒng),核心模塊包括整流/逆變電路...
傾佳代理的基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET分立器件產(chǎn)品力及應(yīng)用深度分析
傾佳代理的基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET分立器件產(chǎn)品力及應(yīng)用深度分析 I. 執(zhí)行摘要 (Executive Summary) 基本半導(dǎo)體(BASiC Se...
2025-10-21 標(biāo)簽:MOSFET基本半導(dǎo)體 773 0
合科泰揭秘低成本不隔離互補MOSFET驅(qū)動電路優(yōu)化方法
在設(shè)計無需隔離的互補MOSFET驅(qū)動電路時,如何在控制成本的同時保證電路穩(wěn)定可靠,是一個核心難題。這種電路結(jié)構(gòu)簡單、元件少,常用于消費電子和小功率電源。
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國...
上海貝嶺車規(guī)級MOSFET BLQ3N120入選2025中國汽車芯片創(chuàng)新成果
近日,中國汽車工業(yè)協(xié)會公示 2025 中國汽車芯片創(chuàng)新成果推薦名單,上海貝嶺自主研發(fā)的車規(guī)級、特高壓平面MOSFET BLQ3N120 成功入選。該活動...
賦能SiC碳化硅MOSFET電源應(yīng)用:BTD25350MMCWR雙通道隔離型門極驅(qū)動器
賦能SiC碳化硅MOSFET電源應(yīng)用:BTD25350MMCWR雙通道隔離型門極驅(qū)動器 ——傾佳電子攜手基本半導(dǎo)體,為新能源與工業(yè)電源注入強“芯”動力 ...
34mm半橋SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工業(yè)電源領(lǐng)域的應(yīng)用價值與技術(shù)革新
深度解析基本半導(dǎo)體34mm半橋SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工業(yè)電源領(lǐng)域的應(yīng)用價值與技術(shù)革新 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半...
意法半導(dǎo)體工業(yè)級40V和100V STripFET F8 MOSFET概述
STripFET F8與上一代產(chǎn)品相比,品質(zhì)因數(shù) (FoM) 提高了40%,有助于工程師設(shè)計出更緊湊、功率密度更高的功率級,適用于計算機和外設(shè)應(yīng)用、數(shù)據(jù)...
2025-10-10 標(biāo)簽:MOSFET意法半導(dǎo)體 767 0
破浪前行 追光而上——向國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)勞動者致敬
破浪前行 追光而上——向國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)勞動者致敬 值此五一勞動節(jié)之際,我們向奮戰(zhàn)在國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)業(yè)一線的科研人員、...
WT5105集成非隔離式電源控制器,高雪崩能力功率MOSFET,內(nèi)部集成650 VMOSFET,用于外圍元 器件精簡的小功率非隔離開關(guān)電源。多模式輸出:...
基于全SiC碳化硅MOSFET功率模塊打造100KW及125KW三相四線制混合式逆變器
光伏混合逆變器(簡稱“混逆”)在100-125kW功率段主要面向工商業(yè)場景,其設(shè)計融合了并網(wǎng)發(fā)電與儲能管理能力,綜合優(yōu)勢顯著。 100–125kW混逆的...
芯塔電子推出1200V/16mΩ TO-247-4封裝SiC MOSFET產(chǎn)品TM4G0016120K
芯塔電子近日推出新一代1200V/16mΩ TO-247-4封裝SiC MOSFET——TM4G0016120K。該產(chǎn)品集成了多項技術(shù)創(chuàng)新,為工業(yè)電...
芯塔電子推出1200V/12mΩ TO-247-4封裝SiC MOSFET產(chǎn)品TM4G0012120K
芯塔電子近日推出新一代1200V/12mΩ TO-247-4封裝SiC MOSFET——TM4G0012120K。該產(chǎn)品集成了多項技術(shù)創(chuàng)新,為工業(yè)電源、...
銷售培訓(xùn)手冊:SiC碳化硅MOSFET功率半導(dǎo)體的工程化應(yīng)用與市場破局
傾佳電子有限公司銷售團隊深度技術(shù)賦能與銷售培訓(xùn)手冊:SiC碳化硅MOSFET功率半導(dǎo)體的工程化應(yīng)用與市場破局 第一章 執(zhí)行摘要與戰(zhàn)略定位 1.1 全球功...
2025-12-23 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 753 0
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