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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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安意法合資工廠通線啟示:國(guó)產(chǎn)自主品牌碳化硅功率半導(dǎo)體的自強(qiáng)之路
近日,三安光電與意法半導(dǎo)體在重慶合資設(shè)立的安意法半導(dǎo)體碳化硅晶圓工廠正式通線,預(yù)計(jì)2025年四季度批量生產(chǎn),形成了合資碳化硅功率器件的鯰魚(yú)效應(yīng),結(jié)合過(guò)去...
2025-03-01 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體碳化硅 1.4k 0
超結(jié)MOSFET升級(jí)至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動(dòng)力分析
隨著B(niǎo)ASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級(jí)疊加價(jià)格低于進(jìn)口超結(jié)MOSFET,不少客戶已經(jīng)開(kāi)始動(dòng)手用國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全...
新品 | 100V耐壓360A電流 MOSFET 高效能 小體積TOLL封裝——開(kāi)啟電源管理新紀(jì)元
在現(xiàn)代智能電子設(shè)備中,體積與效率的博弈從未停止。為應(yīng)對(duì)5G、新能源、汽車(chē)電子對(duì)高密度設(shè)計(jì)的需求,其中,MOSFET作為電源管理的核心器件,我們KUU原廠...
隨著可再生能源的崛起和電動(dòng)汽車(chē)的普及,全球?qū)Ω咝堋⒌湍芎碾娏﹄娮悠骷男枨笕找嬖黾?。在這一背景下,碳化硅(SiC)MOSFET作為一種新型寬禁帶半導(dǎo)體...
BTP1521P/F是碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)隔離供電的性價(jià)比最優(yōu)解
在碳化硅(SiC)功率器件快速替代硅基器件的趨勢(shì)中,驅(qū)動(dòng)隔離供電方案的性能與成本成為關(guān)鍵制約因素?;景雽?dǎo)體的 BTP1521P 和 BTP1521F ...
WD5208高性能低功耗PWM控制功率開(kāi)關(guān),集成500V高壓MOSFET和高壓?jiǎn)?dòng)電路
WD5208詳解和應(yīng)用
2025-02-25 標(biāo)簽:MOSFETPWM功率開(kāi)關(guān) 1k 0
國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET在T型三電平拓?fù)渲械膽?yīng)用分析
分析BASiC基本股份(BASiC Semiconductor) 兩個(gè)SiC MOSFET型號(hào)(B3M040065Z和B3M040120Z)在T型三電平...
英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC MOSFET 650 V G2
【2025年2月20日, 德國(guó)慕尼黑訊】 電子行業(yè)正在向更加緊湊而強(qiáng)大的系統(tǒng)快速轉(zhuǎn)型。為了支持這一趨勢(shì)并進(jìn)一步推動(dòng)系統(tǒng)層面的創(chuàng)新,全球功率系統(tǒng)、汽車(chē)和物...
意法半導(dǎo)體STGAP3S系列隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器概述
STGAP3S系列具備快速去飽和保護(hù)和靈活的米勒鉗位功能,專為工業(yè)和能源應(yīng)用設(shè)計(jì)。這款柵極驅(qū)動(dòng)器具有高CMTI,能夠滿足現(xiàn)今對(duì)電流能力和保護(hù)功能的最新要...
2025-02-21 標(biāo)簽:MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器碳化硅 1.2k 0
聯(lián)合電子新一代車(chē)載充配電單元產(chǎn)品批量交付
近日,聯(lián)合電子新一代車(chē)載充配電單元產(chǎn)品CharCON5U成功實(shí)現(xiàn)批量交付。這款產(chǎn)品最大的亮點(diǎn)將車(chē)載充電機(jī)(OBC,On-board Charger)和高...
2025-02-19 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET車(chē)載充電機(jī) 2.3k 0
IGBT的演進(jìn)歷程:從起源到現(xiàn)狀的全面探索
一文了解IGBT的前世今生 引言 1、何為IGBT? 2、傳統(tǒng)的功率MOSFET 為了等一下便于理解IGBT,我還是先講下Power MOSFET的結(jié)構(gòu)...
Wolfspeed發(fā)布第4代MOSFET技術(shù)平臺(tái)
近日,碳化硅技術(shù)領(lǐng)域的全球領(lǐng)軍企業(yè)Wolfspeed推出了其全新的第4代MOSFET技術(shù)平臺(tái)。該平臺(tái)在設(shè)計(jì)之初就充分考慮了耐久性和高效性,旨在為高功率應(yīng)...
帝奧微電子推出多通道半橋預(yù)驅(qū)系列DIA58104/8
DIA58104/8是帝奧微最新推出的多通道半橋預(yù)驅(qū)系列,采用7mm x 7mm的QFN封裝,可控制多達(dá)8個(gè)半橋(最多16個(gè)n溝道MOSFET),為系統(tǒng)...
2025-02-17 標(biāo)簽:MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器帝奧微電子 1.8k 0
全球范圍內(nèi),綠色低碳的浪潮正以不可阻擋之勢(shì)席卷各個(gè)行業(yè)。其中,汽車(chē)行業(yè)所受影響尤為深遠(yuǎn)。在這場(chǎng)電氣化轉(zhuǎn)型的洪流中,車(chē)載MOSFET作為汽車(chē)電子系統(tǒng)的核心...
國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET和隔離驅(qū)動(dòng)的真空鍍膜電源設(shè)計(jì)方案
傾佳電子楊茜為客戶提供BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)全國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET和隔離驅(qū)動(dòng)的真空鍍膜電源設(shè)計(jì)方案,助力射頻電源...
2025-02-13 標(biāo)簽:MOSFET電源設(shè)計(jì) 1.3k 0
BASiC基本股份國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)品線概述
傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊,助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)! 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅M...
橋式電路中碳化硅MOSFET替換超結(jié)MOSFET技術(shù)注意事項(xiàng)
在橋式電路中,國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET(如BASiC基本股份)替換超結(jié)(SJ)MOSFET具有顯著優(yōu)勢(shì),但也需注意技術(shù)細(xì)節(jié)。傾佳電子楊茜從性能優(yōu)...
新品 | 集成溫度傳感器工業(yè)和汽車(chē)級(jí)CoolMOS? S7T和S7TA SJ MOSFET 10mΩ
新品集成溫度傳感器工業(yè)和汽車(chē)級(jí)CoolMOSS7T和S7TASJMOSFET10mΩ,采用Q-DPAKTSC和BSC封裝CoolMOSS7T和S7TA現(xiàn)...
MDD辰達(dá)半導(dǎo)體通過(guò)IATF 16949認(rèn)證
近日,安徽辰達(dá)半導(dǎo)體有限公司與母公司深圳辰達(dá)半導(dǎo)體有限公司(以下合并簡(jiǎn)稱“MDD辰達(dá)半導(dǎo)體”)共同接受了全球領(lǐng)先認(rèn)證機(jī)構(gòu)德國(guó)TüV萊茵的IATF 169...
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