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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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7 月 8 日至 10 日,2024 年慕尼黑上海電子展 ( electronica China ) 在上海新國際博覽中心召開。開展當(dāng)天,Vishay ...
硬件工程師如何做元器件變更的決策某產(chǎn)品在從研發(fā)轉(zhuǎn)規(guī)模生產(chǎn)階段,采購部門給硬件工程師推薦了新的MOSFET(稱為A),該物料比該產(chǎn)品研發(fā)階段使用的MOSF...
Vishay SQJQ140E速寫:這才是理想的車用MOSFET該有的樣子
如果讓你為理想的車用 MOSFET “畫個像”,那該是什么模樣? 首先,它需要滿足嚴(yán)格的車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的要求,具有很高的可靠性;其次在能效方面,它也應(yīng)該有出色...
MDD辰達(dá)半導(dǎo)體將參加2024慕尼黑上海電子展
慕尼黑上海電子展(electronica China)將于2024年7月8-10日在上海新國際博覽中心舉辦,展示領(lǐng)域緊跟行業(yè)重點,并根據(jù)行業(yè)實時熱點融入...
MT3287 N溝道場效應(yīng)管70V,80A,6.8mΩ。
MT3287 N溝道場效應(yīng)管是一款高性能的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和系統(tǒng)中。其獨特的70V耐壓、80A的電流承載能力以及6.8毫歐的低電阻特性...
2024-07-04 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)管 2.1k 0
2024英飛凌寬禁帶論壇倒計時丨多款創(chuàng)新產(chǎn)品首次亮相
英飛凌致力于通過其創(chuàng)新的寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體技術(shù)推進(jìn)可持續(xù)能源解決方案。本次英飛凌寬禁帶論壇將首次展出多款CoolSiC創(chuàng)新產(chǎn)品,偕同英飛凌智能家居方...
江西薩瑞微電子亮相2024泰國電子展,圓滿收官,感謝一路同行!
我們在2024年泰國國際電子元器件及生產(chǎn)設(shè)備展會上,順利地落下了帷幕。這次展會對我們來說,可以說是收獲滿滿,精彩不斷。現(xiàn)在就讓我們一起回顧一下這段難忘的...
Nexperia 2N7002BK,215 N溝道MOSFET中文參數(shù)資料_封裝尺寸_焊腳說明
Nexperia2N7002BK,215N溝道MOSFET是一款高效能的Trench MOSFET,設(shè)計用于表面貼裝技術(shù),適合各種高頻和高效能的應(yīng)用。其...
2024-07-01 標(biāo)簽:繼電器MOSFET數(shù)據(jù)傳輸 2.9k 0
意法半導(dǎo)體引領(lǐng)車規(guī)功率開關(guān)新紀(jì)元:VNF9Q20F系列正式量產(chǎn)
在科技日新月異的今天,汽車電子領(lǐng)域正迎來一場革命性的變革。2024年6月27日,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectron...
2024-06-28 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)意法半導(dǎo)體 1.9k 0
在新能源市場迅猛發(fā)展的浪潮中,功率器件作為電力電子變換系統(tǒng)的核心部件,其能效和封裝性能的提升顯得尤為重要。為了滿足市場對高性能功率器件的迫切需求,揚杰科...
與傳統(tǒng)的香煙相比,電子霧化器不僅滿足了吸煙者的口感需求,還通過先進(jìn)的技術(shù)手段,減少了有害物質(zhì)的釋放。然而,我們也不能忽視其安全性。今天,我們來探討一下仁...
基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET通過車規(guī)級認(rèn)證,為汽車電子注入新動力
近日,中國半導(dǎo)體行業(yè)的佼佼者——基本半導(dǎo)體公司,再次在科技領(lǐng)域邁出堅實步伐。該公司自主研發(fā)的1200V 80mΩ碳化硅MOSFET AB2M080120...
2024-06-26 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅基本半導(dǎo)體 1.9k 0
本土IDM廠商SiC MOSFET新進(jìn)展,將應(yīng)用于車載電驅(qū)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/梁浩斌)2024年已過半,可以發(fā)現(xiàn)800V平臺電動汽車在近半年時間里降本效應(yīng)明顯,最低價的800V平臺車型極狐阿爾法T5和小鵬G6...
替代LTC4449高速同步N道溝MOSFET柵極驅(qū)動器
1.?產(chǎn)品特性 ??15ns 典型傳播延遲 ??5ns 高側(cè)/低側(cè)匹配 ??軌至軌柵極驅(qū)動 ??自適應(yīng)死區(qū)和直通保護(hù) ??3A 峰值拉電流和 4.5A?...
瞻芯電子SiC MOSFET技術(shù)新突破,車規(guī)級產(chǎn)品正式量產(chǎn)
在半導(dǎo)體技術(shù)的浪潮中,上海瞻芯電子科技股份有限公司(簡稱“瞻芯電子”)以其卓越的研發(fā)實力和不懈的創(chuàng)新精神,再次書寫了行業(yè)的新篇章。近日,瞻芯電子基于第三...
瞻芯電子第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET通過車規(guī)級可靠性測試認(rèn)證
近日,上海瞻芯電子科技股份有限公司(簡稱“瞻芯電子”)基于第三代工藝平臺開發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品(IV3Q12013T4...
瑞能半導(dǎo)體亮相閃耀SNEC,展現(xiàn)光伏領(lǐng)域創(chuàng)新成果
本屆SNEC展會規(guī)??涨埃状握桂^設(shè)置在國家會展中心,展覽面積從去年的27萬㎡拓展至如今的40萬㎡,吸引了來自全球95個國家和地區(qū)的3100多家展商以及...
2024-06-22 標(biāo)簽:MOSFET瑞能半導(dǎo)體光伏儲能 1.4k 0
安世半導(dǎo)體受邀參加2024第三代半導(dǎo)體技術(shù)與產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新發(fā)展論壇
在高頻高壓應(yīng)用領(lǐng)域,寬禁帶材料不可替代的優(yōu)勢正在加速相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與落地應(yīng)用。制造技術(shù)的進(jìn)步,也讓其成本更有競爭力。需求拉動疊加成本降低,寬禁帶半導(dǎo)體的...
2024-06-19 標(biāo)簽:MOSFET寬禁帶半導(dǎo)體安世半導(dǎo)體 1.9k 0
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