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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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揚(yáng)杰科技發(fā)布高效SJ MOSFET,賦能新能源市場(chǎng)
在新能源市場(chǎng)迅猛發(fā)展的浪潮中,功率器件作為電力電子變換系統(tǒng)的核心部件,其能效和封裝性能的提升顯得尤為重要。為了滿足市場(chǎng)對(duì)高性能功率器件的迫切需求,揚(yáng)杰科...
2024-06-28 標(biāo)簽:MOSFET封裝揚(yáng)杰科技 1.3k 0
800V高壓超充技術(shù)興起,國(guó)內(nèi)SiC MOSFET產(chǎn)業(yè)誰(shuí)受益?
憑借耐高壓、耐高溫和高頻等優(yōu)越的物理特性,SiC-MOSFET有望在新能源汽車(chē)800V高壓超充時(shí)代替代Si IGBT,并在主驅(qū)逆變器、充電樁、OBC、D...
碳化硅功率器件是一類基于碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件,常見(jiàn)的碳化硅功率器件包括碳化硅MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)、碳化硅Schottky二...
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR)近日推出新的車(chē)用MOSFET系列,適合要求低導(dǎo)通電阻的一系列應(yīng)用,包括傳統(tǒng)內(nèi)...
使用碳化硅功率模塊的e-Axle用逆變器簽署聯(lián)合開(kāi)發(fā)協(xié)議
通過(guò)此次的共創(chuàng)項(xiàng)目,羅姆將能夠從整車(chē)層面深入了解功率半導(dǎo)體要具備的性能和更好的驅(qū)動(dòng)方法,這將有助于今后開(kāi)發(fā)出更具競(jìng)爭(zhēng)力的碳化硅MOSFET和模塊。
碳化硅成分,碳和硅分別是銀河系中第四大和第八大元素。盡管如此,它很少自然地出現(xiàn)在地球上,只有在隕石和一些巖石沉積物中發(fā)現(xiàn)的微小痕跡。不過(guò),它可以很容易地...
Wolfspeed SiC TOLL MOSFET榮獲2022年全球電子成就獎(jiǎng)
Wolfspeed 650V 碳化硅 MOSFET 針對(duì)高性能電力電子應(yīng)用優(yōu)化設(shè)計(jì),適合企業(yè) / 服務(wù)器 / 通信電源、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車(chē)充電系統(tǒng)、電池...
Vishay推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的-30 V P溝道MOSFET,可提高能效和功率密度
日前發(fā)布的MOSFET導(dǎo)通電阻比市場(chǎng)上排名第二的產(chǎn)品低43%,降低壓降并減小傳導(dǎo)損耗,從而實(shí)現(xiàn)更高功率密度。
Wolfspeed發(fā)布第4代MOSFET技術(shù)平臺(tái)
近日,碳化硅技術(shù)領(lǐng)域的全球領(lǐng)軍企業(yè)Wolfspeed推出了其全新的第4代MOSFET技術(shù)平臺(tái)。該平臺(tái)在設(shè)計(jì)之初就充分考慮了耐久性和高效性,旨在為高功率應(yīng)...
超級(jí)電容器自動(dòng)平衡 (SAB) MOSFET在工業(yè)中的應(yīng)用
超級(jí)電容器自動(dòng)平衡 (SAB) MOSFET 系列適合工業(yè)應(yīng)用,以調(diào)節(jié)和平衡泄漏電流,同時(shí)最大限度地減少用于平衡兩個(gè)或多個(gè)串聯(lián)堆疊的超級(jí)電容器電池的能量。
Nexperia全新定義MOSFET產(chǎn)品 為特定應(yīng)用提供優(yōu)化的參數(shù)
Nexperia為電池隔離、電機(jī)控制、熱插拔和以太網(wǎng)供電(PoE)應(yīng)用提供ASFET系列。
Power Integrations公司發(fā)布可設(shè)定恒壓/恒流及恒功率輸出特性的離線反激式開(kāi)關(guān)電源IC
Power Integrations公司發(fā)布InnoSwitch3-Pro系列可設(shè)定恒壓/恒流及恒功率輸出特性的離線反激式開(kāi)關(guān)電源IC。新器件可提供65...
ROHM在以業(yè)界最快的trr(反向恢復(fù)時(shí)間)著稱的PrestoMOS產(chǎn)品陣容中又新增了“R60xxMNx系列”產(chǎn)品。
2023-02-22 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET自啟動(dòng) 1.3k 0
傾佳電子碳化硅MOSFET短路保護(hù)的戰(zhàn)略性應(yīng)用:面向現(xiàn)代電力電子的關(guān)鍵分析
傾佳電子碳化硅MOSFET短路保護(hù)的戰(zhàn)略性應(yīng)用:面向現(xiàn)代電力電子的關(guān)鍵分析 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車(chē)連接器...
在現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心和關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施中,不間斷電源(UPS)扮演著至關(guān)重要的角色。它確保了在市電中斷時(shí),關(guān)鍵設(shè)備能夠持續(xù)運(yùn)行,保護(hù)了數(shù)據(jù)不受損失,保障了業(yè)務(wù)的連...
新品 | 600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列
新品600VCoolMOS8SJMOSFET系列英飛凌最新推出的600VCoolMOS8引領(lǐng)著全球高壓超級(jí)結(jié)MOSFET技術(shù)的發(fā)展,在全球范圍內(nèi)樹(shù)立了技...
新品 | 采用高性能DCB的Easy B系列CoolSiC? 2kV SiC MOSFET模塊
新品采用高性能DCB的EasyB系列CoolSiC2kVSiCMOSFET模塊英飛凌EasyDUAL和EasyPACK2B2kV、6mΩ半橋和三電平模塊...
NP4409SR 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP4409SR采用先進(jìn)的溝槽技術(shù) 設(shè)計(jì)為低柵極提供優(yōu)良的RDS(ON) 電荷??捎糜谪?fù)載開(kāi)關(guān)和電池 保護(hù)應(yīng)用程序。 一般特征 ?VDS = -3...
小米30W立式雙線圈無(wú)線充拆解:捷捷微電MOSFET驅(qū)動(dòng)極速高效充電
捷捷微電核心技術(shù)再獲行業(yè)認(rèn)可!近日,小米30W立式無(wú)線充電器(型號(hào)MDY-17-EM)正式搭載捷捷微電JMSL1040AGD雙NMOS功率器件,以卓越性...
2025-06-11 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng) 1.3k 0
新品 | 采用高爬電距離TO-247-4引腳封裝的CoolSiC? 1400V MOSFET G2
新品采用高爬電距離TO-247-4引腳封裝的CoolSiC1400VMOSFETG2CoolSiC1400VMOSFETG2器件采用TO-247-4引腳...
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