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NP4409SR 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET

微雨問海棠 ? 來源: 微雨問海棠 ? 作者: 微雨問海棠 ? 2022-07-13 16:19 ? 次閱讀
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描述

NP4409SR采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)

設(shè)計(jì)為低柵極提供優(yōu)良的RDS(ON)

電荷??捎糜?a target="_blank">負(fù)載開關(guān)和電池

保護(hù)應(yīng)用程序。

一般特征

?VDS = -30v, id = -15a

RDS(上)(Typ) = 5.5Ω@VGS = -10 v

RDS(上)(Typ) = 8.3Ω@VGS = -4.5 v

?高功率和電流處理能力

?獲得無鉛產(chǎn)品

?表面安裝包

應(yīng)用程序

?電池保護(hù)

? Load 開關(guān)

?SOP-8

pYYBAGLOfrKAHQ2bAAC0xGbC8_A172.png

訂購信息

pYYBAGLOfwmAUtbIAAAznG2Q5T8812.png

絕對最大額定值(除非另有說明,TA=25℃)

poYBAGLOf0iASyB6AACpal3qr8E108.png

電特性(除非另有說明,TA=25℃)

poYBAGLOf36AaqteAAItSXbOBO0817.png

熱特性

pYYBAGLOf6qAGpGqAABm9s9-ySA471.png

答:R qJA是用設(shè)備安裝在1in 2 FR-4單板上2oz測量的。銅,在靜止的空氣環(huán)境中

T = 25°C。在任何給定的應(yīng)用程序中的值取決于用戶的特定板設(shè)計(jì)。目前的評級(jí)是基于

t≤10s熱阻額定值。

B: R qJA是從結(jié)到引線R qJL和引線到環(huán)境的熱阻抗之和。

審核編輯 黃昊宇

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