SiC 技術(shù)相對于 Si 具有不可否認(rèn)的優(yōu)勢

在逆變器、電機(jī)驅(qū)動和充電器等應(yīng)用中，碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、降低的冷卻需求和更低的整體系統(tǒng)成本等優(yōu)勢。盡管SiC器件的成本高于硅器件，但...

2024-08-08 標(biāo)簽：MTTFSiCGaN 1.3k 0

淺談因電遷移引發(fā)的半導(dǎo)體失效

“前言半導(dǎo)體產(chǎn)品老化是一個自然現(xiàn)象，在電子應(yīng)用中，基于環(huán)境、自然等因素，半導(dǎo)體在經(jīng)過一段時間連續(xù)工作之后，其功能會逐漸喪失，這被稱為功能失效。半導(dǎo)體功能...

2024-03-05 標(biāo)簽：電子產(chǎn)品半導(dǎo)體MTTF 2.1k 0

電子失效性：正確理解MTBF

許多人對失效時間均勻分布（MTBF）的計算方法存在誤解，為了幫助解釋這個常常被誤解的話題，ZVEI寫作了一份指南，目的是通過使用實際例子展示各種MTBF...

2024-01-05 標(biāo)簽：電源電子系統(tǒng)MTTF 2.2k 0

氫空位簇對鍺烷電子結(jié)構(gòu)的調(diào)控以及鍺烷中分子摻雜的影響

2013年， Bianco等通過CaGe2拓?fù)浠瘜W(xué)剝離的方法，首次在實驗上合成了具有較高熱穩(wěn)定性和抗氧化性的單層鍺烷。

2023-08-24 標(biāo)簽：MTTF納米器件 1.6k 0

SignalEM腳本中的?T指的是什么？

布線水平所允許的Irms。在表中，?T（C）表示焦耳熱引起的溫度上升（?T is the temperature rise due to Joule ...

2023-07-05 標(biāo)簽：TSMCMTTF直流電流源 4.6k 0

背后的數(shù)學(xué)原理在應(yīng)用中得到驗證

IEC 61508 和 ISO 26262 都提供“經(jīng)過驗證的使用”作為聲明合規(guī)性的替代途徑。在 IEC 61508 中，經(jīng)使用驗證的術(shù)語稱為路由 2S...

2023-06-27 標(biāo)簽：汽車電子MTTF 1.3k 0