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標(biāo)簽 > n溝道
MOS管的的三個極,中間的電極為G極,兩根線相交的極就是S極。而單獨(dú)引線的就是D極,接著判斷N溝道,由S極指向D極的為N溝道,接著判斷P溝道,由D極指向S極為P溝道。
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STDRIVEG611半橋柵極驅(qū)動器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
STMicroelectronics STDRIVEG611半橋柵極驅(qū)動器是用于N溝道增強(qiáng)模式GaN的高壓半橋柵極驅(qū)動器。高側(cè)驅(qū)動器部分設(shè)計(jì)能夠承受高達(dá)...
LM74701-Q1理想二極管控制器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments LM74701-Q1理想二極管控制器是符合AEC-Q100汽車類標(biāo)準(zhǔn)的理想二極管控制器。它采用外部N溝道MOSFET...
探索 onsemi NVMJD010N10MCL 雙N溝道MOSFET的卓越性能
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET 作為關(guān)鍵的功率開關(guān)元件,其性能直接影響著整個系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天,我們來深入了解 onsemi 推出的一款雙 N 溝道...
DRV8849雙路步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments DRV8849雙路步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器設(shè)計(jì)用于工業(yè)和消費(fèi)類應(yīng)用。該器件完全集成了四個N溝道功率MOSFET H橋驅(qū)動器、一...
STL325N4LF8AG N通道功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南
意法半導(dǎo)體STL325N4LF8AG N溝道功率MOSFET采用STripFET F8技術(shù),具有增強(qiáng)型溝槽柵極結(jié)構(gòu)。 STL325N4LF8AG可確保非...
Texas Instruments TPS22991低RON單通道負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
Texas Instruments TPS22991低R~ON~ 單通道負(fù)載開關(guān)具有受控的轉(zhuǎn)換速度。該器件支持3A最大連續(xù)電流,并包含一個可在1.0V至...
2025-07-17 標(biāo)簽:MOSFET負(fù)載開關(guān)單通道 1.1k 0
TPS22963/64負(fù)載開關(guān)技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments TPS22963/64負(fù)載開關(guān)是一款具有受控接通功能的小型超低R~ON~負(fù)載開關(guān)。該器件采用低R~DSON~ N溝道...
2025-09-10 標(biāo)簽:MOSFET負(fù)載開關(guān)N溝道 1k 0
?深入解析安森美NVNJWS200N031L功率MOSFET:高性能負(fù)載開關(guān)與DC-DC轉(zhuǎn)換解決方案
安森美 (onsemi) NVNJWS200N031L單通道N溝道功率MOSFET的漏極-源極擊穿電壓 [V ~(BR)DSS~ ] 為30V(最小值)...
?STL320N4LF8 N溝道功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南
意法半導(dǎo)體 STL320N4LF8 N溝道STripFET F8功率MOSFET 采用STripFET F8溝槽式MOSFET技術(shù)制造而成。 該器件完...
德州儀器CSD16321Q5功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments CSD16321Q5 N溝道NexFET功率MOSFET是25V 1.9mΩ 5mm × 6mm SON NexFE...
探索 NTMFS3D0N08X:高性能 N 溝道功率 MOSFET 的卓越之選
在電子工程領(lǐng)域,功率 MOSFET 作為關(guān)鍵元件,其性能直接影響著各類電子設(shè)備的效率和穩(wěn)定性。今天,我們將深入探討安森美(onsemi)的 NTMFS3...
STMicroelectronics L99MH98汽車用八通道半橋前置驅(qū)動器技術(shù)解析
STMicroelectronics L99MH98汽車用八通道半橋前置驅(qū)動器可控制多達(dá)16個N溝道MOSFET,用于直流電機(jī)控制應(yīng)用,例如汽車電動座...
?STDRIVEG211半橋柵極驅(qū)動器深度解析與設(shè)計(jì)指南
STMicroelectronics STDRIVEG211半橋柵極驅(qū)動器設(shè)計(jì)用于N溝道增強(qiáng)模式GaN,高側(cè)驅(qū)動器部分可承受高達(dá)220V電壓軌。這些驅(qū)...
汽車級同步降壓控制器NCV8856A的設(shè)計(jì)與應(yīng)用
在電子工程師的日常工作中,電源管理芯片的選擇和設(shè)計(jì)至關(guān)重要。今天,我們要深入探討一款汽車級同步降壓控制器——NCV8856A。這款芯片在高功率應(yīng)用中表現(xiàn)...
基于LM74501-Q1的汽車電子反向極性保護(hù)設(shè)計(jì)
Texas Instruments LM74501-Q1汽車用反向極性保護(hù)控制器與外部N溝道MOSFET搭配使用,可實(shí)現(xiàn)低損耗反極性保護(hù)解決方案LM74...
Onsemi NTMFS3D2N10MD N溝道功率MOSFET深度解析
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件。今天,我們來詳細(xì)探討Onsemi公司的NTMFS3D2N10MD這款N溝道功率MOSFET,看看它在實(shí)...
onsemi NTBLS0D8N08X N溝道功率MOSFET深度解析
在電子工程領(lǐng)域,MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件,其性能和特性對電路設(shè)計(jì)起著至關(guān)重要的作用。今天我們來深入了解一下onsemi推出的NTBLS0D8N08...
探索NVMJD010N10MCL:高性能雙N溝道MOSFET的卓越表現(xiàn)
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件,其性能直接影響著整個系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。今天,我們將深入探討安森美(onsemi)的NVMJD010N1...
L99H92:面向汽車電機(jī)控制的高集成度半橋前置驅(qū)動器
STMicroelectronics L99H92汽車半橋前置驅(qū)動器以單H橋或雙獨(dú)立半橋配置驅(qū)動四個外部N溝道MOSFET晶體管,用于汽車應(yīng)用中的DC電...
MAX14922帶限流功能的高端開關(guān)控制器技術(shù)手冊
概述 MAX14922是一款高側(cè)、n溝道FET控制器,用于實(shí)現(xiàn)工業(yè)高側(cè)開關(guān),以進(jìn)行接地負(fù)載開關(guān)操作。MAX14922器件控制一個外部nMOS功率晶體管,...
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