江波龍子公司確認(rèn)參展2024臺北國際電腦展

元信電子將展示江波龍的多種企業(yè)級存儲解決方案，如96GB DDR5 RDIMM內(nèi)存條以及采用國產(chǎn)128層TLC NAND閃存顆粒的ORCA 4836/U...

2024-05-27 標(biāo)簽：NAND閃存固態(tài)硬盤江波龍 1.5k 0

三星承諾持續(xù)深耕中國市場，致力于成為中國人民首選的企業(yè)

早前有報道指出，三星正積極擴(kuò)大在華手機(jī)產(chǎn)能，JDM產(chǎn)品產(chǎn)量由4400萬臺增至6700萬臺，全球手機(jī)生產(chǎn)目標(biāo)亦由原先的2.53億臺調(diào)升至2.7億臺，其中2...

2024-05-27 標(biāo)簽：NAND閃存折疊屏手機(jī)三星 1.4k 0

鎧俠2023財年?duì)I收10766億日元，同比下滑16%，連續(xù)兩年虧損

　由于產(chǎn)品平均售價大幅度下滑，鎧俠在2023財政年度錄得凈虧損高達(dá)2437億日元（約合人民幣113.32億元），較去年同期擴(kuò)大了105.6%，凈虧損率高...

2024-05-16 標(biāo)簽：操作系統(tǒng)NAND閃存固態(tài)硬盤 1.5k 0

群聯(lián)一季度財報展現(xiàn)營收回暖趨勢 四月單月營收創(chuàng)新高

此外，群聯(lián)4月份總收入達(dá)51.56億新臺幣（折合人民幣約11.5億元），同比增長53%；前四個月累計(jì)總收入達(dá)215.82億新臺幣，同比增長61%，均創(chuàng)下...

2024-05-11 標(biāo)簽：NAND閃存群聯(lián) 1.3k 0

希捷酷玩530R固態(tài)硬盤曝光：TLC NAND存儲，寫入耐久達(dá)5050TBW?

該款固態(tài)硬盤尺寸為M.2 2280，具備PCIe Gen4x4規(guī)格，順應(yīng)NVMe 1.4標(biāo)準(zhǔn)，最高可達(dá)180萬小時平均故障間隔時間。并有1TB、2TB及...

2024-05-11 標(biāo)簽：NAND閃存PCIe固態(tài)硬盤 2.1k 0

Sabrent發(fā)布Rocket nano 2242固態(tài)硬盤：PCIe Gen4x4和M.2 2242規(guī)格?

Rocket nano 2242現(xiàn)已在Sabrent官方網(wǎng)站開售，容量選項(xiàng)僅限于1TB版本，價格為99.99美元（按當(dāng)前匯率計(jì)算相當(dāng)于723元人民幣左右）。

2024-05-09 標(biāo)簽：存儲器NAND閃存固態(tài)硬盤 2.4k 0

SK海力士發(fā)布NAND閃存解決方案，助力端側(cè)AI手機(jī)發(fā)展

SK海力士指出，“ZUFS 4.0是新一代移動端NAND閃存解決方案，具備行業(yè)內(nèi)最高性能且專門針對端側(cè)AI手機(jī)進(jìn)行優(yōu)化?！贝送猓具€強(qiáng)調(diào)，“借助此產(chǎn)品...

2024-05-09 標(biāo)簽：存儲器NAND閃存SK海力士 1.3k 0

AI浪潮拉動DRAM與NAND閃存合約價飆升

首先來看DRAM內(nèi)存，TrendForce原本預(yù)測2024年第二季度的合約價會上漲3~8%，現(xiàn)在已調(diào)整為13~18%。至于NAND閃存，原預(yù)測漲幅為13...

2024-05-07 標(biāo)簽：DRAMNAND閃存DDR5 1.1k 0

SK海力士尋求東電低溫蝕刻設(shè)備，或降低NAND閃存堆棧層數(shù)

當(dāng)前，3D NAND閃存在通過提高堆棧層數(shù)來增加容量上取得顯著進(jìn)展。然而，在這種趨勢下，閃存顆粒中的垂直通道蝕刻變得愈發(fā)困難且速率減緩。

2024-05-07 標(biāo)簽：晶圓NAND閃存SK海力士 1.1k 0

鎧俠欲重啟與西部數(shù)據(jù)的合并計(jì)劃，SK海力士明確反對

據(jù)悉，鎧俠的主要投資者貝恩資本已經(jīng)將上市審查傳達(dá)給了其債權(quán)銀行，并預(yù)計(jì)最早將于今秋在東京證券交易所實(shí)現(xiàn)首次公開募股（IPO）。

2024-04-23 標(biāo)簽：NAND閃存SK海力士鎧俠 1k 0

三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品開始量產(chǎn)

近日，三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品開始量產(chǎn)，這將有助于鞏固其在NAND閃存市場的卓越地位。

2024-04-23 標(biāo)簽：NAND閃存PCIe固態(tài)硬盤 1.5k 0

三星即將量產(chǎn)290層V-NAND閃存

據(jù)韓國業(yè)界消息，三星最早將于本月開始量產(chǎn)當(dāng)前業(yè)界密度最高的290層第九代V-NAND（3D NAND）閃存芯片。

2024-04-17 標(biāo)簽：閃存芯片NAND閃存人工智能 1.9k 0

鎧俠將10月IPO，或?qū)で笾貑⑴c西部數(shù)據(jù)合并談判

自2019年從東芝獨(dú)立出來之后，鎧俠一直在積極籌備IPO事宜。原本定于2020年10月上市，但由于突發(fā)狀況而被迫推遲；隨后計(jì)劃在2021年上市，可惜仍未實(shí)現(xiàn)。

2024-04-17 標(biāo)簽：ipoNAND閃存鎧俠 921 0

存儲技術(shù)革新之戰(zhàn) 閃存與內(nèi)存巨頭競相突破

三星在DRAM芯片工藝方面也取得了令人矚目的突破。他們的DRAM芯片工藝已達(dá)到1b nm級別，并計(jì)劃在今年內(nèi)啟動1c nm DRAM的量產(chǎn)工作。

2024-04-16 標(biāo)簽：閃存DRAMNAND閃存 1.5k 0

三星電子NAND晶圓投片量上調(diào)約30%，謹(jǐn)慎對待市場發(fā)展

以全速運(yùn)轉(zhuǎn)狀態(tài)，三星NAND閃存生產(chǎn)線季度晶圓投片量可超過200萬片。同時，該公司已為二至四季度設(shè)定晶圓投片量紅線，總計(jì)120萬片，使整體產(chǎn)能利用率保持...

2024-04-16 標(biāo)簽：三星電子晶圓NAND閃存 1.1k 0

三星九代V-NAND閃存或月底量產(chǎn)，堆疊層數(shù)將達(dá)290層

據(jù)韓媒Hankyung透露，第九代V-NAND閃存的堆疊層數(shù)將高達(dá)290層，但I(xiàn)T之家此前曾報道過，三星在學(xué)術(shù)會議上展示了280層堆疊的QLC閃存，其I...

2024-04-12 標(biāo)簽：NAND閃存半導(dǎo)體行業(yè)三星 1.7k 0

AI推動硬盤價格上漲，固態(tài)硬盤成AI訓(xùn)練首選

近幾年來，NAND閃存價格步入下行通道，固態(tài)硬盤與機(jī)械硬盤間的成本差距逐漸收窄，這使得固態(tài)硬盤在部分應(yīng)用場景中逐漸取代HDD。例如，在2TB以下的消費(fèi)P...

2024-04-12 標(biāo)簽：NAND閃存固態(tài)硬盤存儲設(shè)備 1.7k 0

SK海力士欲振興Solidigm，但內(nèi)外部挑戰(zhàn)致信心不足

然而，Solidigm自成立之初便遭受NAND閃存市場不景氣影響，虧損達(dá)到了驚人的7萬億韓元（相當(dāng)于今日的約373.8億元人民幣），并頻繁向母公司求助貸款。

2024-04-09 標(biāo)簽：存儲產(chǎn)業(yè)NAND閃存SK海力士 1.2k 0

三星企業(yè)級SSD計(jì)劃漲價，需求激增推動市場格局

這一價格調(diào)整的背后，實(shí)際上反映出市場需求“遠(yuǎn)超預(yù)期”的現(xiàn)實(shí)情況。

2024-04-03 標(biāo)簽：SSDNAND閃存固態(tài)硬盤 1.7k 0

Sabrent推出Rocket 4系列M.2 NVMe Gen 4 SSD

此外，Rocket 4系列在4K隨機(jī)讀寫性能方面表現(xiàn)出眾，可以達(dá)到最大讀寫IOPS分別為100萬以及95萬。該系列首發(fā)型號包括1TB和2TB兩款，后續(xù)還...

2024-04-02 標(biāo)簽：NAND閃存主控芯片IOPs 2.5k 0