2024年DRAM、NAND Flash合約價(jià)將如何演繹呢？

存儲(chǔ)作為半導(dǎo)體領(lǐng)域最大的一個(gè)細(xì)分之一，一直以來(lái)，它是行情晴雨表。2024年電子存儲(chǔ)行情如何呢？

2024-01-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體DRAMNAND閃存 2.4k 0

Sabrent發(fā)布Rocket nano 2242固態(tài)硬盤(pán)：PCIe Gen4x4和M.2 2242規(guī)格?

Rocket nano 2242現(xiàn)已在Sabrent官方網(wǎng)站開(kāi)售，容量選項(xiàng)僅限于1TB版本，價(jià)格為99.99美元（按當(dāng)前匯率計(jì)算相當(dāng)于723元人民幣左右）。

2024-05-09 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器NAND閃存固態(tài)硬盤(pán) 2.4k 0

2024首季NAND漲勢(shì)持續(xù) SSD價(jià)格也將上揚(yáng)

據(jù)TrendForce估計(jì)，2024年第一季度DRAM及NAND閃存（eMMC/UFS）平均季度漲幅將達(dá)18%-23%，壟斷市場(chǎng)或品牌廠(chǎng)商爭(zhēng)奪下，漲幅甚...

2024-01-08 標(biāo)簽：DRAMSSDNAND閃存 2.3k 0

比NAND閃存速度快千倍的ReRAM由中芯國(guó)際量產(chǎn)

非揮發(fā)性電阻式內(nèi)存（ReRAM）開(kāi)發(fā)商Crossbar Inc.利用非導(dǎo)電的銀離子-非晶硅（a-Si）為基板材料，并透過(guò)電場(chǎng)轉(zhuǎn)換機(jī)制，開(kāi)發(fā)出號(hào)稱(chēng)比NAN...

2017-02-13 標(biāo)簽：中芯國(guó)際NAND閃存ReRAM 2.3k 0

為什么說(shuō)三星最賺錢(qián)的業(yè)務(wù)會(huì)被中國(guó)企業(yè)分食？

中國(guó)明年將推自主生產(chǎn)3D NAND閃存。由于智能手機(jī)以及SSD市場(chǎng)的進(jìn)一步擴(kuò)大，而其中必不可少的閃存、內(nèi)存等存儲(chǔ)芯片將成為巨頭的競(jìng)爭(zhēng)點(diǎn)。這也給了中國(guó)公司...

2016-11-01 標(biāo)簽：三星電子NAND閃存 2.3k 0

2017半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)3610億美元 長(zhǎng)江存儲(chǔ)等大陸廠(chǎng)商有崛起機(jī)會(huì)

最新數(shù)據(jù)顯示，預(yù)計(jì)到2017年將會(huì)繼續(xù)保持6.5%的增長(zhǎng)速度，達(dá)到3610億美元。其中存儲(chǔ)器市場(chǎng)將以年增長(zhǎng)12.8%遠(yuǎn)超其他領(lǐng)域，市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)866億美...

2017-03-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體NAND閃存存儲(chǔ)器市場(chǎng) 2.3k 0

早報(bào)：三季度全球半導(dǎo)體產(chǎn)品銷(xiāo)售額增至1136億美元 環(huán)比增長(zhǎng)11%

全球半導(dǎo)體產(chǎn)品三季度的銷(xiāo)售額數(shù)據(jù)，是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)公布的，他們的數(shù)據(jù)顯示，三季度全球半導(dǎo)體產(chǎn)品的銷(xiāo)售額達(dá)到了1136億美元。

2020-11-30 標(biāo)簽：英特爾半導(dǎo)體NAND閃存 2.3k 0

2020年第一季度NAND閃存出貨量將環(huán)比下滑或者持平 價(jià)格上漲有望抵消出貨量下滑的影響

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，NAND閃存芯片去年第四季度的出貨量環(huán)比有明顯增長(zhǎng)，整體行業(yè)的營(yíng)收也有提升。

2020-02-27 標(biāo)簽：NAND閃存 2.2k 0

閃存控制器的市場(chǎng)及不同接口的SSD出貨量分析

閃存控制器對(duì)終端應(yīng)用系統(tǒng)來(lái)說(shuō)非常重要，主要涉及SSD，智能手機(jī)，和可移動(dòng)存儲(chǔ)，以及如工業(yè)、汽車(chē)等其它市場(chǎng)。

2023-01-16 標(biāo)簽：控制器SSDNAND閃存 2.2k 0

三星電子將出售中國(guó)工廠(chǎng)舊設(shè)備,含西安NAND閃存廠(chǎng)生產(chǎn)線(xiàn)

三星電子即將啟動(dòng)一項(xiàng)計(jì)劃，將其位于中國(guó)西安的NAND閃存工廠(chǎng)以及其他前端和后端工藝生產(chǎn)線(xiàn)的舊設(shè)備進(jìn)行銷(xiāo)售。這些設(shè)備原本因美國(guó)政府的壓力而積壓，現(xiàn)預(yù)計(jì)將通...

2024-11-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體三星電子NAND閃存 2.2k 0

SK海力士中國(guó)業(yè)務(wù)優(yōu)化：上海公司關(guān)閉，重心轉(zhuǎn)向無(wú)錫

依據(jù)SK海力士于3月17日公布的2023年度財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)顯示，此類(lèi)計(jì)劃自去年第四季度即已啟動(dòng)，原有的上海銷(xiāo)售子公司自創(chuàng)立至今已有超過(guò)17年歷史。

2024-03-18 標(biāo)簽：DRAMNAND閃存SK海力士 2.2k 0

我國(guó)三大存儲(chǔ)力量漸成 未來(lái)發(fā)展引人矚目

近日，東南大學(xué)網(wǎng)站的一則《北京兆易創(chuàng)新-合肥共建項(xiàng)目招聘簡(jiǎn)章》受到行業(yè)內(nèi)關(guān)注，盡管事后兆易創(chuàng)新發(fā)布澄清說(shuō)明，稱(chēng)其與合肥長(zhǎng)鑫及其相關(guān)方的合作項(xiàng)目目前僅處于...

2016-12-06 標(biāo)簽：NAND閃存3D NAND兆易創(chuàng)新 2.2k 0

AI浪潮下的業(yè)績(jī)狂飆：SK海力士2026年一季度財(cái)報(bào)深度解析

北京時(shí)間4月23日早間，全球存儲(chǔ)芯片巨頭SK海力士發(fā)布2026年第一季度財(cái)報(bào)，數(shù)據(jù)一經(jīng)披露便引發(fā)資本市場(chǎng)熱議。盡管營(yíng)收52.6萬(wàn)億韓元略低于市場(chǎng)預(yù)期的5...

2026-04-23 標(biāo)簽：DRAMAINAND閃存 2.1k 0

三星Q1利潤(rùn)將暴漲669%

WitDisplay消息，由于存儲(chǔ)器半導(dǎo)體行業(yè)的改善，三星電子等半導(dǎo)體公司今年第一季度（1月至3月）的業(yè)績(jī)有望大幅改善。

2024-03-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體存儲(chǔ)器晶圓 2.1k 0

希捷酷玩530R固態(tài)硬盤(pán)曝光：TLC NAND存儲(chǔ)，寫(xiě)入耐久達(dá)5050TBW?

該款固態(tài)硬盤(pán)尺寸為M.2 2280，具備PCIe Gen4x4規(guī)格，順應(yīng)NVMe 1.4標(biāo)準(zhǔn)，最高可達(dá)180萬(wàn)小時(shí)平均故障間隔時(shí)間。并有1TB、2TB及...

2024-05-11 標(biāo)簽：NAND閃存PCIe固態(tài)硬盤(pán) 2.1k 0

DRAM大廠(chǎng)第三季對(duì)DDR5再度調(diào)漲,價(jià)格將上漲15%以上

8月20日最新供應(yīng)鏈動(dòng)態(tài)揭示，DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）行業(yè)巨頭計(jì)劃在第三季度對(duì)DDR5產(chǎn)品實(shí)施新一輪的價(jià)格上調(diào)，預(yù)計(jì)漲幅將超過(guò)15%。此次調(diào)價(jià)背后...

2024-08-20 標(biāo)簽：DRAMNAND閃存DDR5 2k 0