增資80億美元！三星促進中國NAND閃存芯片生產(chǎn)

三星電子是消費者級產(chǎn)品的最大知名品牌之一。但是，大多數(shù)人都不知道這家韓國科技巨頭的實際規(guī)模和經(jīng)營規(guī)模，其中還包括其他智能手機OEM的芯片制造工藝?，F(xiàn)在，...

2019-12-13 標(biāo)簽：閃存NAND三星電子 5k 0

英特爾和鎂光專注于NAND市場上的不同領(lǐng)域并宣布停止合作開發(fā)NAND內(nèi)存

據(jù)外媒報道，英特爾和鎂光宣布，它們不再合作開發(fā)下一代3D NAND內(nèi)存。

2018-01-11 標(biāo)簽：英特爾nand鎂光 5k 0

金士頓M.2 2280 NVMe固態(tài)硬盤新品，支持96層3D TLC NAND技術(shù)

4月28日消息，金士頓剛剛推出了 KC2500 系列 M.2 2280 NVMe 固態(tài)硬盤新品，采用了支持 PCIe Gen3 x4 通道的慧榮（SMI...

2020-04-29 標(biāo)簽：nand金士頓固態(tài)硬盤 5k 0

西部數(shù)據(jù)與東芝的QLC芯片

XG6提供五年質(zhì)保與150萬小時平均故障前運行時長。具體使用壽命信息目前尚不明確。東芝公司正在向OEM廠商提供樣品，這款驅(qū)動器將主要用于PC/移動端、嵌...

2018-07-26 標(biāo)簽：驅(qū)動器NAND閃存技術(shù) 5k 0

IC設(shè)計門檻墊高　NAND Flash控制晶片進入1X奈米時代

全球快閃記憶體(NAND Flash)控制晶片廠群聯(lián)電子(8299)董事長潘健成表示，由于NAND Flash控制晶片的設(shè)計愈加復(fù)雜、所需人力及銀彈越來...

2018-09-21 標(biāo)簽：ICNand 4.9k 0

NAND，DRAM的供應(yīng)不受冠狀病毒爆發(fā)的影響

對于DRAM模塊的全球價格有望今年由微軟公司和索尼互動娛樂公司。Xbox Series X和PlayStation 5將比以前的版本具有更強大的規(guī)格，并...

2020-02-13 標(biāo)簽：DRAMNAND 4.9k 0

美光公布DRAM和NANDFlash的最新技術(shù)線路圖 將持續(xù)推進1ZnmDRAM技術(shù)及研發(fā)128層3DNAND

作為全球知名的存儲器廠商，近日，美光召開了2019年投資者大會，在大會中上，美光展示了DRAM和NAND Flash下一代技術(shù)的發(fā)展以及規(guī)劃。

2019-05-24 標(biāo)簽：DRAMNAND美光 4.9k 0

NAND閃存面臨限制,英特爾的3D XPoint戰(zhàn)略

讓英特爾頭痛的是，3D XPoint市場規(guī)模仍然很小，這讓他們無法將該產(chǎn)品大批量生產(chǎn)。如果沒有高產(chǎn)量，其生產(chǎn)成本將會保持很高，可能高于DRAM。然而，英...

2018-10-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體NAND晶體管 4.9k 0

三大存儲廠試產(chǎn) 打破內(nèi)存壟斷局面

據(jù)報道，今年下半年，國內(nèi)三大存儲廠商長江存儲、福建晉華、合肥長鑫將相繼進入試產(chǎn)階段，中國存儲產(chǎn)業(yè)將迎來發(fā)展的關(guān)鍵階段。國產(chǎn)內(nèi)存雖然暫時難以撼...

2018-08-10 標(biāo)簽：NAND三星電子存儲 4.9k 0

3D NAND技術(shù)堆疊將走向何方?

發(fā)展至今，NAND Flash已呈現(xiàn)白熱化階段。就在前不久，存儲廠商們還在128層“閃存高臺上觀景”，2019年6月SK海力士發(fā)布128層TLC 3D ...

2020-12-09 標(biāo)簽：閃存NAND三星電子 4.9k 0

全球六大廠商壟斷競爭，長江存儲有望打破壟斷

NAND Flash作為全球最為重要的存儲芯片之一，目前被全球六大廠商進行壟斷競爭，中國NAND Flash廠商長江存儲（YMTC）已在2020年第一季...

2021-01-11 標(biāo)簽：閃存控制器nand 4.9k 0

SK海力士推出128層1Tb TLC 4D NAND SSD高容量存儲解決方案

4月8日消息，近日，SK海力士宣布推出基于首款 128 層 1Tb TLC 4D NAND 閃存的企業(yè)級 SSD-- PE8111，是針對讀取密集型應(yīng)用...

2020-04-09 標(biāo)簽：nandssdsk海力士 4.8k 0

SK海力士收購英特爾NAND閃存業(yè)務(wù) 先后獲美國、歐盟、韓國相關(guān)監(jiān)管機構(gòu)批準(zhǔn)

5月30日消息，據(jù)國外媒體報道，在獲得美國和歐盟的批準(zhǔn)之后，SK海力士90億美元收購英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)的交易，也已獲得了韓國監(jiān)管機構(gòu)的批準(zhǔn)。 ? 從...

2021-05-31 標(biāo)簽：英特爾NANDSK海力士 4.7k 0

NOR Flash制程工藝技術(shù)市場格局及技術(shù)演進

華邦電子認(rèn)為，對于NOR Flash而言，45nm很可能是最后一個技術(shù)節(jié)點了，與之相比，SLC NAND Flash還有制程微縮空間，在24nm之后，至...

2023-01-31 標(biāo)簽：NANDFlaSh晶體管 4.7k 0

英特爾70%的3D NAND快閃存儲器來自大連晶圓廠

英特爾2006年與大連市政府達成合作協(xié)定，2007年起在大連投資25億美元，建設(shè)12英寸晶圓廠，主要負(fù)責(zé)處理器封裝測試，2010年大連晶圓廠正式落成。

2018-09-29 標(biāo)簽：英特爾NAND 4.7k 0