內(nèi)存顆粒市場呈現(xiàn)供不應求的態(tài)勢

從去年年底，內(nèi)存顆粒就停止了兩年來的降價潮，價格開始逐漸上漲。這和三大內(nèi)存顆粒廠商的態(tài)度不無關(guān)系，美光和三星都因為內(nèi)存顆粒的低價，而降低了內(nèi)存顆粒的產(chǎn)能...

2021-02-01 標簽：amdDRAMNAND 5.6k 0

英特爾7納米制程技術(shù)的發(fā)展進展詳細說明

英特爾方面表示，“經(jīng)過慎重考慮，董事會得出結(jié)論，現(xiàn)在是進行領(lǐng)導層變革的恰當時機，在英特爾轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵時期，利用Pat的技術(shù)和工程專長。董事會相信，Pat和...

2021-01-17 標簽：英特爾NAND5G 5.6k 0

內(nèi)存、閃存價格回歸理智 三星、SK海力士、美光合計2019年減產(chǎn)

這兩年，DRAM芯片和內(nèi)存條價格經(jīng)歷了一波瘋漲，如今已經(jīng)慢慢回歸理智，而在另一方面，NAND閃存產(chǎn)能一直很充裕，SSD固態(tài)硬盤的價格也是持續(xù)走低，性價比...

2018-12-23 標簽：DRAMNAND內(nèi)存 5.6k 0

存儲芯片的價格急速下滑，國內(nèi)存儲廠面臨大考驗

在經(jīng)過為期一年半的價格暴漲之后，部分存儲芯片的價格突然急速下滑，之后三星電子發(fā)布了一份并不樂觀的2017年業(yè)績預期，這兩件事情讓那些押注芯片行業(yè)的投資人...

2018-01-16 標簽：dramnand存儲芯片 5.6k 0

數(shù)據(jù)中心需求強勁，2019年第四季NAND Flash營收季增8.5%

調(diào)查顯示，受惠于數(shù)據(jù)中心需求成長，2019年第四季NAND Flash整體位元出貨量季增近10%。供給面受6月鎧俠四日市廠區(qū)跳電影響，供不應求使得合約價...

2020-02-23 標簽：NAND三星電子數(shù)據(jù)中心 5.6k 0

西部數(shù)據(jù)推出嵌入式閃存盤以及NAND的發(fā)展過程及當下存儲市場的強勁需求

西部數(shù)據(jù)近日宣布推出全新先進的iNAND嵌入式閃存盤（EFD）。據(jù)介紹，該產(chǎn)品用于智能手機和輕薄型計算設(shè)備時，可以為數(shù)據(jù)中心的大量應用加速，包括增強現(xiàn)實...

2018-01-02 標簽：nandAI閃存盤 5.6k 0

長江存儲打破閃存芯片技術(shù)壁壘

NAND Flash是全球最重要的存儲芯片之一，中國需求量最高。2019年，中國地區(qū)NAND閃存市場銷售額全球第一，占比37%。但全球NAND閃存市場卻...

2021-01-16 標簽：芯片閃存NAND 5.6k 0

SCM比NAND閃存更快，但仍然很昂貴

由于閃存的固有設(shè)計，SCM在這塊要好很多。性能問題和閃存延遲的最大原因之一是使用垃圾收集以滿足新寫入。將數(shù)據(jù)寫入閃存驅(qū)動器時，無法覆蓋舊信息。它必須在其...

2019-01-28 標簽：NAND存儲器SCM 5.6k 0

長江存儲科普SSD、3D NAND的發(fā)展史

作為國產(chǎn)存儲行業(yè)的佼佼者，長江存儲近兩年憑借在3D NAND閃存領(lǐng)域的突飛猛進，引發(fā)普遍關(guān)注，尤其是獨創(chuàng)了全新的Xtacking閃存架構(gòu)，最近還打造了首...

2020-11-24 標簽：NANDSSD長江存儲 5.5k 0

記憶體模組廠2Q表現(xiàn)各異 下半年沖刺市況回溫

盡管第2季記憶體位元出貨量成長，但受到市場報價持續(xù)下跌，記憶體模組廠營運挑戰(zhàn)增加，但各家業(yè)者在不同策略及發(fā)展的表現(xiàn)各異。 工控記憶體模組廠宜鼎國際第2季...

2019-08-12 標簽：DRAMNAND記憶體 5.5k 0

西安二期一階段NAND Flash項目預計9月滿產(chǎn)，產(chǎn)量將占三星總規(guī)模35%

據(jù)西安發(fā)布報道，西安于8月5日下午舉行企業(yè)家座談會，三星（中國）半導體有限公司副總裁池賢基在會上談到，三星西安存儲芯片項目最新進展。 三星（中國）半導體...

2020-08-07 標簽：Nand三星電子 5.5k 0

96層QLC技術(shù)的升級，NAND Flash成本下滑

東芝內(nèi)存CEO毛康雄(Yasuo Naruke)在東芝內(nèi)存及其合資伙伴西部數(shù)據(jù)舉辦的新聞發(fā)布會上表示：“短期內(nèi)的價格波動是供需平衡的體現(xiàn)，但我們正在解決...

2018-09-25 標簽：東芝閃存NAND 5.5k 0

西部數(shù)據(jù)和Kioxia研發(fā)第五代BiCS 3D NAND成功，今年實現(xiàn)量產(chǎn)

根據(jù)消息報道，西部數(shù)據(jù)公司和Kioxia(鎧俠)公司宣布，他們最新一代的3D NAND閃存已經(jīng)開發(fā)成功，第五代BiCS 3D NAND已經(jīng)開始以512 ...

2020-02-04 標簽：閃存nand西部數(shù)據(jù) 5.4k 0

Kioxia展示了NAND閃存的潛在替代產(chǎn)品

資料來源：Kioxia Kioxia（原為東芝存儲）有望創(chuàng)建3D NAND閃存的后繼產(chǎn)品，與QLC NAND閃存相比，該產(chǎn)品可提供更高的存儲密度。這項于...

2019-12-23 標簽：NANDNAND閃存 5.4k 0

TLC NAND Flash Wafer合約價下跌13-17%，創(chuàng)單月跌幅新高

至于NAND Flash Wafer價格方面，以過去經(jīng)驗而言，跌幅通常在供應商財報季末壓力下才會較為顯著，但目前隨著各模組廠年終盤點將至，預期11月中以...

2018-11-08 標簽：半導體NAND 5.3k 0

在3D NAND新產(chǎn)品技術(shù)進入市場之際加快發(fā)展步伐

無論是3D堆疊還是QLC的推出，這些情況均說明了隨著3D NAND技術(shù)走向?qū)嵱没瑖H廠商正在加快推進技術(shù)進步。3D NAND相對2D NAND來說，是...

2018-06-20 標簽：NAND存儲器固態(tài)硬盤 5.3k 0