三星計(jì)劃NAND閃存芯片每個季度漲價(jià)20%

三星采取此舉的目的很明確，希望通過此舉逆轉(zhuǎn)整個閃存市場，穩(wěn)定NAND閃存價(jià)格，并實(shí)現(xiàn)明年上半年逆轉(zhuǎn)市場等目標(biāo)。

2023-11-03 標(biāo)簽：NANDSSD閃存芯片 2.6k 0

三星電子將擴(kuò)大尖端DRAM/NAND產(chǎn)量

Kim Jae-jun補(bǔ)充道：“三星電子將通過維持投資來進(jìn)一步鞏固其在尖端存儲器市場的地位，以確保其中長期競爭力。”三星電子負(fù)責(zé)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的DS部門計(jì)劃...

2023-11-03 標(biāo)簽：DRAMNAND三星電子 1.9k 0

逐季調(diào)漲20%！存儲巨頭NAND芯片漲至明年

值得注意的是，信達(dá)證券此前援引行業(yè)消息稱，近日三星向客戶公布Q4官價(jià)，MobileDRAM合約價(jià)環(huán)比漲幅預(yù)估將擴(kuò)大至11%-25%；NAND Flash...

2023-11-03 標(biāo)簽：芯片NAND存儲器 1.2k 0

三星計(jì)劃明年一季度與二季度再次逐季調(diào)漲20%

根據(jù)近日三星向客戶公布的四季度官價(jià)，移動DRAM合約價(jià)環(huán)比漲幅在11%-25%左右。NAND閃存方面，UFS4.0漲幅約2%，eMCP、uMCP漲幅不等...

2023-11-03 標(biāo)簽：NAND閃存芯片三星 1.1k 0

商務(wù)部部長會見美光CEO：歡迎繼續(xù)扎根中國市場

目前，美光公司在西安擁有DRAM產(chǎn)品包裝及模塊制造工廠，在上海運(yùn)營尖端ssd和移動nand產(chǎn)品的設(shè)計(jì)中心。美光公司還在中國經(jīng)營著三家客戶研究所

2023-11-03 標(biāo)簽：DRAMNANDSSD 1.3k 0

三星NAND擬進(jìn)一步漲價(jià)，明年一、二季度將逐季調(diào)漲20%

這是國內(nèi)半導(dǎo)體業(yè)界多名消息人士透露的。據(jù)悉，三星繼本季度將nand閃存價(jià)格上調(diào)10%至20%后，還決定明年第1、2季度也按季度上調(diào)20%。這是為了穩(wěn)定n...

2023-11-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體閃存NAND 2.1k 0

三星閃存每個季度都要漲價(jià)20％

在此之前，三星、sk海力士、美光、皮協(xié)因需求嚴(yán)重疲軟而采取了大規(guī)模減產(chǎn)措施，三星也在今年4月公布了閃存第一次減產(chǎn)計(jì)劃后延長了減產(chǎn)計(jì)劃。

2023-11-03 標(biāo)簽：NAND閃存芯片三星 1.4k 0

三星西安廠計(jì)劃將NAND工藝升級為236層 明年初更換設(shè)備

據(jù)業(yè)界2日透露，三星電子計(jì)劃對中國西安nand閃存工廠進(jìn)行改造，將目前正在生產(chǎn)的128段（v6） nand閃存生產(chǎn)線擴(kuò)大到236段（v8）。三星決定從明...

2023-11-03 標(biāo)簽：閃存NAND三星電子 2.6k 0

阿里平頭哥發(fā)布首顆SSD主控芯片：鎮(zhèn)岳510

鎮(zhèn)岳510芯片使用pcie 5.0x4接口、nvme1.4b規(guī)格、zns接口協(xié)議、16個高速nand通道，支持大容量、高帶寬。支持1xxl/2xxl t...

2023-11-02 標(biāo)簽：芯片NAND平頭哥 2.2k 0

三星電子和SK海力士計(jì)劃四季度全面提高DDR5產(chǎn)量

　SK海力士同樣也在籌備提高DDR5產(chǎn)品比重。其已在今年5月開發(fā)出10nm級第5代（1b）DDR5，供應(yīng)給英特爾。韓國投資證券分析師預(yù)計(jì)，由于DDR5需...

2023-10-24 標(biāo)簽：DRAMNAND服務(wù)器 1k 0

消息稱三星西安半導(dǎo)體工廠開啟工藝升級，正采購新設(shè)備備產(chǎn) 236 層 NAND

10 月 16 日消息，上周一，三星電子和 SK 海力士等韓國公司獲得美國政府無限期豁免，其中國工廠無需特別許可即可進(jìn)口美國芯片設(shè)備。 對于三星來說這無...

2023-10-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體NAND三星 1.1k 0

NAND Flash合約價(jià)全面漲幅約8~13%

　據(jù)報(bào)告顯示，NAND Flash的第四季度合約價(jià)全面上漲，漲幅約為8~13%。這一漲幅超出了之前的預(yù)期。TrendForce在9月11日的報(bào)告中預(yù)計(jì)，...

2023-10-17 標(biāo)簽：NAND晶圓固態(tài)硬盤 2.1k 0

第四季度DRAM和NAND全面漲價(jià)，成本上漲約30%

從2024年第四季度開始，DRAM和NAND閃存的價(jià)格將全面上漲，這已經(jīng)導(dǎo)致國內(nèi)存儲器下游企業(yè)的閃存采購成本上漲了近20%，而內(nèi)存采購成本上漲了約30%。

2023-10-17 標(biāo)簽：閃存DRAMNAND 2.6k 0

芯片庫存調(diào)整，接近尾聲

野村APAC技術(shù)研究所主管David Wong也說，半導(dǎo)體業(yè)這波庫存調(diào)整周期從去年中開始，現(xiàn)在可能已經(jīng)進(jìn)入尾聲，晶片景氣循環(huán)可能轉(zhuǎn)為上行，時(shí)間點(diǎn)在明年初...

2023-10-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體DRAMNAND 1.3k 0

東京電子3D NAND蝕刻新技術(shù)或挑戰(zhàn)泛林市場領(lǐng)導(dǎo)地位

據(jù)悉，東京電子新技術(shù)的目標(biāo)是能夠長時(shí)間儲存數(shù)據(jù)的3d nand閃存。該公司開發(fā)了一種新的通道孔蝕刻方法，該方法是將垂直孔快速深插入存儲單元。3D nan...

2023-10-16 標(biāo)簽：NAND存儲器東京電子 1.6k 0