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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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磨損均衡及其對(duì)SSD預(yù)期壽命的影響

　　閃存中的數(shù)據(jù)按單元格、頁(yè)面和塊的層次結(jié)構(gòu)排列，數(shù)據(jù)一次寫入一頁(yè)。NAND閃存架構(gòu)使得擦除只能在塊級(jí)別發(fā)生。此外，對(duì)固態(tài)硬盤（SSD）中數(shù)據(jù)的訪問(wèn)...

2022-10-24 標(biāo)簽：NAND SSD 3.6k 0

今年一直在跌價(jià)的NAND閃存，預(yù)計(jì)三星本季度盈利會(huì)下滑7.6%

持續(xù)上漲兩年多的DRAM內(nèi)存價(jià)格在今年Q4季度終于由漲轉(zhuǎn)跌了，三星、SK Hynix及美光三大內(nèi)存芯片供應(yīng)商都在想方設(shè)法應(yīng)對(duì)即將到來(lái)的降價(jià)周期，這三家公...

2018-12-28 標(biāo)簽：閃存 NAND 內(nèi)存芯片 3.5k 0

NOR閃存為什么會(huì)出現(xiàn)缺貨的情況

閃存市場(chǎng)上，盡管人們關(guān)注重點(diǎn)多集中于3D NAND等主流產(chǎn)品，但是隨著物聯(lián)網(wǎng)、智能汽車以及TWS耳機(jī)等消費(fèi)電子的發(fā)展，NOR閃存的需求量也在與日俱增，成...

2020-09-20 標(biāo)簽：傳感器 MCU NAND 3.5k 0

ROMRAMFlash的一些零碎知識(shí)點(diǎn)

一種是真的寫了就沒(méi)法改的ROM；一種是可以寫一次的ROM（one-time Programmable read-only memory），使用的高壓反熔...

2020-05-13 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)器 ROM 3.5k 0

存儲(chǔ)器市場(chǎng)銷售額恐年減近3成明年將恢復(fù)正成長(zhǎng)

2019-06-06 標(biāo)簽：智能手機(jī)NAND 存儲(chǔ)器 3.5k 0

群聯(lián)8月合并營(yíng)收改寫單月歷史次高并對(duì)下半年?duì)I收及獲利持續(xù)保持正面樂(lè)觀

NAND Flash控制IC廠群聯(lián)公告8月合并營(yíng)收42.73億元（新臺(tái)幣，下同），改寫單月歷史次高。群聯(lián)指出，受惠于固態(tài)硬盤（SSD）、eMMC等模組產(chǎn)...

2019-09-10 標(biāo)簽：NAND 群聯(lián) 3.5k 0

蘋果計(jì)劃在2026年iPhone上啟用2TB存儲(chǔ),QLC NAND閃存成關(guān)鍵

　隨著科技的飛速發(fā)展和用戶對(duì)智能手機(jī)功能需求的日益增長(zhǎng)，蘋果再次在存儲(chǔ)技術(shù)上邁出了重要一步。據(jù)國(guó)外媒體最新報(bào)道，蘋果公司計(jì)劃在2026年的iPhone上...

2024-07-29 標(biāo)簽：智能手機(jī)NAND iPhone 3.5k 0

DRAM與NAND供應(yīng)商遭遇下滑的原因分析

根據(jù)行業(yè)分析機(jī)構(gòu)DRAMeXChange的統(tǒng)計(jì)，各DRAM供應(yīng)商與NAND供應(yīng)商在2018年第四季度皆遭遇出貨量與產(chǎn)品價(jià)格下滑問(wèn)題，收入縮水自然也成為無(wú)...

2019-03-02 標(biāo)簽：DRAM NAND 3.5k 0

閃存供應(yīng)鏈廠商二季的運(yùn)營(yíng)情況分析

另外一方面，在國(guó)際大廠逐漸將營(yíng)運(yùn)重心聚焦在高容量3D-NAND的TLC和QLC上，我們可以看到有許多廠商如旺宏、華邦、兆易創(chuàng)新等先前專注在NOR Fla...

2018-08-14 標(biāo)簽：智能手機(jī)NAND 3.5k 0

長(zhǎng)江存儲(chǔ)將提高NAND閃存芯片的出貨量

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，將提高NAND閃存芯片的出貨量。

2020-09-22 標(biāo)簽：芯片閃存 NAND 3.5k 0

美光Q2業(yè)績(jī)揭露存儲(chǔ)市場(chǎng)現(xiàn)狀如何

2 018 年Q 2 現(xiàn)金流達(dá)到2 2.34 億美元，同比增2 85 %。盡管美光資本支出正在增加，但預(yù)計(jì)公司自由現(xiàn)金流將從201 6 年的負(fù)值轉(zhuǎn)為2...

2018-05-29 標(biāo)簽：DRAM nand 美光 3.5k 0

2019年整體閃存平均銷售單價(jià)下滑40%

從競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)來(lái)看，第三季度廠商排名與市占率沒(méi)有出現(xiàn)太大的變動(dòng)，前六大業(yè)者囊括了將近99%的市場(chǎng)份額，閃存毛利率持續(xù)下滑至大約40%左右的水平，下滑趨勢(shì)持續(xù)。

2018-11-13 標(biāo)簽：閃存 NAND 3.5k 0

兆易創(chuàng)新NOR閃存累計(jì)出貨量超過(guò)100億顆將推動(dòng)研發(fā)24nm工藝NAND技術(shù)

在NAND閃存市場(chǎng)，三星、東芝、西數(shù)、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的產(chǎn)能，留給其他廠商的空間并不多。國(guó)內(nèi)公司中，兆易創(chuàng)新表示能...

2020-04-02 標(biāo)簽：閃存 NAND 兆易創(chuàng)新 3.5k 0

Intel推出基于144層QLC技術(shù)的670p固態(tài)硬盤

在2021年3月2日，Intel面向消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)，正式推出基于144層QLC技術(shù)的670p固態(tài)硬盤，致力于同時(shí)滿足大容量、高性能、高性價(jià)比及耐用性，能為普...

2021-03-03 標(biāo)簽：NAND 硬盤 PC 3.5k 0

中國(guó)為最大存儲(chǔ)器需求國(guó)，DRAM的價(jià)格在持續(xù)上漲

對(duì)于三星來(lái)說(shuō)，芯片可以說(shuō)整個(gè)電子業(yè)務(wù)的“發(fā)動(dòng)機(jī)”，得益于DRAM和NAND閃存價(jià)格的攀升，三星芯片排位在去年第二季度還超過(guò)了老大英特爾并在單季利潤(rùn)上“逆...

2018-06-11 標(biāo)簽：芯片 dram nand 3.5k 0

NAND形成規(guī)模，產(chǎn)能過(guò)剩的風(fēng)險(xiǎn)日益高企

NAND供應(yīng)過(guò)剩問(wèn)題的可能性正快速提高——隨著存儲(chǔ)器供應(yīng)量的持續(xù)提升，市場(chǎng)很可能無(wú)法消化或者將這些存儲(chǔ)資源轉(zhuǎn)化成令供應(yīng)商滿意的利潤(rùn)空間。

2018-08-02 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)器 3.5k 0

SK海力士將收購(gòu)英特爾旗下NAND閃存芯片業(yè)務(wù)

據(jù)悉，SK海力士將收購(gòu)所有英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)，包括固態(tài)硬盤業(yè)務(wù)、NAND閃存芯片產(chǎn)品和晶圓業(yè)務(wù)、英特爾位于中國(guó)大連的生產(chǎn)工廠，但不包含英特爾Opta...

2020-11-16 標(biāo)簽：芯片 NAND 閃存芯片 3.5k 0

鎧俠開發(fā)出約170層的NAND閃存

日本芯片制造商Kioxia開發(fā)了大約170層的NAND閃存，加入了與美國(guó)同行Micron Technology和韓國(guó)的SK Hynix的競(jìng)賽。

2021-02-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體閃存 NAND 3.5k 0

關(guān)于美光與英特爾NAND市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局分析？5張圖給你解釋

筆者認(rèn)為如果這些發(fā)生了的話，將會(huì)改變整個(gè)NAND 市場(chǎng)的格局，對(duì)美光將是巨大的威脅。英特爾和美光都認(rèn)為3D XPoint最終將替代目前PC市場(chǎng)和服務(wù)器...

2018-06-29 標(biāo)簽：英特爾 NAND 美光 3.5k 0

三星：2030年3D NAND將進(jìn)入1000層以上

　三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計(jì)劃，預(yù)計(jì)在2024年推出第九代3D NAND，其層數(shù)可達(dá)到280層

2023-07-04 標(biāo)簽：閃存 NAND 3d 3.5k 0

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云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
江波龍

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非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語(yǔ)：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
福建晉華

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3D NAND Flash

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西數(shù)

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4K視頻

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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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