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NAND閃存是一種比硬盤驅動器更好的存儲設備，在不超過4GB的低容量應用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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首個4D NAND閃存!SK海力士宣布正式出樣96層QLC閃存,核心容量1Tbit

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2018-11-27 標簽：NAND 4k 0

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2018-08-20 標簽：NAND SSD 3.9k 0

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長江存儲已實現(xiàn)全員復工 128層技術將按計劃在2020年推出

4月8日零時，武漢市正式解除離漢離鄂通道管控措施，而位于武漢的國家存儲器基地長江存儲的研發(fā)進展以及受疫情影響情況受到業(yè)內(nèi)的高度關注。

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簡述NAND閃存的寫入限制與發(fā)展

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2021-04-01 標簽：閃存 NAND emc 3.9k 0

存儲芯片價格下滑的趨勢將持續(xù)到明年上半年？

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2020-08-17 標簽：芯片 DRAM NAND 3.9k 0

韓國強化全球存儲芯片巨頭地位，或是忌憚中國存儲行業(yè)的崛起

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2020-10-22 標簽：芯片 NAND 存儲 3.9k 0

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賽普拉斯攜手海力士建NAND閃存合資公司

賽普拉斯半導體公司日前宣布，與海力士半導體公司成立合資公司。

2018-11-07 標簽：閃存 NAND 賽普拉斯 3.9k 0

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長江存儲32層三維NAND閃存芯片量產(chǎn)提上日程光谷是希望之地

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國產(chǎn)大容量SSD喜訊！紫光宣布重磅突破

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