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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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NAND Flash終于漲價了，2021年來首次

盡管需求復(fù)蘇仍然緩慢，但減產(chǎn)推動了價格上漲。由于無法承受虧本銷售，供應(yīng)商已將減產(chǎn)幅度擴大到低于成本的水平。事實上，據(jù)報道三星電子將在明年上半年將 NAN...

2023-11-22 標簽：NAND 三星電子 SK海力士 1.8k 0

存儲芯片商普冉股份沖刺科創(chuàng)板 NOR Flash爆發(fā)式增長

科創(chuàng)板芯版圖或再添一位新軍。近日，上交所受理了普冉半導(dǎo)體（上海）股份有限公司（以下稱普冉股份）的科創(chuàng)板申請。普冉股份主營業(yè)務(wù)為非易失性存儲器芯片的設(shè)計...

2020-08-13 標簽：閃存 NAND EEPROM 1.8k 0

東芝開始提供業(yè)內(nèi)首批符合UFS 2.0的嵌入式NAND閃存模塊的樣品出貨

東芝公司（TOKYO：6502）旗下的半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布，即日起開始提供符合JEDEC UFS［1］ 2.0版本標準的32GB和64GB嵌入式...

2014-05-04 標簽：東芝閃存 NAND 1.8k 0

sd nand與nand flash的區(qū)別？

大家知道目前主流的存儲芯片大致可以分為NORFlash和NANDFlash。容量需要大一點的話，就會用采用NANDFlash。但用NANDFlash會有...

2022-07-07 標簽：NAND FlaSh 1.8k 0

十六die NAND閃存誕生:單顆容量64GB

MOSAID Technologies今天宣布，他們已經(jīng)試產(chǎn)了全球第一顆采用驚人十六die封裝的 NAND閃存芯片，讓他們和諧地運行在了一個高性能通道內(nèi)。

2012-04-06 標簽：閃存 NAND 半導(dǎo)體芯片 1.8k 0

三星半導(dǎo)體工廠發(fā)生火災(zāi) 并不會對生產(chǎn)DRAM和NAND產(chǎn)生影響

3 月 9 日訊，據(jù)韓媒報道，三星電子位于京畿道華城市半月洞的半導(dǎo)體工廠廢水處理廠發(fā)生火災(zāi)，幸運的是，沒有人受傷。該廠主要用于生產(chǎn) DRAM 顆粒和 N...

2020-03-15 標簽：DRAM NAND 三星電子 1.8k 0

傳英特爾和美光合作關(guān)系終結(jié) 將攜手清華紫光將共同開發(fā)3D NAND

近日傳聞美光科技和英特爾的合作關(guān)系即將終止，主要是因為3D NAND技術(shù)還不適合目前的市場，后續(xù)有傳說英特爾要和紫光一起開發(fā)3D NAND芯片，具體情況...

2018-01-16 標簽：英特爾 nand 美光 1.7k 0

東芝在Q4擴大96層3D NAND產(chǎn)品出貨量，各家原廠在96層和QLC技術(shù)上的競爭愈發(fā)激烈

隨著原廠3D技術(shù)的快速發(fā)展，2018下半年各家原廠在96層和QLC技術(shù)上競爭激烈，其中，三星已在7月份宣布量產(chǎn)96層3D NAND。據(jù)DIGITIMES...

2018-08-05 標簽：東芝 NAND 1.7k 0

東芯半導(dǎo)體榮獲2025年度電子元器件行業(yè)優(yōu)秀存儲芯片國產(chǎn)品牌企業(yè)

“華強電子網(wǎng)企業(yè)年度評選活動”自創(chuàng)辦以來，作為業(yè)界具有廣泛影響力的電子元器件行業(yè)盛事之一，為所有參評企業(yè)打造展示企業(yè)實力、提高企業(yè)知名度的平臺。

2026-04-13 標簽：NAND 存儲芯片東芯半導(dǎo)體 1.7k 0

2013無線領(lǐng)域的NOR閃存營收將持續(xù)下滑

據(jù)IHS公司的閃存動態(tài)簡報，2013年無線領(lǐng)域的NOR閃存銷售額將比去年下降近三分之一，盡管NOR在嵌入領(lǐng)域的用量仍然保持很大。

2013-06-26 標簽：PCM NOR閃存 NAND 1.7k 0

全球DRAM平均售價將降低 5大跡象十分清晰

內(nèi)存芯片在2017年掀起一陣狂熱，價格只增不減?？v觀2018年甚至2019年局勢，5大跡象顯示內(nèi)存芯片「超級循環(huán)」將結(jié)束，全球 DRAM 的平均售價將降低。

2018-02-23 標簽：dram nand 三星電子 1.7k 0

美光科技宣布QLC NAND技術(shù)提升市場領(lǐng)導(dǎo)地位的進一步舉措

美國愛達荷州博伊西，2018 年 11 月 07 日——美光科技有限公司（納斯達克代碼：MU）今天宣布旗下 QLC（四級單元）NAND 技術(shù)提升市場領(lǐng)導(dǎo)...

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存儲卡參考設(shè)計——MK品牌 SD NAND

為了確保芯片能正常上電初始化，電壓要在0.5V以下至少1ms；電源上升的時候需要保持電源是穩(wěn)定的、持續(xù)上升的，上升到正常工作電壓的時間是0.1ms-35...

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隨著需求的不斷增長，SSD市場需求正在快速增長

隨著PC向超極本、輕薄、二合一等輕薄型電腦發(fā)展，以及消費者對電腦性能的高要求，傳統(tǒng)HDD存儲已無法滿足PC的發(fā)展和消費者的應(yīng)用需求，再加上3D NAND...

2018-08-21 標簽：NAND SSD 1.7k 0

三星意圖拉大與對手間的差距，2019年的NAND Flash資本支出將達90億美元

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2018-08-05 標簽：NAND 三星電子 1.7k 0

邊緣計算應(yīng)用中的SSD如何保持高數(shù)據(jù)安全性和完整性

人工智能（AI）是一種數(shù)據(jù)密集型計算密集型技術(shù)。在嵌入式計算系統(tǒng)中，它需要通常托管在微處理器或FPGA中的推理引擎來檢測一組數(shù)據(jù)中的模式。連接性和硬...

2022-10-21 標簽：嵌入式 NAND SSD 1.7k 0

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2024年4月25日，在北京國際汽車展上，全場景智能車芯引領(lǐng)者芯馳科技與全球領(lǐng)先的NAND主控與NAND存儲解決方案供貨商群聯(lián)電子（Phison; 82...

2024-04-26 標簽：處理器 NAND SSD 1.7k 0

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基于NAND Flash的存儲系統(tǒng)的設(shè)計首先要解決壞塊問題。由于NAND Flash自身存在固有壞塊并在擦除和編程中又隨機產(chǎn)生壞塊，因此為了提高設(shè)備的可...

2011-04-25 標簽：嵌入式 NAND Flash 1.7k 0

MLC NAND產(chǎn)能或遭削減？三星否認停產(chǎn)傳聞

近日，業(yè)界傳出消息，MLC NAND(多層單元閃存)的產(chǎn)能供給將大幅削減，其中三星電子被指將調(diào)整產(chǎn)能。據(jù)市場傳言，三星計劃在2024年底現(xiàn)貨市場停止銷售...

2024-11-20 標簽：閃存 NAND MLC 1.7k 0

美光科技宣布西安封裝和測試工廠擴建項目破土動工

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體企業(yè) Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布其位于西安的封裝和測試新廠房已...

2024-03-27 標簽：半導(dǎo)體 DRAM NAND 1.7k 0

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