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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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Q3 NAND產(chǎn)業(yè)營收環(huán)比增長2.9%，預(yù)計Q4量價齊漲

2023年q3，三星依然是市場第1位，鎧俠、美光只是銷售下滑的第2個企業(yè)。nand的銷售額維持了與q2相同的水平，約29億美元。市場占有率為31.4%，...

2023-12-05 標(biāo)簽：NAND 美光鎧俠 1.7k 0

Intel-鎂光反擊,2xnm制程N(yùn)AND芯片將試制

Intel-鎂光反擊,2xnm制程N(yùn)AND芯片將試制在本月22日召開的一次電話會議上，鎂光公司聲稱他們很快便會試制出2x nm制程N(yùn)AN...

2009-12-26 標(biāo)簽：NAND Intel 1.7k 0

一文解析HPC存儲系統(tǒng)的挑戰(zhàn)

功率：超級計算機(jī)已接近100千瓦/架，其中大部分被數(shù)據(jù)移動所消耗隨著HPC應(yīng)用數(shù)據(jù)集的增長，在數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)和設(shè)備接口上需要越來越多的帶寬，以便在計算和存儲...

2022-08-08 標(biāo)簽：NAND 存儲系統(tǒng)應(yīng)用處理器 1.7k 0

內(nèi)存市場狀況分析：2018年DRAM持續(xù)吃緊 NAND將供過于求

近一年來了內(nèi)存價格的起伏不定，準(zhǔn)確的說是水漲船高，明年的市場狀況又將迎來如何的轉(zhuǎn)變。據(jù)悉明年上半年DRAM將持續(xù)吃緊、NAND恐供大于求。

2017-12-25 標(biāo)簽：dram nand 1.7k 0

三星電子第二季度利潤同比降幅高達(dá)99.3%

存儲芯片行業(yè)自2022年第四季度以來受到全球經(jīng)濟(jì)低迷和疫情后需求減少等因素的影響，出現(xiàn)了嚴(yán)重的下滑。

2023-06-27 標(biāo)簽：DRAM NAND 三星電子 1.7k 0

揭秘美光G9 NAND移動UFS 4.1解決方案

在快節(jié)奏的今天，手機(jī)早已不是單純的通訊工具，隨著AI技術(shù)的不斷發(fā)展，智能手機(jī)正在成為人類的AI助手。這背后，都依賴大容量高速存儲系統(tǒng)！這一趨勢將進(jìn)一步推...

2025-04-28 標(biāo)簽：智能手機(jī)NAND AI 1.7k 0

Intel企業(yè)級S3500系列SSD，攪動云計算市場

Intel公司近日發(fā)布了一組可以將數(shù)據(jù)中心移到全SSD存儲模型的固態(tài)硬盤，宣稱其能改善云計算環(huán)境、數(shù)據(jù)中心虛擬化、虛擬主機(jī)以及讀密集型應(yīng)用的性能。

2013-06-21 標(biāo)簽：NAND SSD Intel公司 1.7k 0

FORESEE XP2200系列SSD推出M.2 2280規(guī)格

自從NANDFlash進(jìn)入3D時代，3DNAND從單純提高制程工藝轉(zhuǎn)變?yōu)槎询B多層，成功解決了平面NAND在增加容量的同時性能降低的問題，實現(xiàn)容量、速度、...

2024-01-19 標(biāo)簽：NAND SSD FORESEE 1.6k 0

佰維高性能CFexpress卡解決方案挑戰(zhàn)讀寫速度和讀寫穩(wěn)定性

隨著專業(yè)相機(jī)和高端攝像設(shè)備的更新迭代，4K、8K等高分辨率設(shè)備的出現(xiàn)和逐步普及，用戶對于存儲卡的性能要求也越來越高。其中，讀寫速度和讀寫穩(wěn)定性成...

2022-10-28 標(biāo)簽：NAND 存儲卡 NAND閃存 1.6k 0

慧榮科技推出業(yè)界首款車載IVI級單封裝SSD解決方案

在設(shè)計及推廣用于固態(tài)存儲設(shè)備的NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導(dǎo)地位的慧榮科技（Silicon Motion Technology Corporatio...

2014-12-23 標(biāo)簽：SATA NAND SSD 1.6k 0

記憶體庫存去壓力難解電競SSD價格快速走跌

記憶體市況需求冷淡，受到庫存水位偏高，首季價格跌幅達(dá)到雙位數(shù)，由于預(yù)期市場價格持續(xù)下探，模組廠及終端拉貨動能趨向保守。但記憶體價格走跌下，電競記憶體拉貨...

2019-02-14 標(biāo)簽：Nand 記憶體 SSD 1.6k 0

鎧俠瞄準(zhǔn)2027年：挑戰(zhàn)1000層堆疊的3D NAND閃存新高度

在全球半導(dǎo)體行業(yè)的激烈競爭中，日本知名存儲芯片制造商鎧俠（Kioxia）展現(xiàn)了其雄心壯志和堅定決心。在結(jié)束了長達(dá)20個月的NAND閃存減產(chǎn)計劃后，鎧俠的...

2024-06-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 鎧俠 1.6k 0

美光3D XPoint固態(tài)硬盤首次現(xiàn)身 Facebook對商用興趣濃厚

近日，在美國加州圣克拉拉舉行的閃存峰會（Flash Memory Summit）上，美光科技（Micron）揭示了基于3D XPoint（相變存儲）技術(shù)...

2016-08-12 標(biāo)簽：NAND 美光 Facebook 1.6k 0

江波龍首顆自研NAND閃存問世

江波龍首顆自研32Gb 2D MLC NAND Flash于近日問世。該產(chǎn)品采用BGA132封裝，支持Toggle DDR模式，數(shù)據(jù)訪問帶寬可達(dá)400M...

2024-02-01 標(biāo)簽：閃存 NAND 江波龍 1.6k 0

美光與英特爾在3D XPoint存儲芯片市場上競爭激烈，互不相讓

英特爾已經(jīng)推出了幾款3D XPoint產(chǎn)品，但是到目前為止，美光科技還沒有什么動作。

2018-07-02 標(biāo)簽：英特爾 NAND 存儲 1.6k 0

江波龍電子:提供高質(zhì)量的存儲創(chuàng)新產(chǎn)品和解決方案

在剛剛結(jié)束的2021年，全球半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)歷了很多故事。一方面，持續(xù)蔓延的芯片短缺給整個半導(dǎo)體行業(yè)帶來很大困擾，也給全球半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)帶來了巨大挑戰(zhàn)。另一...

2022-02-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 存儲 1.6k 0

全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)量價雙增長，三星、SK海力士等廠商排名變動

在本季度各廠商N(yùn)AND營收排名中，美光成功超越西部數(shù)據(jù)，躍居第四位。這主要得益于其在2023年第四季度的價格和出貨量略遜于其他競爭對手，因此在2024年...

2024-05-29 標(biāo)簽：NAND 美光人工智能 1.6k 0

NAND 閃存滿足內(nèi)存控制器要求

內(nèi)存控制器的未來與它們控制的內(nèi)存有著不可逆轉(zhuǎn)的聯(lián)系。同樣，它們受摩爾定律的約束。雖然存儲類存儲器 (SCM) 可能會因新架構(gòu)而獲得關(guān)注，但存儲器控制器市...

2022-07-20 標(biāo)簽：閃存 NAND 內(nèi)存控制器 1.6k 0

三星平澤P4/P5芯片工廠建設(shè)延期至2026年

三星電子近日宣布，其位于韓國平澤的P4/P5芯片工廠建設(shè)計劃將發(fā)生重大調(diào)整，原定于加速推進(jìn)的項目現(xiàn)已決定推遲至2026年。這一變動旨在優(yōu)先保障位于美國得...

2024-09-04 標(biāo)簽：芯片 NAND 三星電子 1.6k 0

長江存儲64層3D NAND實現(xiàn)量產(chǎn) 意圖打破全球壟斷局面

1 月 16 日訊，據(jù)悉，長江存儲科技有限責(zé)任公司副董事長楊道虹表示，2019 年，國家存儲器基地項目基于自主知識產(chǎn)權(quán)研發(fā)生產(chǎn)的 64 層三維閃存產(chǎn)品...

2020-01-16 標(biāo)簽：NAND 存儲 1.6k 0

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云儲存

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云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費(fèi)云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗和實力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
江波龍

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非易失性存儲器

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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
合肥長鑫

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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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NOR flash

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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
SRAM存儲器

SRAM存儲器

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　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
福建晉華

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　　NoSQL僅僅是一個概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
云盤

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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個人提供信息的儲存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲的特點。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲品牌。
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