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標(biāo)簽 > nand
NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備,在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。
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2019年第一季度世界存儲器產(chǎn)品營收為271.24億美元 下降26.8%
2019年第一季度,世界存儲器(DRAM和NAND)產(chǎn)品營收額為271.24億美元,與2018年第四季度相較下降26.8%。
受到傳統(tǒng)淡季影響 第二季NAND Flash價格跌勢難止
全球市場研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)表示,從2018年第四季開始,智能手機(jī)及服務(wù)器OEM便因需求疲弱而調(diào)節(jié)庫存,今年第一季...
2019-05-31 標(biāo)簽:NAND 628 0
NAND Flash 和DRAM的價格將持續(xù)下滑 下半年有待改善局面
集邦科技記憶體儲存研究(DRAMeXchange)表示,今年第一季除了受到傳統(tǒng)淡季因素影響外,智能手機(jī)及伺服器OEM廠從去年第四季便因需求疲弱而開始調(diào)節(jié)...
從用戶端來看,消費(fèi)者無一不鐘愛持續(xù)走低的產(chǎn)品,尤其是芯片類產(chǎn)品,可能說到電子產(chǎn)品大家就會認(rèn)為價格一定會隨著時間的推移直線走低,但芯片類產(chǎn)品并非如此,其會...
慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章表示:“專業(yè)用戶隨時需要依靠高速可攜式存儲設(shè)備來存取他們的數(shù)據(jù)。與可攜式HDD硬盤相比,可攜式SSD硬盤受到高單價和低容量的限制。我...
美商務(wù)部給90天寬限期,華為掃貨,NAND將掀搶購潮
華為已通知所有美國芯片供貨商全力供貨,最好是把庫存全數(shù)搬到華為倉庫。
半導(dǎo)體市場全面下滑 NAND閃存、DRAM內(nèi)存價格大幅度下滑
不論是全球半導(dǎo)體市場還是國內(nèi)半導(dǎo)體市場,今年Q1季度都出現(xiàn)了下滑的趨勢,根據(jù)SIA數(shù)據(jù)顯示,2019年第一季度全球半導(dǎo)體市場同比下降了5.5%。根據(jù)中國...
基于Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND閃存已實現(xiàn)量產(chǎn)
現(xiàn)在,長江存儲聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級副總裁程衛(wèi)華接受采訪時表示,公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NA...
美光公布DRAM和NANDFlash的最新技術(shù)線路圖 將持續(xù)推進(jìn)1ZnmDRAM技術(shù)及研發(fā)128層3DNAND
作為全球知名的存儲器廠商,近日,美光召開了2019年投資者大會,在大會中上,美光展示了DRAM和NAND Flash下一代技術(shù)的發(fā)展以及規(guī)劃。
鎧俠打造全新品牌,將在今年推出全新消費(fèi)級SSD產(chǎn)品
作為NAND閃存技術(shù)發(fā)明人、全球第二大閃存供應(yīng)商,從東芝獨(dú)立出來之后的鎧俠(Kioxia)從2020年開始已經(jīng)不能再使用東芝品牌了。鎧俠的技術(shù)實力無可置...
聚焦 | 2019年Q1存儲產(chǎn)值環(huán)比減少27%,同比重摔30%
第一季存儲產(chǎn)業(yè)持續(xù)受到外部總體經(jīng)濟(jì)因素的干擾,終端需求持續(xù)不振
短期內(nèi)NAND閃存需求的不如人意 并不影響市場的長期向好態(tài)勢
進(jìn)入2019年第二季度,NAND閃存的價格繼續(xù)呈下跌態(tài)勢,根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心第一季度末發(fā)布的數(shù)據(jù),受到服務(wù)器需求疲弱、智能手機(jī)換機(jī)周期延長、蘋果...
不論是DRAM或NAND Flash 持續(xù)提升性能與降低成本都將更加困難
不論是DRAM或NAND Flash,現(xiàn)有的存儲器解決方案都面臨著制程持續(xù)微縮的物理極限,這意味著要持續(xù)提升性能與降低成本都將更加困難。為了在有限甚至不...
第二存儲并非一個新興概念,而且沒有一個統(tǒng)一的定義。一般而言,所有非關(guān)鍵業(yè)務(wù)使用的存儲都可以稱為第二存儲,因為每家企業(yè)對關(guān)鍵業(yè)務(wù)的定義不同,所以第二存儲的...
突破國外專利封鎖,長江存儲將于今年8年推出Xtacking 2.0
湯強(qiáng)在峰會上表示將于今年8年推出Xtacking 2.0。
長江存儲今年年底量產(chǎn)64層3D NAND,進(jìn)一步縮短于國外廠商技術(shù)差距
國內(nèi)的NAND閃存與國外的技術(shù)差距就從之前的三四年縮小到了兩年左右。
首個4D NAND閃存!SK海力士宣布正式出樣96層QLC閃存,核心容量1Tbit
SK Hynix的QLC閃存整體性能令人印象深刻。
韓美日壟斷NAND flash市場,中國有望打破韓美日壟斷NAND flash的局面
據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange發(fā)布的2018年四季度NAND flash市場份額排名顯示,三星、東芝、美光、西部數(shù)據(jù)和SK海力士占有的市場份額分別為...
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