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NAND閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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諾獎(jiǎng) ＂選擇性失憶”的遺珠?NAND Flash 核心技術(shù)發(fā)明者—施敏

施敏發(fā)明的非揮發(fā)性存儲(chǔ)技術(shù)，是現(xiàn)今被全球各國(guó)視為關(guān)鍵戰(zhàn)略物資 NAND Flash 閃存芯片的基礎(chǔ)核心，可以說(shuō)，若沒(méi)有施敏，手機(jī)不可能成為我們隨身帶著走...

2019-03-22 標(biāo)簽：閃存 Nand 5.2k 0

NAND Flash價(jià)格綜合季跌幅近20% 第二季或有扭轉(zhuǎn)

集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）調(diào)查指出，受到服務(wù)器需求疲弱、智能手機(jī)換機(jī)周期延長(zhǎng)、蘋(píng)果新機(jī)銷售不如預(yù)期等終端需求不佳沖擊，2019年...

2019-03-22 標(biāo)簽：DRAM NAND 725 0

2019年和2020年的數(shù)量Bit Volumes現(xiàn)在將同比增長(zhǎng)39％和38％

供需是影響客戶為其閃存存儲(chǔ)所支付的價(jià)格的兩個(gè)因素，需求增加推動(dòng)價(jià)格上漲，促使供應(yīng)商增加產(chǎn)量。如果高估需求，這可能會(huì)導(dǎo)致價(jià)格過(guò)剩和價(jià)格下跌。

2019-03-20 標(biāo)簽：閃存 NAND 固態(tài)硬盤(pán) 5.9k 0

諾獎(jiǎng) ＂選擇性失憶”? 存儲(chǔ)技術(shù)研究總成遺珠

1960 年時(shí)代，當(dāng)時(shí)主流的存儲(chǔ)技術(shù)為磁圈記憶體，但磁圈記憶體的體積大又耗電，拖累計(jì)算機(jī)的效能表現(xiàn)，那時(shí)施敏在貝爾實(shí)驗(yàn)室的同事美籍韓裔科學(xué)家姜大元先研發(fā)...

2019-03-19 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)技術(shù)核心技術(shù) 3k 0

新興記憶體已初露曙光長(zhǎng)期或影響DRAM、NAND閃存？

依據(jù)von Neumann架構(gòu)，計(jì)算機(jī)中記憶體和控制單元是分離的，這也是目前計(jì)算機(jī)及相關(guān)的半導(dǎo)體零件制造的指導(dǎo)方針。但是在目前海量資料的處理與儲(chǔ)存上，這...

2019-03-14 標(biāo)簽：DRAM NAND 記憶體 6.4k 0

2018年原廠64層/72層3D NAND量產(chǎn)，使得NAND Flash市場(chǎng)供過(guò)于求，并影響價(jià)格大跌。2019年初96層3D NAND初露鋒芒，新一代技...

2019-03-05 標(biāo)簽：閃存 NAND SSD 7.1k 0

手機(jī)市場(chǎng)疲軟存儲(chǔ)器廠商群聯(lián)電子轉(zhuǎn)型有成

全球智能手機(jī)市場(chǎng)疲弱，車用電子、AIoT等逐漸成為市場(chǎng)矚目焦點(diǎn)。NAND Flash控制芯片及存儲(chǔ)解決方案廠群聯(lián)電子轉(zhuǎn)型有成，今年大舉進(jìn)軍AIoT、車載...

2019-03-02 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)器 1.1k 0

2018年全球SSD出貨量突破2億臺(tái)大關(guān) 普及率有望再上一個(gè)臺(tái)階

2018年NAND Flash價(jià)格大幅下跌，隨著每GB價(jià)格跌到0．1美元，480GB－512GB的固態(tài)硬盤(pán)（SSD）與1TB的機(jī)械硬盤(pán)（HDD）價(jià)格相差...

2019-03-02 標(biāo)簽：NAND SSD 3.8k 0

DRAM與NAND供應(yīng)商遭遇下滑的原因分析

根據(jù)行業(yè)分析機(jī)構(gòu)DRAMeXChange的統(tǒng)計(jì)，各DRAM供應(yīng)商與NAND供應(yīng)商在2018年第四季度皆遭遇出貨量與產(chǎn)品價(jià)格下滑問(wèn)題，收入縮水自然也成為無(wú)...

2019-03-02 標(biāo)簽：DRAM NAND 3.5k 0

市場(chǎng)跌宕起伏存儲(chǔ)三巨頭日子越來(lái)越不好過(guò)

這兩年，DRAM內(nèi)存、NAND閃存市場(chǎng)跌宕起伏，也帶動(dòng)內(nèi)存條、固態(tài)硬盤(pán)持續(xù)動(dòng)蕩，而作為掌握核心芯片資源的三星電子、SK海力士、美光等巨頭，自然是賺得盆滿...

2019-02-28 標(biāo)簽：DRAM NAND 存儲(chǔ) 1.3k 0

美光推出全球首款1TB micro SD卡可提供高性能可移動(dòng)存儲(chǔ)

西班牙巴塞羅那，2019 年 2 月 25 日 —— 在2019世界移動(dòng)通信大會(huì)上，作為創(chuàng)新內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，美光科技股份有限公司（納斯達(dá)...

2019-02-26 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)美光 1.4k 0

因2018年第四季總體經(jīng)濟(jì)不確定性提高 NAND Flash大廠營(yíng)收持續(xù)走跌

全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）表示，部分服務(wù)器廠商因2018年第四季總體經(jīng)濟(jì)不確定性提高，決定延后進(jìn)貨或取消訂單，與...

2019-02-24 標(biāo)簽：NAND 三星電子 SK海力士 864 0

未來(lái)十年存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存將取代NAND閃存?

近日，HPE 3PAR存儲(chǔ)單元副總裁兼總經(jīng)理Ivan Iannaccone進(jìn)行了一次大膽預(yù)測(cè)，在他看來(lái)，存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（SCM）或?qū)⒃?0年內(nèi)取代NAND閃...

2019-02-19 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)內(nèi)存 6.6k 0

LiteOn推出采用東芝64層3D NAND最新SSD

近日，LiteOn推出一款最新MU3系列SSD，采用東芝64層BiCS 3D TLC NAND，7毫米/2.5英寸外形，SATA 6Gbps接口，提供1...

2019-02-18 標(biāo)簽：東芝 NAND SSD 4.5k 0

記憶體庫(kù)存去壓力難解電競(jìng)SSD價(jià)格快速走跌

記憶體市況需求冷淡，受到庫(kù)存水位偏高，首季價(jià)格跌幅達(dá)到雙位數(shù)，由于預(yù)期市場(chǎng)價(jià)格持續(xù)下探，模組廠及終端拉貨動(dòng)能趨向保守。但記憶體價(jià)格走跌下，電競(jìng)記憶體拉貨...

2019-02-14 標(biāo)簽：Nand 記憶體 SSD 1.6k 0

SCM將取代閃存成為首選的高速存儲(chǔ)介質(zhì)

存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（SCM）這種RAM能夠像NAND閃存那樣保保存其內(nèi)容，但兼具DRAM的速度，最終將會(huì)取代閃存成為首選的高速存儲(chǔ)介質(zhì)。

2019-02-11 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ) 5.2k 0

存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存克服了NAND閃存的局限性因而勢(shì)必會(huì)取而代之

2019-01-28 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)內(nèi)存 1.1k 0

SCM比NAND閃存更快，但仍然很昂貴

由于閃存的固有設(shè)計(jì)，SCM在這塊要好很多。性能問(wèn)題和閃存延遲的最大原因之一是使用垃圾收集以滿足新寫(xiě)入。將數(shù)據(jù)寫(xiě)入閃存驅(qū)動(dòng)器時(shí)，無(wú)法覆蓋舊信息。它必須在其...

2019-01-28 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)器 SCM 5.6k 0

邁入2019年，NAND快閃記憶體確定會(huì)是記憶體產(chǎn)業(yè)的焦點(diǎn)

繼2015年Samsung推出32層堆層的3D V-NAND之后，2016年市場(chǎng)便很熱鬧，除了SK Hynix推出了36層的3D NAND V2、Mic...

2019-01-28 標(biāo)簽：NAND 3D 記憶體 1.3萬(wàn) 0

預(yù)測(cè)2019年電子行業(yè)和IT行業(yè)的未來(lái)

對(duì)于中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來(lái)，2019年具有非常重要的意義。

2019-01-27 標(biāo)簽：NAND 長(zhǎng)江存儲(chǔ) 5.7k 0

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云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來(lái)的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來(lái)社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。固態(tài)硬盤(pán)的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問(wèn)題。這種寬度為2.5英寸的硬盤(pán)用來(lái)容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤(pán)的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤(pán)的售價(jià)。
江波龍

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非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語(yǔ)：non-volatile memory，縮寫(xiě)為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫(xiě)為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
合肥長(zhǎng)鑫

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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
LPDDR4

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NOR flash

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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語(yǔ)：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫(xiě)：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
SRAM存儲(chǔ)器

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　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
福建晉華

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3D NAND Flash

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西數(shù)

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4K視頻

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SQL Server

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手機(jī)內(nèi)存

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嵌入式閃存

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3DXPoint

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存儲(chǔ)行業(yè)

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快閃存儲(chǔ)器

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nosql

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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
云盤(pán)

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云盤(pán)是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE

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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)

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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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