英特爾96層3D NAND二期項(xiàng)目投產(chǎn)啟動(dòng)儀式在大連舉行

9月21日，英特爾大連非易失性存儲(chǔ)二期項(xiàng)目投產(chǎn)啟動(dòng)儀式在大連舉行。省委副書記、省長唐一軍出席啟動(dòng)儀式。

2018-09-30 標(biāo)簽：英特爾NAND 4.5k 0

3D NAND芯片市場發(fā)展空間巨大，三星電子很難單獨(dú)吞下這一片市場

8月28日，三星電子宣布，未來將投資70億美元用于擴(kuò)大西安三星電子NAND芯片的生產(chǎn)。不過，三星稱，“此筆投資意在滿足NAND芯片市場的需求?！笨墒?，三...

2018-10-01 標(biāo)簽：NAND三星電子 3.4k 0

DRAM、NAND flash和NOR flash三者牢牢控制著內(nèi)存市場

你如果問當(dāng)前內(nèi)存市場是誰的天下？那么答案一定是DRAM、NAND flash、NOR flash，三者牢牢控制著內(nèi)存市場，當(dāng)前都處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。不過...

2018-09-29 標(biāo)簽：DRAMNAND內(nèi)存 6k 0

英特爾70%的3D NAND快閃存儲(chǔ)器來自大連晶圓廠

英特爾2006年與大連市政府達(dá)成合作協(xié)定，2007年起在大連投資25億美元，建設(shè)12英寸晶圓廠，主要負(fù)責(zé)處理器封裝測試，2010年大連晶圓廠正式落成。

2018-09-29 標(biāo)簽：英特爾NAND 4.7k 0

NAND的生產(chǎn)工藝提升或?qū)⑼苿?dòng)智能手機(jī)很快進(jìn)入TB時(shí)代

2018年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模達(dá)到1500億美金，其中NAND Flash將超過570億美金，而中國消耗了全球產(chǎn)能的32%，這意味著中國目前已經(jīng)是全球存儲(chǔ)...

2018-09-28 標(biāo)簽：智能手機(jī)NAND 4.1k 0

鑒于預(yù)期需求放緩，三星電子明年計(jì)劃減少內(nèi)存芯片產(chǎn)量增幅

鑒于預(yù)期需求放緩，三星電子明年計(jì)劃減少內(nèi)存芯片產(chǎn)量增幅，以確保供應(yīng)緊縮。

2018-09-28 標(biāo)簽：NAND三星電子內(nèi)存 1.2k 0

3D NAND TB時(shí)代或指日可待，Xtacking會(huì)是中國閃存的王牌嗎？

近日，備受業(yè)界關(guān)注的“2018年中國閃存市場峰會(huì)（CFMS2018）”在深圳開幕，來自三星、美光、西部數(shù)據(jù)、長江存儲(chǔ)、慧榮科技、群聯(lián)電子以及江波龍等全球...

2018-09-27 標(biāo)簽：閃存NAND存儲(chǔ) 2.3k 0

有了大連工廠的支撐，Intel能在消費(fèi)市場上再次開辟一天新天地嗎？

據(jù)媒體報(bào)道，近日，Intel大連非易失性存儲(chǔ)二期項(xiàng)目投產(chǎn)啟動(dòng)儀式在大連舉行。

2018-09-26 標(biāo)簽：閃存NANDIntel 1.6k 0

長江存儲(chǔ)計(jì)劃在明年第四季度量產(chǎn)64層堆疊的3D NAND閃存芯片

據(jù)報(bào)道，紫光投資的長江存儲(chǔ)傳來新動(dòng)態(tài)。

2018-09-26 標(biāo)簽：閃存NAND長江存儲(chǔ) 3.1k 0

NAND存儲(chǔ)器跌破兩年前價(jià)位，國內(nèi)廠商能否決勝于新一輪周期回轉(zhuǎn)？

內(nèi)存市場和閃存市場有一定的關(guān)聯(lián)性，不管是存儲(chǔ)介質(zhì)或是存儲(chǔ)主控芯片，它的成敗不在一年兩年，而是一個(gè)長期的過程，一個(gè)企業(yè)要好這個(gè)事情，不可能是做好一款爆品之...

2018-09-25 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)器 5.1k 0

96層QLC技術(shù)的升級，NAND Flash成本下滑

東芝內(nèi)存CEO毛康雄(Yasuo Naruke)在東芝內(nèi)存及其合資伙伴西部數(shù)據(jù)舉辦的新聞發(fā)布會(huì)上表示：“短期內(nèi)的價(jià)格波動(dòng)是供需平衡的體現(xiàn)，但我們正在解決...

2018-09-25 標(biāo)簽：東芝閃存NAND 5.5k 0

IC設(shè)計(jì)門檻墊高　NAND Flash控制晶片進(jìn)入1X奈米時(shí)代

全球快閃記憶體(NAND Flash)控制晶片廠群聯(lián)電子(8299)董事長潘健成表示，由于NAND Flash控制晶片的設(shè)計(jì)愈加復(fù)雜、所需人力及銀彈越來...

2018-09-21 標(biāo)簽：ICNand 4.9k 0

東芝無懼芯片價(jià)格下跌，將量產(chǎn)96層3D NAND Flash

日本東芝記憶體與合作伙伴西部數(shù)據(jù)為全新的半導(dǎo)體設(shè)施Fab 6 (6號(hào)晶圓廠)與記憶體研發(fā)中心舉行開幕儀式；東芝記憶體總裁Yasuo Naruke無懼芯片...

2018-09-20 標(biāo)簽：東芝Nand 5.8k 0

旺宏預(yù)計(jì)2019年量產(chǎn)3D NAND，并進(jìn)軍SSD市場

非揮發(fā)性存儲(chǔ)器廠旺宏董事長吳敏求今日透露，該公司已切入3D NAND Flash開發(fā)，預(yù)計(jì)2018年或2019年量產(chǎn)，并進(jìn)軍固態(tài)硬盤（SSD）市場。

2018-09-17 標(biāo)簽：NANDSSD旺宏 2.2k 0

3D工藝的轉(zhuǎn)型步伐較慢，NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài)

今年第三季度，NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài)，主要是顆粒廠面向3D工藝的轉(zhuǎn)型步伐較慢，低于預(yù)期。

2018-09-16 標(biāo)簽：閃存NAND3D 848 0

三家主控廠商：慧榮、群聯(lián)、得一，共話SSD市場新格局

在2D納米工藝時(shí)代，NAND Flash架構(gòu)經(jīng)歷了從SLC向TLC的過渡，控制芯片技術(shù)的發(fā)展起到非常重要的作用。隨著原廠3D NAND技術(shù)的不斷成熟，2...

2018-09-13 標(biāo)簽：NANDSSD大數(shù)據(jù) 1.7萬 0

隨著NAND Flash價(jià)格的下滑，如何加強(qiáng)競爭力成為各大原廠共同的難題

近兩年來DIY市場可謂是風(fēng)起云涌，從2016年下半年開始SSD、內(nèi)存和顯卡陸續(xù)漲價(jià)，2017年8GB內(nèi)存價(jià)格甚至一度破千元，顯卡一度賣脫銷。本以為201...

2018-09-12 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)SSD 1.3k 0

群聯(lián)64層3D QLC NAND Flash控制芯片出貨，單顆容量即可達(dá)128GB

快閃存儲(chǔ)器（NANDFlash）控制芯片及儲(chǔ)存解決方案領(lǐng)導(dǎo)群聯(lián)6日正式宣布，搭載美系國際原廠最新QLC規(guī)格64層3DNANDFlash之的SSD控制芯...

2018-09-11 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)器 2.6k 0

西數(shù)談中國NAND競爭：仍有技術(shù)優(yōu)勢 2020年前中國廠商意義不大

面對中國廠商在NAND市場上的威脅，這些公司是怎么看的呢？西數(shù)公司日前表態(tài)稱NAND領(lǐng)域技術(shù)很難，他們在這方面依然有優(yōu)勢，中國的NAND廠商在2020年...

2018-09-11 標(biāo)簽：NAND三星電子美光 5.8k 0

SK海力士計(jì)劃明年增產(chǎn)96層3D NAND閃存

SK海力士在清州建設(shè)M15工廠的建成儀式將于9月17日在清州舉行。SK海力士計(jì)劃通過從明年初開始增產(chǎn)96層3D NAND閃存的策略，來鞏固其市場主導(dǎo)地位。

2018-09-07 標(biāo)簽：NANDSK海力士 4k 0