如何以每個(gè)人都能理解的方式解釋閃光燈

　　每個(gè)倉(cāng)庫(kù)都存儲(chǔ)著不同的東西。它們存儲(chǔ)的調(diào)色板包含所有形狀和大小的單元，具有不同的存儲(chǔ)要求。例如，它們可能需要在特定溫度下儲(chǔ)存?；蛘?，由于使用模式高，...

2022-10-20 標(biāo)簽：嵌入式NAND 1.3k 0

工業(yè)4.0：您需要的存儲(chǔ)類型

　　工業(yè)4.0旨在為生產(chǎn)系統(tǒng)的構(gòu)成帶來(lái)巨大的變化，但最重要的是改變它們創(chuàng)造價(jià)值的方式以及它們與周圍世界的互動(dòng)方式。工業(yè)4.0建立在工業(yè)3.0期間實(shí)現(xiàn)的技...

2022-10-24 標(biāo)簽：人機(jī)交互NAND工業(yè)4.0 1.3k 0

SK海力士：內(nèi)存芯片的需求旺盛，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)增長(zhǎng)近兩倍

1月25日消息，本周四，韓國(guó)SK海力士（SK Hynix）表示，由于內(nèi)存芯片的需求旺盛，盡管韓元更加堅(jiān)挺，2017年第四季度的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)依然增長(zhǎng)近兩倍，...

2018-06-25 標(biāo)簽：NANDSK海力士 1.3k 0

TDK推出使用3D NAND閃存的高可靠性SSD

隨著3D閃存技術(shù)的發(fā)展，容量超過(guò)1 TB的閃存解決方案得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，對(duì)于數(shù)據(jù)可靠性的要求也變得越來(lái)越復(fù)雜。

2020-12-11 標(biāo)簽：控制器NANDTDK 1.3k 0

三星再度調(diào)漲存儲(chǔ)芯片報(bào)價(jià) 最快本月生效

　自2022年下半年以來(lái)，高通貨膨脹和世界經(jīng)濟(jì)前景惡化不斷打擊半導(dǎo)體需求，使半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)陷入前所未有的低迷期。今年第一季度，三星電子的dram半導(dǎo)體銷售額...

2023-10-09 標(biāo)簽：高通半導(dǎo)體NAND 1.3k 0

美光232層QLC NAND現(xiàn)已量產(chǎn)

美光科技近日宣布了重大技術(shù)突破，其先進(jìn)的232層QLC NAND閃存已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并已部分應(yīng)用于Crucial英睿達(dá)固態(tài)硬盤（SSD）中。此外，美光還...

2024-05-06 標(biāo)簽：NAND美光科技 1.3k 0

DRAM表現(xiàn)強(qiáng)勁 2016年IC市場(chǎng)營(yíng)收將增長(zhǎng)1%

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IC Insights的最新報(bào)告將對(duì)2016年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)營(yíng)收的成長(zhǎng)率預(yù)測(cè)，由原先的-2%提升為1%；此外該機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，2016年全球IC出...

2016-10-25 標(biāo)簽：DRAMNAND快閃存儲(chǔ)器 1.3k 0

三星電子量產(chǎn)1TB QLC第九代V-NAND

三星電子今日宣布了一項(xiàng)重大里程碑——其自主研發(fā)的1太比特（Tb）容量四層單元（QLC）第九代V-NAND閃存已正式邁入量產(chǎn)階段。這一成就不僅標(biāo)志著三星在...

2024-09-12 標(biāo)簽：NAND三星電子存儲(chǔ)技術(shù) 1.3k 0

SK海力士推出新一代移動(dòng)端NAND閃存解決方案

在智能手機(jī)技術(shù)日新月異的今天，SK海力士再次引領(lǐng)行業(yè)潮流，成功推出新一代移動(dòng)端NAND閃存解決方案——ZUFS 4.0。這款專為端側(cè)AI手機(jī)優(yōu)化的閃存產(chǎn)...

2024-05-11 標(biāo)簽：智能手機(jī)NANDSK海力士 1.3k 0

蘋果計(jì)劃從長(zhǎng)江存儲(chǔ)采購(gòu)其NAND芯片，長(zhǎng)江存儲(chǔ)迎來(lái)重大收獲

北京時(shí)間2月14日晚間消息，據(jù)報(bào)道，蘋果公司（以下簡(jiǎn)稱“蘋果”）正與中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司談判，希望采購(gòu)其NAND閃存芯片用于iPhone。

2018-07-19 標(biāo)簽：NAND長(zhǎng)江存儲(chǔ) 1.3k 0

起訴美光！長(zhǎng)江存儲(chǔ)反擊

訴訟旨在解決以下問(wèn)題的一個(gè)方面：美光試圖通過(guò)迫使長(zhǎng)江存儲(chǔ)退出3D NAND Flash（閃存）市場(chǎng)來(lái)阻止競(jìng)爭(zhēng)和創(chuàng)新。

2023-11-13 標(biāo)簽：NAND美光長(zhǎng)江存儲(chǔ) 1.3k 0

存儲(chǔ)器市場(chǎng)價(jià)格居高不下，三星中國(guó)西安NAND Flash工廠擴(kuò)建計(jì)劃持續(xù)進(jìn)行

在當(dāng)前NandFlash存儲(chǔ)器仍舊供不應(yīng)求，市場(chǎng)價(jià)格依舊居高不下的情況下，日前全球NandFlash存儲(chǔ)器龍頭企業(yè)的韓國(guó)三星，日前宣布將在本月底正式動(dòng)...

2018-07-03 標(biāo)簽：NAND三星電子存儲(chǔ)器 1.3k 0

市場(chǎng)跌宕起伏 存儲(chǔ)三巨頭日子越來(lái)越不好過(guò)

這兩年，DRAM內(nèi)存、NAND閃存市場(chǎng)跌宕起伏，也帶動(dòng)內(nèi)存條、固態(tài)硬盤持續(xù)動(dòng)蕩，而作為掌握核心芯片資源的三星電子、SK海力士、美光等巨頭，自然是賺得盆滿...

2019-02-28 標(biāo)簽：DRAMNAND存儲(chǔ) 1.3k 0

逐步邁向工業(yè)存儲(chǔ)解決方案

　　三級(jí)單元（TLC）、多級(jí)單元（MLC）、單層單元（SLC）、偽單層單元（pSLC）——有許多閃存技術(shù)。開(kāi)發(fā)人員需要了解存儲(chǔ)的基本機(jī)制和存儲(chǔ)級(jí)別的效果...

2022-10-24 標(biāo)簽：芯片閃存NAND 1.3k 0

“神仙打架”的車企背后，智能汽車產(chǎn)業(yè)鏈經(jīng)歷了什么？

2024 年伊始，汽車市場(chǎng)就開(kāi)始彌漫著濃濃的硝煙味道，年味還沒(méi)散盡，比亞迪就用“電比油低”揭開(kāi)了新一輪“戰(zhàn)爭(zhēng)”序幕。

2024-04-17 標(biāo)簽：DRAMNAND智能汽車 1.3k 0

SK海力士如何將NAND4技術(shù)應(yīng)用于未來(lái)的UFS

作為新一代突破性閃存1技術(shù)（Flash Memory），通用閃存存儲(chǔ)（UFS）擁有獨(dú)立的數(shù)據(jù)讀寫(xiě)通道，可雙向同時(shí)傳輸數(shù)據(jù)。UFS是適用于嵌入式系統(tǒng)（Em...

2023-05-17 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)設(shè)備SK海力士 1.3k 0

NAND閃存和DRAM市況不同調(diào)，內(nèi)存事業(yè)可望在第2季維持強(qiáng)勢(shì)表現(xiàn)

內(nèi)存指標(biāo)大廠三星和美光釋出今年內(nèi)存市況分析，儲(chǔ)存型閃存（NAND Flash）和DRAM市況不同調(diào) 。三星和美光同指本季NAND價(jià)格持續(xù)下探，但DRA...

2018-06-21 標(biāo)簽：DRAMNAND存儲(chǔ)技術(shù) 1.3k 0