英特爾和美光將投入2bit單元25nm MLC NAND閃存

目前，限制SSD普及的門檻依然是昂貴的價(jià)格和較小的容量，而各大閃存制造廠商也在為SSD的普及，積極地研制新制程技術(shù)，以期望帶來(lái)更具性價(jià)比的產(chǎn)品。顯然，英...

2011-01-02 標(biāo)簽：NAND 1.3k 0

關(guān)于NAND閃存有哪些觀念是錯(cuò)誤的？

在半導(dǎo)體業(yè)，有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計(jì)的真實(shí)可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語(yǔ)和誤解。因此，弄清事實(shí)很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯(cuò)誤觀念。

2018-08-30 標(biāo)簽：閃存NAND 1.2k 0

AI引領(lǐng)存儲(chǔ)市場(chǎng)變革 HBM與DDR5需求暴增

AI成了存儲(chǔ)市場(chǎng)的最大增量。開源證券表示，搭載容量方面，隨著AI在各類領(lǐng)域的應(yīng)用延伸，手機(jī)、服務(wù)器、PC中DRAM和NAND單機(jī)平均搭載容量均有增長(zhǎng)，其...

2024-03-06 標(biāo)簽：DRAMNANDAI 1.2k 0

NAND大漲價(jià)！西部數(shù)據(jù)開第一槍

目前業(yè)界有很多樂觀的降價(jià)反彈，但目前大部分供應(yīng)商和客戶都個(gè)別通知價(jià)格調(diào)整，西部數(shù)據(jù)給客戶發(fā)了漲價(jià)信，預(yù)計(jì)價(jià)格會(huì)出現(xiàn)驚人的上漲，是業(yè)界第一次全面大漲價(jià)格。...

2023-12-07 標(biāo)簽：芯片NAND西部數(shù)據(jù) 1.2k 0

三星擬放緩2019年記憶體增產(chǎn) 有助降低DRAM跌價(jià)速度

美中貿(mào)易戰(zhàn)導(dǎo)致市場(chǎng)不確定性大增，記憶體大廠三星傳出將調(diào)降明年DRAM及NAND Flash位元出貨量，若隨著產(chǎn)出減少，有助于明年跌價(jià)壓力趨緩，對(duì)臺(tái)記憶體...

2019-01-02 標(biāo)簽：DRAMNand三星電子 1.2k 0

瀚海微SD NAND/TF卡數(shù)據(jù)損壞與校驗(yàn)錯(cuò)誤（含CRC錯(cuò)誤、數(shù)據(jù)比對(duì)失敗）問題解析

數(shù)據(jù)損壞與校驗(yàn)錯(cuò)誤是瀚海微SD NAND/TF卡在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與傳輸過程中的關(guān)鍵故障，除常見的CRC錯(cuò)誤外，數(shù)據(jù)比對(duì)失?。ㄗx取數(shù)據(jù)與寫入數(shù)據(jù)不一致）是核心表...

2025-11-30 標(biāo)簽：NAND存儲(chǔ)數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 1.2k 0

存儲(chǔ)器市場(chǎng)將要進(jìn)行深度的調(diào)整 NAND價(jià)格會(huì)下跌45%

在經(jīng)歷了兩年的瘋狂上漲之后，存儲(chǔ)器市場(chǎng)要進(jìn)行深度的調(diào)整了。美國(guó)花旗銀行預(yù)計(jì)明年存儲(chǔ)器價(jià)格會(huì)大幅下降，NAND價(jià)格會(huì)跌45%，DRAM價(jià)格會(huì)下跌30%，而...

2019-01-02 標(biāo)簽：DRAMNAND存儲(chǔ)器 1.2k 0

美光率先量產(chǎn)232層QLC NAND產(chǎn)品

美光科技再次領(lǐng)跑行業(yè)前沿，近日宣布其232層QLC NAND產(chǎn)品已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并已開始應(yīng)用于部分Crucial英睿達(dá)固態(tài)硬盤中。這一突破性的技術(shù)不僅滿...

2024-05-09 標(biāo)簽：NAND美光科技 1.2k 0

iPhone8臨近上市恐令全球記憶芯片供應(yīng)趨緊

電子發(fā)燒友早八點(diǎn)訊：據(jù)路透社報(bào)道， 美國(guó)蘋果公司將在今年晚些時(shí)候推出新款iPhone，這或?qū)⒘钊蛴洃浶酒?yīng)進(jìn)一步趨緊?；谶@種情況，全球電子產(chǎn)品制造...

2017-06-22 標(biāo)簽：nand蘋果iphone8 1.2k 6

鎧俠打造全新品牌，將在今年推出全新消費(fèi)級(jí)SSD產(chǎn)品

作為NAND閃存技術(shù)發(fā)明人、全球第二大閃存供應(yīng)商，從東芝獨(dú)立出來(lái)之后的鎧俠（Kioxia）從2020年開始已經(jīng)不能再使用東芝品牌了。鎧俠的技術(shù)實(shí)力無(wú)可置...

2020-01-14 標(biāo)簽：nand三星電子Intel 1.2k 0

DDR4內(nèi)存價(jià)格下跌，NAND閃存減產(chǎn)效果未顯

TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告顯示，DRAM和NAND閃存市場(chǎng)近期呈現(xiàn)出不同的態(tài)勢(shì)。

2025-02-08 標(biāo)簽：閃存DRAMNAND 1.2k 0

行業(yè)觀察：NAND產(chǎn)業(yè)經(jīng)受住了日本地震的打擊

日本災(zāi)害造成巨大的人員傷亡，一年后，繼續(xù)給日本民眾與經(jīng)濟(jì)留下難以磨滅的印跡。但是，在制造業(yè)方面存在一線希望，即災(zāi)害對(duì)于NAND閃存產(chǎn)業(yè)的影響不大而且只是...

2012-03-19 標(biāo)簽：智能手機(jī)NAND日本地震 1.2k 0

2013年全球半導(dǎo)體較2012年成長(zhǎng)4.5%

Gartner發(fā)布預(yù)測(cè)，2013年全球半導(dǎo)體營(yíng)收預(yù)估達(dá)3，110億美元，較2012年成長(zhǎng)4.5%。Gartner上季塬預(yù)測(cè)明年半導(dǎo)體營(yíng)收將達(dá)3，300億...

2012-12-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體DRAMNAND 1.2k 0

三星減少NAND生產(chǎn)光刻膠使用量

近日，據(jù)相關(guān)報(bào)道，三星電子在3D NAND閃存生產(chǎn)領(lǐng)域取得了重要技術(shù)突破，成功大幅減少了光刻工藝中光刻膠的使用量。 據(jù)悉，三星已經(jīng)制定了未來(lái)NAND閃存...

2024-11-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體NAND光刻膠 1.2k 0

三星與鎧俠計(jì)劃減產(chǎn)NAND閃存

近日，據(jù)供應(yīng)鏈消息，三星電子與鎧俠正考慮在第四季度對(duì)NAND閃存進(jìn)行減產(chǎn)，并預(yù)計(jì)根據(jù)市場(chǎng)狀況分階段實(shí)施。

2024-10-30 標(biāo)簽：NAND三星電子鎧俠 1.2k 0

美光科技有限公司推出的業(yè)界首款基于革命性四層單元NAND 技術(shù)的固態(tài)硬盤現(xiàn)已開始供貨

美光科技有限公司推出的業(yè)界首款基于革命性四層單元（QLC）NAND 技術(shù)的固態(tài)硬盤現(xiàn)已開始供貨。美光 5210 ION 固態(tài)硬盤在美光 2018年分析師...

2018-05-22 標(biāo)簽：nand美光科技固態(tài)硬盤 1.2k 0